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新型无稀土掺杂BaZn2(BO3)2荧光粉的制备与发光性能的研究

2018-01-23吴程潇邓德刚阮枫萍徐时清

中国计量大学学报 2017年4期
关键词:荧光粉氩气白光

吴程潇,邓德刚,阮枫萍,徐时清

(中国计量大学 材料与科学工程学院,浙江 杭州 310018)

1997年,日亚公司率先采用蓝光GaN芯片结合YAG黄色荧光粉实现白光发射,至此,白光LED(White Light Emitting Diodes, WLED)成功超越了白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯,成为节能环保的第四代固体照明光源[1-3]. 白光LED是最被看好的LED新兴产品,其在照明市场的发展潜力值得期待.与白炽灯和荧光灯相比,白光LED具有发热量低、耗电量小、使用寿命长、环保等优点,它没有白炽灯高耗电、易碎及荧光灯废弃物含汞污染等缺点.白光LED在各个技术领域都被广泛地应用,它可应用于医疗、装饰灯、液晶显示器背景光源、汽车照明等诸多领域.白光LED应用于生活的方方面面,无处不在地改变着人们的生活和工作环境.

当前LED技术通常是通过单个半导体芯片来产生蓝光,然后依靠黄光发光荧光粉涂层将颜色转换成白色.这种荧光粉由掺杂了铈的钇铝石榴石制成;另一种方法是通过紫外光去激发三基色荧光粉,去复合为品质很高的白光[4-7].但是一般的这些商用荧光粉都是通过稀土离子为激活离子,利用稀土离子在不同能级的跃迁而达到预期发光的荧光粉,而这些稀土元素一般非常昂贵,供应有限,且制备需要还原气氛,生产成本很高.因此,从能源成本的角度去考虑,探索廉价的LED用荧光粉材料,将具有很大的研究意义.

硼酸盐荧光粉具有材料廉价、高稳定性、强紫外吸收等优点,目前已有一些白光 LED 用的新型硼酸盐荧光粉相继被报道,它们展示了非常优越的光学性质,据此,我们研究了新型的BaZn2(BO3)2荧光粉.在不同气氛制备条件下的BaZn2(BO3)2荧光粉通过紫外光的激发,能够发射绿色或黄色荧光.通过晶体结构、漫反射光谱、荧光光谱、电子顺磁共振谱、热猝灭等表征手段,我们对BaZn2(BO3)2荧光粉的发光机理和发光性能进行了深入的研究与分析.

1 实验部分

1.1 原料与合成

通过高温固相法制备BaZn2(BO3)2荧光粉,根据化学式称量药品BaCO3(A.R.)及ZnO (99.99%)和H3BO3(A.R.),然后彻底均匀研磨,装入氧化铝坩埚中,再置于马弗炉中850 ℃,分别在空气气氛、还原气氛(95%N2+5%H2)、氩气气氛条件下保温4 h,随后冷却至室温,取出样品研磨制样.

1.2 样品表征

采用德国Bruker Axs D2 PHASER 型X射线衍射仪器,辐射源铜靶Kα线(λ=0.154 06 nm),步长为0.01°,2θ的范围为10°~80°,工作电流为10 mA,工作电压为30 kV,测定样品的衍射光谱.扫描电镜采用的是日本HITACHI公司的SU8010 FE-SEM冷场发射扫描电子显微镜(分辨率:1.0 nm(15 kV)、1.3 nm(1 kV).采用日本UV-3600 UV-Vis (Shimadzu, Japan)测量漫反射光谱,采用硫酸钡作为参考标准.用450 W的氙灯作为激发光源去探测样品的激发,发射光谱图以及样品的发光寿命,所用仪器为美国的PL3-211-P(HORIBA JOBIN YVON,America).采用德国布鲁克电子顺磁共振波谱仪(A300-10/12)测量电子顺磁共振波谱.温度对发光光谱特性的影响是用荧光粉光谱和热淬灭分析仪(Everfine,China)测量.

2 结果与讨论

2.1 物相与形貌结构分析

图1给出了850 ℃下保温4 h所得的三种不同气氛条件下,BaZn2(BO3)2荧光粉的XRD图谱与标准图谱的比较.可以看出三组样品的衍射峰均与标准卡片的图谱相吻合.可以认定,所得的样品形成了较纯的BaZn2(BO3)2,图2为扫描电镜下样品的形貌图像,可以看出样品颗粒直径大小为100 nm左右.

