【极紫外光刻】

极紫外光刻（Extreme Ultr

aviolet Lithography），常称作EUV光刻，它以波长为10～14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm的软x射线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

光刻技术是现代集成电路设计上一个最大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的，但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的，但是如采用EUV光刻技术就会很好地解决此问题，很可能会使该领域带来一次飞跃。

但是涉及到生产成本问题，由于193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，所以其工艺的延伸性非常强，很难被取代。因而在2011年国际固态电路会议（ISSCC2011）上也提到，在光刻技術方面，22/20nm节点主要几家芯片厂商也将继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像（double patterning）

技术。endprint