蔡氏电路的实验与仿真研究
2019-11-26吴淑花孟玮德马志春
吴淑花,孟玮德,马志春
(石家庄学院 机电学院,河北 石家庄 050035)
0 引言
自混沌运动于1963年被美国气象学家Lorenz首次发现以来[1],混沌理论及其相关应用在50多年里被不断地深入挖掘,从医学上对于癫痫病的预报,到野生动物种群的数目消长,再到长期准确的天气预报、保密通信以及天体轨道的预测,混沌的身影无处不在.混沌电路是研究混沌理论的重要手段之一,自1983年蔡少棠发表蔡氏电路以来[2-7],以实际应用为主的蔡氏电路改进、变形、多涡卷蔡氏电路及基于忆阻器的混沌系统等相关研究层出不穷,而且应用于更广泛的领域[8-18].例如,文献[9]充分利用放大器本身限幅的非线性特点构造蔡氏等效电路,删除了电感这一使电路性能不稳定的元件,让电路结构简单、误差小并且易于调节,适用于保密通信;文献[11]提出一种模块化设计方法,由三涡卷蔡氏无量纲状态方程设计电路,仅使用了反相加法器、积分器和反向器构成电路,使各元件参数独立可调,易于电路实现;文献[13]简化双运放型蔡氏电路,并验证其确实可以产生混沌信号,降低了研究成本.
蔡氏电路在混沌研究中占有重要地位.本研究利用以蔡氏电路为原理的ZKY-HD实验仪进行相关实验研究,探究非线性电阻RNL的工作原理,并通过示波器观察变阻器W1阻值变化对混沌相图的影响,分析W1在电路中所承担的作用.同时利用Multisim对实验仪的构成电路进行仿真,观察电感L1和变阻器W1的参数变化对混沌相图的影响,并搭建仿真电路测量非线性电阻RNL的伏安特性.将仿真结果与实验结果对比,分析得出ZKY-HD实验仪各模块元器件的职能,进而帮助初学者理解蔡氏电路的工作原理.
1 ZKY-HD实验仪的结构与原理
1.1 ZKY-HD实验仪的构成
ZKY-HD型混沌原理及应用实验仪(6303)由成都世纪中科仪器有限公司生产,仪器机号为07-007,其结构图如图1所示.ZKY-HD实验仪的电路图如图2所示,仪器参数(混沌信号发生模组)为:L1=18 mH,C1=100 nF,C2=10 nF,R1=3.3 kΩ,R2=22 kΩ,R3=22 kΩ,R4=2.2 kΩ,R5=220 Ω,R6=220 Ω.
图1 ZKY-HD实验仪结构图
图2 ZKY-HD实验仪元件构造图
1.2 蔡氏电路
蔡氏电路是1983年由美籍菲律宾华裔蔡少棠搭建的一种非线性电子电路,它能够表现出完整的混沌分岔和混沌吸引子行为,并且容易实现.蔡氏电路主要由非线性电阻、变阻器、电感以及电容所构成[2-5].其原理如图3所示,其中RNL为非线性电阻.图4即是一种简单的非线性电阻的实现方式.
2 利用ZKY-HD实验仪的实验研究
以下通过实验探究W1、RNL模块在混沌信号的产生中对电路的影响.先将非线性电阻RNL作为独立模块,实验研究该模块的伏安特性;再将W1放在整个电路里,保持其他元件参数不变,调节W1的大小观察系统的状态变化,以此来研究可变电阻的大小对系统的影响.
2.1 对RNL的实验研究
一般情况下,电阻是作为负载的角色参与电路构成,电阻两端的电压大小与通过电阻的电流大小成正比,作伏安特性曲线其斜率为正,通常被称为正阻;若电阻两端的电压大小与通过电阻的电流大小成反比,斜率为负,这样的电阻即为负阻.自然界中不存在天然的负阻元件,只有电阻处于电路中且有电流通过才会有负阻产生.负阻代表电阻在电路中发挥电源的作用,而正阻是电阻的本质属性.从功率意义上来说,正阻是耗能元件,负阻输出功率,是产能元件,可视作电路中的电源.
图3 蔡氏电路原理图
图4 非线性电阻
RNL模块内部构成如图4所示,通过改变电源电压,测得多组数据,利用这些数据作I-U曲线如图5所示.
由I-U伏安特性曲线可得:当|V1|≤|VC|时,在I-U图中的CD段,两个运放均为正常工作,由于运放输入端不取电流,且对于该同相加法器存在虚断和虚短,则有[2]:
即:
解得:
而 R3=R2,R6=R5,代入数值得 kCD≈-0.76×10-3,从表格数值看 kCD≈-0.7×10-3.
当|VC|≤|V1|≤|VB|,在I-U图中的BC和DE段,左侧的运放单元输入电阻大,先到达饱和,不承担放大作用,其作用仅相当于电阻和一个电源串联,即R3以用电器的身份接入电路,而右侧运放单元依旧工作在放大区,则此时[2]:
代入数值得 kBC≈-0.41×10-3,从表格数值看 kBC≈-0.4×10-3.
图5 RNL的I-U曲线
当|VB|≤|V1|,在I-U图中的AB和EF段,两组运放单元全部达到饱和,R3、R6以用电器的身份接入电路,此时[2]:
代入数值得R总≈4.59×10-3Ω,从表格数值看kAB≈2.3×10-3.
在可变电压源取不同电压值时,RNL所得阻值也不同,其I-U伏安特性曲线表现为5段线性函数.可见,RNL的作用一是维持LC振荡电路的振荡信号;二是使得振荡周期产生分岔与混沌等一系列非线性现象.
