新思科技提升3nm移动、HPC和AI芯片设计

肖霞

新思科技近日宣布，在双方的长期合作中，三星晶圆厂（以下简称“三星”）已经通过新思科技数字和定制设计工具和流程实现了多次成功的测试流片，从而更好地推动三星的3 nm全环绕栅极技术用于对功耗、性能和面积要求极高的應用中。此外，新思科技还获得了三星的“最先进工艺”认证。与三星SF5E工艺相比，采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实现功耗降低约50 %，性能提高约30 %，面积缩小30 %左右。

一直以来，新思科技携手三星持续创新，推动智能互联世界所需要的芯片工艺发展。三星精简了3 nm工艺开发的成本和时间，并根据PPA设计指标有效地评估了其工艺选项。三星持续将新思科技DSO.ai技术纳入其流程中，利用机器学习能力来大规模地探索芯片设计工作流程中的选择，并加快其流程的开发。

新思科技电子设计自动化（EDA）事业部总经理Shankar Krishnamoorthy表示：“新思科技与三星的战略合作让我们能够保持与他们的每一代工艺技术同步发展。通过提供在先进的三星3 nm技术上认证的业内领先的EDA设计流程，我们的共同客户可以极大限度地提高其先进SoC的设计能力，更快地实现成功的流片。"