YNbO4∶Tm3+/Yb3+上转换发光特性研究
2018-04-19李磊伟牛春晖郎晓萍
李磊伟, 吕 勇, 牛春晖, 郎晓萍
(北京信息科技大学 仪器科学与光电工程学院, 北京 100192)
1 引 言
近几十年来,稀土掺杂光学材料发展迅速,广泛应用于诸如生物医学[1]、食品安全监测[2]、半导体照明[3]、太阳能电池[4]、光催化[5]等领域。它的推广给人类带来了极大方便。上转换发光材料就是稀土掺杂光学材料的一个重要分支,它可以吸收低能量的长波辐射,而发射出高能量的短波辐射,即反Stokes效应[6]。一般情况下,可以选用波长较长的近红外激光作为激发源,使得上转换发光材料发出波长较短的可见光或者紫外光等。常见的上转换发光材料一般以氟化物作为基质,这是因为氟化物自身具有较低的声子能量,在一定程度上可以提高上转换效率。由于氟化物本身具有较差的化学稳定性和较高的毒性,在工业生产中,常使用氧化物作为基质[7]。其中铌酸钇(YNbO4)就是一种很稳定的化合物,它本身具有褐钇铌矿型结构,可以看作是畸变的白钨矿型结构。已经有许多专家、学者在做该方面研究[8]。
稀土离子Tm3+离子具有极为丰富的能级分布[9],常常被应用到红外光器件和上转换固体激光器当中。为提高发光效率,会在整个掺杂系统中加入敏化剂。Yb3+是一种最佳的敏化剂离子,它仅有一个2F5/2激发能级,位于980 nm附近,而且它的吸收截面较大,激发态寿命相对较长。可以有效地传递能量,使得Tm3+上转换发光效率大大提升。
本文主要研究了Tm3+/Yb3+共掺组分的YNbO4粉末的上转换发光性能和光谱特性。首先通过高温固相法制备了掺杂Tm3+和Yb3+的YNbO4粉末。其次,在980 nm激光器的激发下,研究了粉末材料的上转换发光特性和能量传递过程。最后,测试了粉末材料的吸收谱,利用研究固体掺杂稀土离子光谱性质的重要工具——Judd-Ofelt理论计算得到了谱线强度参数Ωt(t=2,4,6),并计算了粉末材料中Tm3+离子部分能级的跃迁几率、跃迁分支比等参数。
2 实 验
采用高温固相法制备材料样品。将Nb2O5、Y2O3、Tm2O3、Yb2O3(以上药品均由国药集团化学试剂北京有限公司提供)按照50Nb2O5-(46-x)Y2O3-4Yb2O3-xTm2O3(x=0.1,0.2,0.5,1,2)的配比,称取共计20 g原料,分别标记为1#、2#、3#、4#、5#。其中Nb2O5和Y2O3原料是分析纯,Yb2O3和Tm2O3是光谱纯。将原料放入研钵中充分研磨并混合均匀,装入刚玉坩埚中,放入硅碳棒马弗炉中加热;使其在30 min内升高到1 300 ℃,并保持恒定2 h后立即取出,在空气中冷却。将冷却后的样品研磨后装入样品袋,用来测试光谱特性。
2.1 XRD谱分析
利用日立DMAX-3A型X射线衍射仪,Co Kα靶(λ=0.178 9 nm)进行材料样品的分析,扫描范围是10°~80°。分别对5个样品进行测试,扫描结果如图1所示,并将不同样品的晶胞参数列于表1中。从实验结果来看,掺杂浓度对晶胞参数影响不大,以掺杂0.1%摩尔分数的晶胞体积最小。
图1 样品的X射线粉末衍射图
Tab.1 Crystal cell parameters of the samples with different Tm3+ion concentration
