基于WT6632F的65W PD开关电源的设计
2018-05-30中电集团电子九所
中电集团电子九所 湛 禄 黄 蓉
引言
USB PD 是USB-Power Delivery的简称,是一种快充协议。我们目前在手机充电器里应用最为广泛的快充协议是高通的QC2.0,QC3.0以及即刚面世的QC4.0。QC2.0输出电压为5V,9V,12V三种电压,最大输出功率为18W.QC3.0是从3.6V-12V,以0.2V为一个变化梯度,其中3.6-6.5V 时输出最大电流为3A,9V时2A,12V时1.5A,最大输出功率为19.5W.QC4.0加入了USB PD支持,取消了12V,5V最大输出为5.6A,9V最大输出为3A,最大输出功率为28W。
而USB PD是USB协会的快充协议,目前最高版本为3.0. V1.0和V2.0为定电压输出,输出电压分别为5V,9V,15V,20V,根据用户需要还有12V.最大输出电压可以到5A,即最大输出功率为100W.V3.0还兼容QC2.0,QC3.0,其V3.0之1.1还兼容QC4.0。
USB PD开始主要是针对笔记本适配器市场,随着版本的提高,其已兼容高通的QC协议,故也应用到手机充电器市场。正是因为这个特点,PD开关电源才有广泛的应用前景。
图1
图2
1 电路设计
1.1 本开关电源的基本技术参数如下:
输入:100-240V 50/60HZ
输出:5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 20V/3.25A.
平均效率:满足DOE 6级能效。
输出纹波 ≤120mv
EMI 符合EN55032 CLASS B.
1.2 原理图设计
从技术参数看,输出最大功率为65W,拓扑结构选用单端反激式。AC-DC芯片采用NE1118.为提高开关电源效率,输出采用同步整流方式。PD协议芯片采用台湾伟诠的WT6632F.
1.2.1 AC-DC原理图如图1所示。
电路功能及原理如下:
U1为AC-DC控制芯片,带高压启动无需启动电阻,且带X电容放电功能,无需X放电电阻,故电路较为简洁。1脚带输入OVP及OTP保护;2脚为FB脚;3脚为输入电流取样脚;4脚为地;5脚为MOS驱动;6脚为VCC;7脚NC;8脚为高压启动脚。
1.2.2 PD接口电路如图2所示。
WT6632F为台湾伟诠电子所出的一款符合PD3.0协议的识别IC,自带电压输出控制,外围电路无需TL431来作为稳压。
WT6632F除了满足PD3.0协议外,还符合高通的QC2.0,QC3.0,其6,7脚就为D+,D- USB识别脚位.即本适配器既用于笔记本的供电也可用于手机的充电。
2 关键器件设计
2.1 输入整流桥堆选取
2.1.1 在最低输入电压90V时(效率设为0.85)桥堆的最大平均电流为:
功耗为:2*0.71=1.42W
2.1.2 二极管在90V时导通时峰值电流[1]
2.1.3 在最高输入电压时的反向电压为:
Ud=264*1.41=372V。
故选用桥堆4A 600V。
2.2 变压器设计
本适配器根据外壳情况选用EQ3014.
参数:AE=138mm2
绕线高度4.75mm,槽宽10mm,平均匝长:62mm。
工作频率65KHZ。
2.2.1 初次级圈数计算
因输入电压范围为5-20V,以最大功率输出来计算。
为方便选取后级MOS,考虑到成本,选用耐压100V的。考虑降额,取90V。即在输入电压264V输出20V时,MOS上最高电压为90V。则砸比N为:
1)设次级NS=3T,则NP=24T
2)设∆B=0.33-0.33*10%=0.297T,则:
3) 此时可算出临界输入电压为76V AC
电感LP=420U
2.2.2 初次级线径选取
1)90V时初次级有效值电流计算
由上面可知,理论上本设计的临界点为76VAC输入,则在20V输出是,在90V输入时,电源工作在断续模式。
次级电感LS=420/64=6.56UH,设输出MOS导通占空比为D,输出次级峰值电流为IS,输出电流为IO,输出电压为VO,工作周期为T,则有:
LS*IS=VO*D*T即 6.56E-6*IS=20*D*15.3E-6
IO=0.5*IS*D 即0.5* 3.25=IS*D
则:IS=17.4A,D=0.373
则次级有效值电流为:6.13A
因IS=17.4,则:
初级平均值电流为IAV=65/(0.85*100)=0.76A.
则初级有效值电流为1.13A
2)初次级线径选取
初级电流密度选7A/mm2,则初级线径选0.45mm。次级电流密度选8A/mm2,则次级线径选4根0.5三层绝缘线。
3)初级VCC及屏蔽。
初级VCC在输出5V时电压设置在12V,则初级VCC绕组匝数为10T。
变压器工艺采用初夹次的三明治结构,且在初次级间加屏蔽,以满足EMI要求。
2.3 输入电容设计[2]
90V时输入纹波电压选取40%,则:
0.5 *C(1262-762) ≥(65/0.88)*6.5E-3
C ≥ 95UF
考虑电容的误差,选取120UF 400V
2.4 输出电容选取
1)求电容纹波电流
2)故选用2个纹波电流为5A的470UF 25V的固态电容。
其:ESR = 11m R
此时输出电流纹波为17.4*11/2=95.7mv<120mv,满足要求。
3) 功耗为:
P = 5.19*5.19* 11E-3 = 0.296W
4)最小容量计算
输出电压纹波小于120mv,则:
可知所选电容容量也满足要求。
2.5 输入MOS选取
1)耐压选取
VDS=375+8*20+50=585V
降额90%,选用耐压650V的MOS。
2)Rdson 选取
散热器热阻选用20°/W,根据要求,温升为20°,故MOS的功耗为设导通功耗为1W,设在90V时导通损耗为60%
故选用耐压650,RDSon小于420毫欧电阻的MOS。
2.6 输出同步整流MOS管的选取。
1)耐压确定,如上已设定为100V
2)电流及Rdson选定
根据控制IC参数,其压降为75mv,又次级ISP=17.4A,选其中间值为临界点,则:
Rdson<75/(8.7)= 8.6m R
3)导通功耗(90V输入时)
PD = 6.14*6.14*8.6E-3 = 0.324W
3 试验结果
经对样品进行测试,性能满足要求:
平均效率如下:
5V 9V 115VAC 83.4% 88.3%230VAC 83.8% 88.9%限制 ≥81.39% ≥86.62%12V 20 89.1% 90.3%89.2% 90.5%≥87.73% ≥88%
[1]Sanjaya Maniktala著,王志强等译.开关电源设计与优化[M].北京:电子业出版社,2006.
[2]沙占友,王彦朋等著.开关电源设计与优化[M].中国电力出版社,2009,154-157.