三氯氢硅合成工艺及系统

三氯氢硅合成工艺及系统

申请(专利)号： 201510120467.4

公开(公告)日：2016-10-19

申请(专利权)人：内蒙古盾安光伏科技有限公司

一种三氯氢硅合成系统，包括合成炉、为合成炉供应与合成炉内外加硅粉反应HCL的HCL储罐、用于冷凝合成炉尾气的第一冷凝器、接收来自第一冷凝器冷凝后氯硅烷液体的冷凝料储罐、接收来自于冷凝器的不凝气的缓冲罐，分离提纯来自于冷凝料储罐的氯硅烷的分离提纯装置、氯硅烷储罐、汽化器、混合加热器、流化床反应器、第二冷凝器。本发明还提供了采用该三氯氢硅合成系统的三氯氢硅合成工艺。本发明将传统三氯氢硅合成过程中的副产品二氯二氢硅继续回床，减少物料损耗，降低尾气处理系统安全隐患。降低系统二氯二氢硅循环总量增长速度，同时也提高三氯氢硅转化率。