Tm3+摩尔分数/%a(b)/nmc/nmV/nm3YNbO40.55500.54200.294170.10.52250.50670.289480.20.53160.50470.292220.50.53220.50430.2935310.53250.50350.2912920.53160.50580.29338
2.2 发射光谱测试
在密闭暗箱中,采用980 nm激光器作为激发光源,照射到放在样品架上的待测样品;样品受激发射产生上转换光,被收集到单色仪入射狭缝;经过单色仪分光,不同波长的上转换光从单色仪出射狭缝入射到光电倍增管内,经过光电倍增管转换后的电信号值被计算机记录。所有光谱测试实验环境均为室温。
图2 漫反射光谱测试装置结构图
Fig.2 Measurement device structure of the diffuse reflection spectra
图3 发射谱测试装置系统框图
Fig.3 System block diagram for measuring emission spectrum
3 结果与讨论
3.1 980 nm 激光器激发上转换发光特性
实验中采用980 nm激光器作为激发光源,激光的阈值电流为I0=0.55 A。当激光器工作电流小于I0时,无激光输出;当激光器工作电流大于I0时,输出功率和工作电流呈线性关系。如图4所示,在980 nm激光器激发下,Tm3+/Yb3+共掺组分的YNbO4粉末在可见光范围内上转换光谱峰值分别为478,645,707 nm(可见光波段后仍然有峰值出现[11],由于本文只考虑可见光波段,故而后面的峰值不做考虑)。它们分别对应于Tm3+跃迁过程1G4→3H6、1G4→3F4、3F3→3H6。从1#到5#,Tm3+离子的掺杂浓度不断增大,但是根据图4(b)和表2中数据可以看到:其上转换发光强度先增大,后减少。这表明,一开始随着Tm3+离子浓度增加,Tm3+离子个数增加,从而增大了发光强度;但是随着浓度的继续增加,Tm3+离子间距缩小,产生浓度猝灭现象,导致发光强度降低。
图4 Tm3+/Yb3+掺杂YNbO4样品1#~5#的上转换光谱。(a)整体光谱图;(b)局部放大图
Fig.4 Up conversion spectra of YNbO4doped Tm3+/Yb3+samples 1#-5#. (a) Overall spectrogram. (b) Local magnification.
表2Tm3+/Yb3+掺杂YNbO4样品1#~5#在480nm处的峰值波长及相对强度
Tab.2 Peak wavelength and intensity at 480 nm of YNbO4doped Tm3+/Yb3+samples 1#-5#
样品Tm3+摩尔分数/%峰值波长/nm相对强度1#0.1480572.52#0.2478661.13#0.5478749.34#1478696.35#2478581.8
为了更好地了解Tm3+的上转换机制,对各部分的上转换光发射强度与激光器功率之间的关系进行了研究。其中已知激光器输出功率和本身工作电流成线性关系:
Pout=σ×(i-i0)n,
(1)
式中的σ为固定常数,i是激光器工作电流,i0是激光器阈值电流。稀土上转换材料发光功率P与激光器输出功率Pout的关系式为[12]
(2)
其中n为上转换过程中所需吸收的光子数目。常见的有双光子吸收和三光子吸收。将(1)、(2)两式联立可得:
P=kn×(i-i0)n,
(3)
