硅纳米晶及纳米结构在微电子设计中的应用

Koshida

Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures

2009

Hardback

ISBN9780387786889

Koshida著

在纳米尺度,半导体器件将会呈现出不同于宏观尺度的光学、电学性能,充分利用这些性能可以制备很多具有特殊用途的器件。本书分别介绍了硅纳米晶及其纳米结构在光电器件、电子器件及功能器件等三方面的应用。

本书共11章,1.介绍了富硅介质在有源光电器件中的应用。本章比较了富硅氧化物和富硅氮化物在晶体结构、发光效应和发光效率的区别,认为发光效应及效率主要来自硅纳米晶,并指出硅纳米晶结构在有源光电器件中的重要作用;2.硅纳米结构的场致发光器件,介绍了多空纳米硅、富硅氧化物或氮化物、硅超晶格等硅结构,分析了硅纳米晶结构场致发光器件中的作用,硅纳米晶作为激发物而不是发光物质;3.介绍了si/sio2超晶格结构的光学性能、制备过程和采用的技术以及它的发展前景;4.首先介绍了纳米硅结构在注入式激光器设计中的作用,然后进行了实验分析得到了大量的数据,最后指出了纳米硅在激光器制造中的应用前景;5.介绍了硅单电子器件,这种器件可以对单电子进行控制,具有优越的性能,应用前景很广,目前比较典型的是应用在存储和逻辑器件上;6.spin-based 硅晶体管,分别介绍了几种新型的硅晶体管及其性质;7.首先从纳米尺度分析了电子在硅纳米晶的传输特性,然后介绍了电子在硅纳米晶阵列上的传输特性;8.首先介绍了硅纳米晶永久性存储器的发展历史,分析了将自上而下和自下而上两种设计方法进行集合的应用前景以及自组装硅纳米晶在Flash制造中的应用;9.首先介绍了BSD的性能及其发光机理,然后分析了器件发光效率和纳米结构之间的关系,最后着重介绍了玻璃基BSD;10.介绍了多孔硅光电器件的结构和基本性能,以及在label-free生物传感器中的应用;11.介绍了一种基于多孔硅纳米晶的超声发射器。

作者nobuyoshi koshida 1943年出生于日本北海道,分别于1966、1968、1973获得了东京大学工学学士、电子工程硕士和博士学位。1981年他进入东京农工大学电机系任教,1988年成为电子工程专业教授,2002年成为工学研究生院纳米科学与技术教授。他分别于1992-1993年在马萨诸塞学院,1993年在卡文迪实验室,1996年在法国傅立叶大学担任客座教授。他发表的文章,出版的专著合计超过280余篇,目前他担任ECS日本分会主席,是日本应用物理协会理事、美国材料学会及美国物理协会成员。

本书是一本论文汇编,所收录的论文是由相关领域的专家完成的,对于从事微电子设计、纳米技术研究的人有重要的参考价值。

刘军涛,博士生

(中国科学院电子学研究所)

Liu juntaoDoctoral Candidate

(Institute ofElectronics,,CAS)