Diodes 40 V闸极驱动器减少IGBT开关损耗

Diodes公司推出专为开关高功率IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器（gate driver），有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。

当输入电流为1 mA时，该闸极驱动器通常可提供4 A的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和IGBT的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应（latch－up）及贯通问题（shootthrough），实现少于10 ns的传输延迟时间。

ZXGD3006E6的操作范围涵盖40 V，可全面改善开关器件，从而把通态损耗降至最低。该器件同时允许从＋20～－18 V的闸极驱动，有助于防止由dV/dt引起的IGBT误触发（false triggering）。

这个闸极驱动器提供独立电源和路漏输出（sink output），可分别器件开启及关闭时间，从而让电路设计师能为特定应用设定更佳的开关功能。再加上拥有10 Amp的峰值电流处理能力，该器件可控制大闸极容性负载的充电和放电，以减少更高运行频率下的EMI（电磁干扰）问题和跨导风险（cross conduction）。

该闸极驱动器采用坚固耐用的SOT26封装，可比竞争器件提供更高的脉冲电流，确保减少热耗散，从而提升产品可靠性。此外，新器件的封装引脚经过优化，能简化印刷电路板布线，并减少寄生引线电感。