将980 nm激光器照射到3#样品上测得样品的上转换发射功率和激光器工作电流关系,拟合结果如图5所示(图中的实点表示实际测试数据)。
从拟合结果可知:在980 nm激光器的抽运作用下,Tm3+/Yb3+共掺组分的YNbO4粉末在可见光范围内上转换峰值在478,645,707 nm对应的n值分别为2.72,2.69,2.01,故而得出在478 nm和645 nm处为三光子吸收过程,707 nm处为双光子吸收过程。具体来讲,如图6能级跃迁图,Yb3+吸收一个980 nm光子发生2F7/2→2F5/2跃迁,并将激发态的能量传递给Tm3+的基态能级3H6,使其跃迁到3H5能级,处在该能级的Tm3+离子通过无辐射弛豫到达3F4能级。之后处在3F4能级的Tm3+离子通过吸收一个980 nm的光子或Yb3+传递过来的能量转移到3F3能级,一部分Tm3+离子再由3F3跃迁到基态发射出707 nm的红色光,该过程为双光子吸收过程。另外一部分Tm3+离子继续吸收一个980 nm的光子或Yb3+传递过来的能量跃迁到1G4能级,此时处在1G4能级上的Tm3+离子分别向3F4和基态3H6跃迁,从而产生了645 nm和478 nm光。该过程均为三光子吸收过程。
图5 上转换发射功率与980 nm激光器工作电流关系
Fig.5 Relationship of up-conversion emission power and 980 nm LD working current
图6 YNbO4粉末中Tm3+和Yb3+离子的能级结构
Fig.6 Energy level structure of Tm3+and Yb3+ions in YNbO4powder
3.2 Judd-Ofelt理论
在稀土掺杂材料理论分析中常常会用到Judd-Ofelt理论。根据该理论可以推算出跃迁振子强度、自发跃迁几率、跃迁分子比等光谱参数。
我们知道,实验振子强度包括电偶极和磁偶极跃迁两方面的贡献,它可以用材料的吸收谱来表示:
(4)
(5)
(6)
式中α(λ)为吸收系数,l为材料的厚度,k(λ)为光密度。联立式(4)、(5)、(6)可以得出实验振子强度大小。
电偶极矩跃迁谱线强度为:
Sed=∑t=2,4,6Ωt|〈4fNψJ‖U+‖4fNψ′J′〉|2,
(7)
式中,‖U+‖是约化矩阵张量算符,|〈4fNψJ‖U+‖4fNψ′J′〉|2是电偶极约化矩阵元,基本不随基质变化;Ωt是谱线振子强度参数,和基质材料配位性质有关。
电偶极矩跃迁的谱线振子强度可以表示为:
(8)
式中,m是电子质量,c是真空中的光速,h是普朗克常量,J是跃迁初态能级的总角量子数。
理论上讲,我们有
fexp=fed+fmd,
(9)
其中fmd为磁偶极矩跃迁谱线振子强度大小,但是对于大多数稀土离子的能级跃迁,磁偶极矩的作用常常可忽略不计。那么,fexp≈fed。由式(4)、(7)、(8)进行最小二乘法拟合,得到谱线强度参数Ωt。进而,可计算出理论振子强度:
(10)
拟合后的结果用均方根偏差δrms衡量,为
(11)
式中,∑(Δf)2是实验振子强度和理论振子强度的差方和,Ntran是观测到的基态吸收跃迁数目,Npara是计算参量数目。
(12)
同样,我们将磁偶极跃迁忽略,得出ψJ到ψ′J′能级之间自发辐射几率为AJJ′≈Aed。所对应的跃迁分支比为:
β[J,J′]=AJJ′/[∑J′AJJ′],
(13)
能级ψJ的寿命τ可根据该能级到所有下能级ψ′J′的自发辐射跃迁几率和得到:
τ=1/[∑J′AJJ′].
