发光学报
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2016年6期
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·器件制备及器件物理·
High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMT with Large Gate Swing
紫外激发Ba2SiO4:Gd3+,Tb3+的发光性能
Ce:YAG透明陶瓷的制备及性能研究
N掺杂碳量子点光稳定剂的制备及光学性能
聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯嵌段聚合物的制备及其场效应性能
Tb3+掺杂方钠石荧光粉的制备及发光性质研究
In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究
溶液法制备基于新型热交联主体材料OLED器件的研究
基于多层石墨烯可饱和吸收体的被动调Q Ho:YAG激光器
不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池
大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
衬底温度对TiOPc光敏有机场效应管的影响
新型有机电致磷光白光器件的研究
基于荧光玻璃的高效LED白光技术
化学腐蚀法制备荧光多孔硅及对Ag+的检测
布料的太赫兹波透射特性研究
邻菲啰啉和水杨酸构筑铜配合物的电化学行为及与DNA的相互作用
侧入式导光板网点全自动优化设计研究
基于侧向PN结和交趾型PN结的硅基Mach-Zehnder调制器的二阶谐波失真特性