APP下载

曝光剂量精度误差分析研究

2022-12-30高爱梅黄晓鹏

电子工业专用设备 2022年5期
关键词:光刻重复性精度

高爱梅,宫 晨,张 乾,黄晓鹏

(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176)

随着光刻分辨率的提高,对线宽均匀性(CDU,Critical Dimension Uniformity)的要求也越来越高。涂胶、曝光、显影、刻蚀等一系列工艺都会影响CDU。其中,曝光工艺的剂量控制是影响CDU的一个重要因素,因此,光刻工艺中需要精确控制曝光剂量[1]。

在光刻工艺中,能够得到最佳光刻图形的曝光剂量称为最佳曝光剂量。最佳曝光剂量与光刻胶的型号、胶厚及曝光图形结构等因素有关。曝光剂量有一个裕度范围,曝光剂量变化控制在此裕度内,才能得到线宽均匀性满足要求的图形。对i线光刻机,剂量裕度一般为15%~20%。影响剂量裕度的因素主要包括剂量精度、剂量重复精度、照明均匀性、胶厚均匀性等。本文对影响剂量裕度的剂量控制精度和剂量重复精度2个重要参数展开研究,分析影响其精度的因素,建立剂量精度误差模型,并结合测试数据进行验证。

1 剂量控制模型

1.1 剂量精度定义

图1解释了剂量精度和重复性的概念。平均值更接近目标值,则精度更高;多次测量数据彼此更接近,则重复性更高。

图1 剂量精度和重复性

式中,Eset为设定的剂量值;Emean为多次剂量测量结果平均值;

Emax为剂量测量结果最大值;Emin为剂量测量结果最小值;

1.2 剂量控制策略

在步进光刻机上,剂量控制的对象包括光源、衰减器、快门和能量传感器,一般光源的功率和衰减档位调节场景较少,在线曝光流程中主要控制快门开关时间实现剂量大小控制,通过照明光路中的能量传感器(简称ES)实时采集能量数据做剂量反馈。设备使用中因光学系统透过率变化等原因,需要通光硅片面的点能量传感器(简称SS)测量实际照度,标定ES的系数(kratio),kratio=ESS/EES。如图2所示,硅片面的剂量值=硅片面照度×曝光时间,其中,曝光时间包括快门全开时间和快门开启关闭时间。

图2 剂量控制模型

E=E0+W×t,E0为快门全开时段的剂量,W为等效光强,t为等效时间。

2 剂量精度误差分析

剂量精度是曝光工艺中需要控制的重要因素,直接影响曝光图形质量,通过对影响剂量精度原因的分析,建立了误差模型并分析各项误差大小,为剂量精度的优化控制提供理论依据。

2.1 误差项分解

依据剂量控制策略,影响剂量精度的因素主要有ES的重复精度和线性度,SS的重复精度和线性度,ESS/EES的比例系数为kratio,快门开关重复时间。

图3 剂量精度误差分解

前5项因素单位均为百分比,直接影响剂量精度,快门开关重复时间对剂量精度的影响,与硅片面照度和剂量大小相关。此时,剂量精度公式修正为E'=E0+W×(t±t0),t0为快门开关重复时间,t0对剂量精度的影响大小为(E-E')/E=(W×t0)/E。

剂量精度要求≤1.5%,剂量重复精度要求≤0.5%,根据剂量误差模型分析,分解到各误差项的误差值,如表1所示,作为剂量控制系统的设计要求。

表1 剂量精度误差预算

2.2 剂量精度测试

依据剂量误差分解值开展剂量控制系统设计,搭建能量测试台,分别测试ES和SS传感器的重复精度和线性度,测试快门开关重复时间。在光刻设备上测试比值kratio。各指标实测数据及对应的剂量精度核算结果如表2所示。

表2 实测误差项对应的剂量精度

根据剂量精度和重复精度定义进行剂量测试,分别测50、80、100、150、200、300、400、500 mJ·cm-2剂量下的剂量精度和重复精度,测试数据如表3所示。

表3 剂量精度和重复性测试

由表3可知,剂量50 mJ·cm-2时,快门重复性对剂量精度影响较大,快门等效光强标定误差大,导致剂量精度超差,其它剂量值下的精度和重复精度均满足指标,且与剂量误差分解指标匹配度较好。因此,设定剂量小于100 mJ·cm-2时,衰减片调至50%档位,通过降低硅片面照度减小快门重复性对剂量精度的影响。通过测试验证,衰减片50%档位时,50 mJ·cm-2剂量下的剂量精度0.884,重复精度0.372,满足设计需求。

重复连续测试1 h后,剂量精度下降到7.4%,分析其原因发现,快门常开连续测试时,ES和SS传感器受温度影响,呈现一定的长期漂移,且趋势不完全相同,导致kratio=ESS/EES比值变化较大,进而影响剂量精度。从误差模型可以看出,kratio是影响剂量精度的最大误差项,模拟实际应用场景,按曝光场布局和曝光流程重新规划测试方案如表4所示,批流程之间做一次剂量精度测试,连续测试1 h,剂量精度没有明显变化,满足指标需求。

表4 剂量精度和重复性测试

4 结束语

线宽均匀性作为光刻机的核心指标之一,是评价光刻工艺稳定和光刻设备性能的主要依据,而曝光剂量是影响线宽均匀性的主要参数。本文针对i线步进式光刻机,重点分析了影响剂量控制精度和重复精度的因素,建立剂量精度误差模型,并通过剂量精度测试验证了模型的可信度,为光刻设备的剂量设计提供了理论依据。从误差模型可以看出,影响剂量精度的主要误差项是kratio比值,这个值随光源波动、照明均匀性变化、光学系统的镜片膜层变化、能量传感器的热漂移和性能老化等因素有关,因此,应定期校正kratio比值,以实现剂量精度的精确控制。

猜你喜欢

光刻重复性精度
热连轧机组粗轧机精度控制
化学分析方法重复性限和再现性限的确定
分析误差提精度
基于DSPIC33F微处理器的采集精度的提高
【极紫外光刻】
集成电路光刻工艺研究
高职教育中针对“对口单招学生”教学改革的探索
浅谈ProENGINEER精度设置及应用