图1 不同气氛条件下的BaZn2(BO3)2的XRD图谱Figure 1 XRD patterns of BaZn2(BO3)2 under different atmosphere

图2 BaZn2(BO3)2的扫描电镜图谱Figure 2 SEM image of BaZn2(BO3)2

图3为精修得到的XRD图谱,计算得到,该样品的晶胞属于斜方晶系,空间群为P212121,晶胞参数分别为:a= 9.328(6) Å,b= 12.117(3)Å,c= 4.922(8)Å,Rp= 8.27,Rwp=11.59和V=556.469 51Å3.从图4 BaZn2(BO3)2的晶胞结构图可以看出,一个Ba原子附近围绕着6个氧原子和共享顶点的两个ZnO4四面体以及两个BO3三角链组成,并且其中ZnO4四面体分别与BO3三角链共享氧原子[8].

图3 BaZn2(BO3)2的XRD精修图谱Figure 3 Refinement XRD patterns of BaZn2(BO3)2

图4 BaZn2(BO3)2的晶胞结构图Figure 4 Unit cell structure of BaZn2(BO3)2

2.2 漫反射特性

图5为BaZn2(BO3)2荧光粉的漫反射光谱.从图5(a)可以看出,三种样品在可见光波段几乎没有吸收,而在紫外波段200~400 nm有很强的吸收,这就表明此类荧光粉运用于紫外光激发三基色荧光粉时,有利于对紫外芯片发射出紫外光多余部分的吸收.通过漫反射光谱计算能带带隙,可以由以下方程得出[9-10]:

[F(R∞)hv]n=A(hv-Eg);

(1)

F(R∞)=(1-R)2/2R=K/S.

(2)

图5 BaZn2(BO3)2荧光粉的漫反射光谱Figure 5 Diffuse reflection spectra of BaZn2(BO3)2

式(1)中,F(R∞)为Kubelka-Munk函数,为光子能量,A为比例常数,Eg为能带带隙值.n对于间接带隙型半导体是1/2,对于直接带隙型半导体取值2. BaZn2(BO3)2是直接带隙型半导体,因而n取值为2.式(2)中R和K与S分别表示反射、吸收和散射系数.以还原气氛条件下样品为例,如图5(b),当K/S=0,即F(R∞)=0时,计算得到BaZn2(BO3)2样品能带带隙为3.16e V[10].同样可计算得到空气气氛和氩气气氛下的能带带隙为3.15 eV和3.14 eV,得到BaZn2(BO3)2荧光粉的能带带隙大约为3.15 eV.一般按禁带宽度的不同,半导体可分为窄带隙半导体(Eg<2 eV),如Si,GaAs等;宽带隙半导体(Eg>2eV),如ZnO(3.37 eV),SiC(2.2eV)等;零带隙半导体(Eg~0eV),如石墨烯等.很明显,BaZn2(BO3)2和ZnO一样,同属于宽带隙半导体.

2.3 光谱特性与发光机理

图6 BaZn2(BO3)2荧光粉的荧光光谱Figure 6 Photoluminescence spectra of BaZn2(BO3)2 phosphors

图7为BaZn2(BO3)2荧光粉的发光机理.这两处峰的可见发射带分别归因于在晶粒内接近导带的光生电子,被单个带负电荷的间隙氧离子和单个电离氧空位俘获,再与光生空穴复合产生光子.在高温条件下,将会有以下的反应:

(3)

(4)

图7 BaZn2(BO3)2荧光粉的发光机理Figure 7 The luminescent mechanism of BaZn2(BO3)2 phosphors

(5)

图8 不同气氛条件下BaZn2(BO3)2样品的电子顺磁共振谱Figure 8 EPR patterns of BaZn2(BO3)2 under different atmosphere

2.4 荧光衰减寿命与色坐标

图9为空气气氛、氮氢气氛和氩气气氛条件下制备的BaZn2(BO3)2样品的荧光寿命衰减曲线,监测波长分别为543nm、500nm和500nm.采用荧光寿命单指数拟合公式:

I(t)=Aexp(-t/τ).

(6)

式(6)中,I(t)表示t时刻的荧光发射强度,A是常数,t为时间,τ是衰减时间的指数成分.分别计算得到三种衰减寿命τ1,τ2与τ3分别为0.586ms, 0.572ms和0.592ms.一般称荧光强度降到激发时最大强度的1/e所需的时间为荧光寿命,它表示粒子在激发态存在的平均时间,一般荧光寿命越长,说明离子在激发态上的布居数多,也就是在激发态存在的平均时间长.氮氢还原气氛中的荧光衰减寿命最短,说明其光生空穴与光生电子结合产生光子更多,使得荧光强度也最高.荧光衰减时间τ2<τ1<τ3,也刚好对应发光强度I(氮氢气氛)>I(空气气氛)>I(氩气气氛). 并且BaZn2(BO3)2样品的荧光寿命与一般的半导体发光材料相比,如SiC的荧光寿命在1ms左右,基本相当,这是由于二者均属于宽带隙n型半导体材料[16].

