美首次研制出稳定的单原子层锗

60年前，锗被用来做成了第一块晶体管，但随后被硅取代，现在，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗，其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在美国化学会《纳米》杂志上。

在自然界中，锗很容易形成多层晶体，其中的每个原子层紧紧依附在一起，这就使单原子层锗的性能不稳定。为了解决这个问题，戈德伯格团队首先制造出了多层的锗晶体，并在每层之间挤入了一些钙原子，接着用水将钙溶解，并用氢原子填满留下的化学键，最后剥下了单层锗。

填充了氢原子的单锗的化学稳定性比传统硅要好。而且，单锗拥有“直接带隙”，这意味着它很容易吸收或释放光;而传统的硅和锗则拥有间接带隙，很难吸收或者释放光，这就使得单锗能在光电子学领域大有作为。

科学家们的计算表明，单锗的电子迁移率是硅的10倍、传统锗的5倍，因此有望用于制造高能计算机芯片。戈德伯格说:“高电子迁移率非常重要，只有用迁移率更高的材料才能制造出运行速度更快的计算机芯片。当晶体管变得更小，也需要使用迁移率更高的材料，否则晶体管会‘罢工’。”