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SiGe半导体推出采用小型QFN封装的更高效第二代WiMAX功率放大器

2010-08-15本刊通讯员

电子与封装 2010年9期
关键词:单芯片衰减器耗电量

全球领先的硅基射频(RF)功率放大器和前端模块(FEM)供应商SiGe半导体公司进一步扩展其功率放大器产品系列,推出能够覆盖2.3GHz~2.4GHz和2.5GHz~2.7GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T,该器件能够减少材料清单(BOM)数目,降低成本,适用于USB适配器(dongle)、数据卡、移动互联网设备和具有WiMAX功能的手机。

新型高整合度单芯片SE7271T 是一款完全匹配的功率放大器产品,并且在3mm×3mm×0.6mm四方扁平无针脚(QFN)封装内整合了步进衰减器、功率检测器和谐波滤波器。该产品的功能性结合集成式阻抗匹配,创建了一个“即插即用”的解决方案,能够同时简化移动WiMAX产品的设计,并提升其可制造性。

SE7271T具有较低的耗电量和较高的效率,能够减少电流消耗,从而延长具有WiMAX功能的手机、移动互联网设备和笔记本电脑的电池寿命。PA耗电量对于USB适配器是至关重要的,因为USB适配器的可用电源电流有限,这通常会使效率较低的PA强制降低RF输出功率,导致缩小网络覆盖范围并降低数据速率。(本刊通讯员)

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