Vishay发布新款具有“R”失效率的QPL钽氮化物薄膜片式电阻

Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻——E/H（Ta2N），该电阻具有公认的高可靠性，失效率达到每1 000 h0.01%的“R”级。新款E/H(Ta2N)电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造，为军工和航天应用提供了更好的规格指标，包括0.1%的公差和25 ppm/℃的TCR。

E/H（Ta2N）薄膜电阻具有小于25 dB的超低噪声，以及低至0.5 ppm/V的电压系数。电阻的卷绕端接采用牢固的粘附层，覆盖一层电镀镍栅层，使器件可在+150℃温度下工作，而粘附层产生的电阻还不到0.010 Ω。

器件有 M55342/01～M55342/12共12种外形尺寸，功率等级为50～1 000 mW，工作电压为 30～200 V，根据公差，阻值范围49.9 Ω～3.3 MΩ。E/H(Ta2N)薄膜电阻现已量产，供货周期为八周到十周。