“碳化硅功率半导体技术”专题组稿专家

邓小川，电子科技大学教授，博士生导师，一直从事宽禁带半导体碳化硅功率器件理论、模型、新结构和可靠性研究，在碳化硅功率器件领域主持承担了国家科技重大专项、国家重点研发计划、挑战计划项目、国家自然科学基金重点/面上项目等国家级、省部级和横向课题30余项；在半导体器件领域顶级期刊IEEETransonPower Electronics、IEEEElectronDeviceLetter、IEEE TransIndustrialElectronics、IEEETransElectron Device以及ISPSD、ICSCRM等国际学术会议上发表论文80余篇；授权中国发明专利10余项，获得北京市科技发明二等奖。

王 俊，湖南大学电气与信息工程学院教授，博士生导师，长期从事功率半导体器件及其应用的研究；IEEE高级会员，IEEEJESTPE和IET PowerElectronics期刊编委，发表SCI论文48篇，拥有3项授权美国发明专利、1项日本发明专利、18项中国专利；主持和承担了多个国家级、省部级和横向课题，和国内多家科研单位和企业联合开展了技术开发和项目合作，一些功率半导体及应用技术发明已实现产业化应用。