图9 不同气氛条件下的BaZn2(BO3)2荧光粉的荧光衰减寿命Figure 9 PL lifetime of BaZn2(BO3)2 under different atmosphere

图10 三种不同气氛条件下的BaZn2(BO3)2荧光粉的色坐标图Figure 10 The CIE chromaticity diagram of BaZn2(BO3)2 phosphors under air atmosphere

图10为BaZn2(BO3)2荧光粉在不同气氛条件下的色坐标图.计算得到空气气氛、氮氢气氛和氩气气氛条件下样品的色坐标分别为:a.(0.357 6,0.452 6)b.(0.216 5,0.422 3)c.(0.228 1,0.385 8),分别发射黄光、绿光和绿光.因此BaZn2(BO3)2荧光粉是一种潜在的LED用荧光粉.

3 结 语

[1]NARENDRANN,GUY,FREYSSINIERJP,etal.Solid-statelighting:failureanalysisofwhiteLEDs[J].JournalofCrystalGrowth, 2004, 268(3):449-456.

[2] YANG H, ZHU G, YUAN L, et al. Characterization and luminescence properties of YAG:Ce3+phosphors by molten salt synthesis [J].JournaloftheAmericanCeramicSociety, 2012, 95(1):49-51.

[3] 马玉涛,李晨霞,邓德刚,等. 可用于白光照明的单一基质荧光粉(Sr0.95Mg0.05)3(PO4)2:Eu2+的发光特性 [J]. 中国计量大学学报, 2016, 27(4):458-464.

MA Y T, LI C X, DENG D G, et al. Luminescence properties of a novel sing-phase phosphor (Sr0.95Mg0.05)3(PO4)2:Eu2+for white light emitting diodes [J].JournalofChinaUniversityofMetrology, 2016, 27(4):458-464.

[4] BASAK A S, EKMEKCI M K, ERDEM M, et al. Investigation of boron-doping effect on photoluminescence properties of CdNb2O6:Eu3+phosphors [J].JournalofFluorescence,2016, 26(2):1-6.

[5] BING Y, LIN L, WU J, et al. Photoluminescence of rare earth phosphors Na0.5Gd0.5WO4:RE3+and Na0.5Gd0.5-(Mo0.75W0.25)O4:RE3+(RE=Eu,Sm,Dy) [J].JournalofFluorescence, 2011, 21(1):203-211.

[6] FAULQUES E, WERY J, DULIEU B, et al. Synthesis, fabrication, and photoluminescence of CaF2doped with rare earth ions [J].JournalofFluorescence, 1998, 8(4):283-287.

[7] VISHWNATH V, SRINIVAS M, PATEL N P, et al. Synthesis and photoluminescence studies of Eu(Ⅲ), Er(III) doped strontium gadolinium tantalum oxide [J].JournalofFluorescence, 2016, 26(1):277-282.

[8] SMITH R W, KESZLER D A. The noncentrosymmetric orthoborate BaZn2(BO3)2[J].JournalofSolidStateChemistry, 1992, 100(2):325-330.

[9] CHEN F, YUAN X, ZHANG F, et al. Photoluminescence properties of Sr3(PO4)2:Eu2+, Dy3+double-emitting blue phosphor for white LEDs [J].OpticalMaterials, 2014, 37:65-69.

[10] DENG D G, YU H, LI Y, et al. Ca4(PO4)2O:Eu2+red-emitting phosphor for solid-state lighting: structure, luminescent properties and white light emitting diode application [J].JournalofMaterialsChemistryC, 2013, 1(19):3194-3199.

[11] BOIX P P, AJURIA J, ETXEBARRIA I, et al. Role of ZnO electron-selective layers in regular and inverted bulk heterojunction solar cells [J].JournalofPhysicalChemistryLetters, 2015, 2(5):407-411.

[12] LOOK D C. Recent advances in ZnO materials and devices [J].MaterialsScience&EngineeringB, 2001, 80(1):383-387.

[13] WANG Z, LIN C, LIU X, et al. Tunable photoluminescent and cathodoluminescent properties of ZnO and ZnO:Zn phosphors [J].JournalofPhysicalChemistryB, 2006, 110(19):9469-9476.

[14] WU W, HU G, CUI S, et al. Epitaxy of vertical ZnO nanorod arrays on highly (001)-oriented ZnO seed monolayer by a hydrothermal route [J].CrystalGrowth&Design, 2016, 8(11):4014-4020.

[15] KAFTELEN H, OCAKOGLU K, THOMANN R, et al. EPR and photoluminescence spectroscopy studies on the defect structure of ZnO nanocrystals [J].PhysicalReviewB, 2012, 8(1):6335-6341.

[16] ZHUO S Y, LIU X, GAO P, et al. Luminescence of donor-acceptor-pair in fluorescent 4H-SiC doped with nitrogen, boron and aluminum [J].JournalofInorganicMaterials, 2016, 32(1):51-55.

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