2.2 对W1的实验研究
W1为变阻器,当将W1扭旋到底时,即阻值为零时其相图为一个点,也就是说,此时电路系统处于平衡点;慢慢调节W1,使其阻值逐渐增加,电路状态依次为单周期、双周期、4周期、多周期直至单吸引子和双吸引子.随W1增大示波器输出的相图如图6所示.
通过电路实验可知,当W1阻值为零时混沌相图为一点,随着其阻值的增加,系统状态展示出完整的倍周期分岔过程,并在增大到一定值时电路进入混沌振荡状态,但由于该实验仪无法读出W1阻值,因此对于周期分岔和混沌吸引子的分界线无法知晓,利用Multisim仿真可以测得数值.
3 基于Multisim的电路仿真研究
利用Multisim对ZKY-HD实验仪的原理电路进行仿真,电路搭建如图7所示,通过改变L1和W1的元件参数,探究其对电路的影响.
3.1 L1的参数变化对电路的影响
系统元件参数分别为 L1=18 mH,C1=100 nF,C2=10 nF,R1=3.3 kΩ,R2=22 kΩ,R3=22 kΩ,R4=2.2 kΩ,R5=220 Ω,R6=220 Ω.保持其他元件参数不变,仅改变电感L1的大小,观察系统的状态变化.具体取值范围见图8,该图为电路系统的相图变化.
通过对以上数据分析,当0mH≤L1<12.27 mH时,混沌相图为一点,即此时系统处于平衡点;在12.27 mH≤L1<15.89 mH范围内,电路系统随着电感数值的增大展示出完整的倍周期分岔过程;当15.89 mH≤L1<23.3 mH时,电路系统处于混沌状态.L1作为振荡信号产生的一部分,其数值选择不同,系统非线性振荡的程度也不同,随着电感的增大,对电路系统非线性振荡影响越强,系统越容易进入混沌状态.
图 6 电路系统的相图.(a)单周期分岔;(b)双周期分岔;(c)4 周期分岔;(d)多周期分岔;(e)单吸引子;(f)双吸引子
图7 ZKY-HD实验仪的电路仿真
图 8 电路系统的相图.(a)12.27 mH≤L1<14.57 mH;(b)14.57 mH≤L1<15.22 mH;(c)15.22 mH≤L1<15.29 mH;(d)15.29 mH≤L1<15.89 mH;(e)15.89 mH≤L1<16.23 mH;(f)16.23 mH≤L1<23.3 mH
3.2 W1的参数变化对电路的影响
系统元件参数为 L1=18 mH,C1=100 nF,C2=10 nF,R1=3.3 kΩ,R2=22 kΩ,R3=22 kΩ,R4=2.2 kΩ,R5=220 Ω,R6=220 Ω,保持元件参数不变,仅改变变阻器W1的大小,观察系统的状态变化,具体取值范围见图9,该图为电路系统的相图变化.
通过仿真数据分析,当0 Ω≤W1<8 Ω时,混沌相图为一点,电路处于平衡状态;随着电阻大小的增加,在8 Ω≤W1<86 Ω范围内,系统状态展示出完整的倍周期分岔过程;当86 Ω≤W1<492 Ω时,系统处于混沌振荡状态.仿真结果与实验测得结果相吻合,并确定了具体的阻值范围及周期分岔及混沌吸引子的分界线.将电路实验与仿真实验结合分析,W1将非线性电阻与LC振荡电路的特性相融合,促使电路系统处于非线性振荡状态,随着阻值增大,其影响越大.
3.3 RNL的伏安特性
利用Multisim搭建非线性电阻的仿真电路,探究其伏安特性,仿真电路如图10所示,所得I-U仿真曲线如图11所示.
图 9 电路系统的相图.(a)8 Ω≤W1<58 Ω;(b)58 Ω≤W1<72.6 Ω;(c)72.6 Ω≤W1<76 Ω;(d)76 Ω≤W1<86 Ω;(e)86 Ω≤W1<112 Ω;(f)112 Ω≤W1<492 Ω
仿真电路搭建说明:1)XFG1为函数发生器,选择信号为三角波,振幅选择为15 V,选择三角波信号中电压随时间增大时段,令其作为-15 V到+15 V线性变化的正比例函数信号源;2)在Multisim中,为了将电流测量转化为电压测量,外接一个阻值为1 Ω的电阻,测得电阻两端的电压即为通过电路干路的总电流,由示波器XSC1直接显示伏安特性曲线,如图11所示.
从结果中可以看到明显的5段线性函数,再一次验证了RNL的非线性.与图6对比可见,电路实验与仿真研究相互验证.由于仿真电路更理想化,所以其伏安特性曲线为分段线性函数的结果更清晰,转折点也更明显.
4 结论
在蔡氏电路中,各元件参数的变化都会对电路系统产生影响.本研究在通过电路实验研究的同时,利用Multisim对实验仪的构成电路进行仿真实验,将两种实验研究相互对比分析,探究可调电阻W1、非线性电阻RNL以及电感L1的电路职能.
通过以上两种实验方式的结果,分析电感和变阻器的数值对混沌相图的影响,发现电感元件和可变电阻对系统的影响很相似:随着电感参数(或变阻器阻值)的增大,系统由平衡点进入到倍周期分岔,进而进入混沌状态,也就是说足够大的电感和可变电阻保障了电路的非线性振荡,其正确性被Multisim仿真结果所证实.仿真电路对非线性电阻伏安特性的测量直观地展现出其I-U仿真曲线为5段线性函数,进一步验证了电路实验结果的正确性.
图10 RNL仿真电路图
图11 I-U仿真曲线图
本研究可以帮助初学者快速掌握蔡氏电路的工作原理,理解各模块元器件的职能,并为蔡氏电路的改进与优化提供理论支持.