(14)
3.3 光谱分析
根据计算得出的Tm3+/Yb3+掺杂YNbO4的吸收光谱结果如图7所示。
图7 YNbO4粉末中Tm3+的吸收谱
由图7可知,Tm3+/Yb3+掺杂YNbO4的主要吸收峰值包括456,686,792,980 nm,共计4个吸收峰值,分别对应于Tm3+离子从基态3H6跃迁到1G4、3F2,3、3H4和Yb3+离子从基态2F7/2跃迁到2F5/2。在实验中,由于很难测试粉体的折射率n、吸收光程l以及稀土掺杂浓度N,所以采用文献[13]中YNbO4晶体在可见光波段内折射率平均值n=2.4。根据离子浓度计算得到的稀土掺杂浓度N≈1.7×1019cm-3,测量样品厚度约为0.6 cm,考虑到光先透射再反射及粉末样品15%光程增加[14],则吸收光程l=1.38 cm。Tm3+约化矩阵元由文献[15]得到,采用最小二乘法拟合得到YNbO4粉末中Tm3+谱线强度参数Ωt(t=2,4,6)为:Ω2=6.010×10-20,Ω4=1.737×10-20,Ω6=5.803×10-21。
根据J-O理论,我们知道Ωt(t=2,4,6)是反映材料的结构性质的重要参数。其中Ω2对周围基质场敏感,它与材料的结构及配位场的对称性、有序性密切相关,它表征材料的共价性,Ω2数值小的材料,表征材料的共价性强。表3列举出部分文献中介绍的掺杂Tm3+晶体的强度参数值,相比之下本文所制备的材料Ω2数值较大,除比晶体NaY(WO4)2中Ω2小之外,比表3中其余晶体的Ω2数值均大,这表明该材料中Tm3+离子受到周
围离子极化作用较强,周围环境的非对称性较高,具有良好的吸收特性及上转换发光特性;Ω4/Ω6与离子所处的晶体场有关,比值越大,表明晶体场的五次项相对晶场的三次项越小,本文中Ω4/Ω6的值为2.993,比表3列出YAlO3、BaWO4的Ω4/Ω6的值小,比其余晶体中Ω4/Ω6值均大。由公式(12)~(14)计算了Tm3+从基态3H6跃迁到1G4、3F2、3F3、3H4的实验振子强度fexp和理论振子强度fcal,并将结果列于表4。
表3 部分掺杂Tm3+晶体强度参数Ωt
表4 实验振子强度和理论振子强度
从表4中可以看出,采用J-O理论得到实验振子强度和理论振子强度比较接近,表明在计算稀土离子光谱特性方面的适用性。根据公式(11)得到两者的均方根偏差δrms=1.299×10-7,根据公式(12)~(14),并采用文献[23]中的约化矩阵元,计算得到Tm3+仅考虑电偶极矩近似模式下,从上能级1D2到下能级的跃迁几率、跃迁分支比和能级寿命,将结果列于表5。
表5 Tm3+能级的跃迁几率、跃迁分支比
在实际激光器的设计中,跃迁分支比是一个重要参数,它表征了Tm3+从高能级迁到某个低能级的概率大小,从而反映出发射某种波段光的几率大小。从表5中可以看出:(1)3H5能级寿命较长,可用于激光上能级,并且3H5→3H6跃迁分支比(96.46%)接近100%,可以用于产生1 216 nm激光;(2)3F4能级寿命较长,适合作为上转换中间能级。
4 结 论
本文采用高温固相法制备了Tm3+/Yb3+共掺组分的YNbO4粉末,具体研究了该材料在980 nm激光器激发下的能级跃迁及其吸收特性。首先,在980 nm激光激发下,根据样品的上转换发射功率随着激光器工作电流关系的拟合曲线,得到了波长为456,686,792 nm,对应的吸收光子数
目分别为3,3,2;其次利用Judd-Ofelt理论计算样品的光谱特性,由最小二乘法拟合得到Tm3+/Yb3+共掺组分的YNbO4粉末中Tm3+的谱线参数Ωt(t=2,4,6),得到实验振子强度和理论振子强度,及二者均方根偏差。最后求出在仅考虑电偶极矩近似模式下的Tm3+能级的跃迁几率、跃迁分支比等参数。结果表明:(1)3H5能级寿命较长,可用于激光上能级,并且3H5→3H6跃迁分支比(96.46%)接近100%,可以用于产生1216 nm激光;(2)3F4能级寿命较长,适合作为上转换中间能级。
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李磊伟(1991-),男,河北张家口人,硕士研究生,2015年于河北邯郸学院获得学士学位,主要从事发光材料/隐身材料方面的研究。
E-mail: 2279428962@qq.com牛春晖(1976-),男,山西运城人,博士,副教授,2005 年于中国科学院物理研究所获得博士学位,主要从事发光材料、激光玻璃以及光电隐身材料的研究。
E-mail: niuchunhui@bistu.edu.cn