APP下载

一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法

2016-12-15

表面工程与再制造 2016年5期
关键词:覆层申请号半导体

一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法

申请公布号:CN106011848A

申请公布日:2016.10.12

申请号:2016105894300

申请日:2016.07.26

申请人:山西玉华再制造科技有限公司

发明人:段虎明

该发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法,既能修复失效的轴类零件,又能有效的保护键槽。包括以下步骤:步骤一,对圆轴和键槽进行预处理,所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键,获得表面轮廓一致的待熔覆表面;步骤二,采用半导体激光束,对所述待熔覆表面进行激光熔覆,获得过渡层;步骤三,去除所述过渡层表面氧化物,对所述过渡层进行激光熔覆,获得熔覆层;步骤四,从所述键槽中取出所述铝键。

猜你喜欢

覆层申请号半导体
激光功率对WC增强Ni35合金激光熔覆层组织与性能的影响
基于TD覆层处理技术的细长孔内表面覆层性能
激光熔覆工艺参数对高速钢涂层性能的影响①
适于航空应用的Al-Cu-Li合金产品
一种白釉与陶瓷砖及陶瓷砖制备方法
Nb 对双相不锈钢激光熔覆组织及性能的影响研究
两岸青年半导体创新基地落地南京
半导体行业吹响国产替代进军号
铝热焊接专利技术综述
2013年授权的农药专利(除草剂篇)