20VIN、1A高功率密度 LDO 具 40μVRMS噪声和高达 +150℃的H级温度范围

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation)推出 LT1965的 H级、更宽温度范围新版本，该器件是一款高功率密度 1A LDO。该 IC在满负载时具有仅为 300mV的低压差电压、1.8V至 20V的宽 VIN能力和 1.2V至 19.5V的可调输出。仅为40μVRMS的低输出噪声降低了仪器、RF、DSP和逻辑电源系统的噪声，而且有利于后置稳压开关电源。在电压、负载和温度范围内，输出容限严格调节至 ±3% 以内。该器件 500μA(工作时)和低于 1μA(停机时)的低静态电流使其非常适用于需要高输出驱动能力和低电流消耗的应用。

LT1965稳压器可采用小至10μF的低ESR陶瓷输出电容器来优化稳定性和瞬态响应。这类纤巧的外部电容器无需配合任何串联电阻就可使用，而其他很多稳压器采用串联电阻则十分常见。内部保护电路包括电池反向保护、无反向电流、折返电流限制和热量限制。就需要很大输入至输出压差的应用而言，LT1965提供了非常紧凑和热效率很高的解决方案。

LT1965 H级版本的额定工作节温范围为 -40℃至 +150℃，采用扁平 (0.75mm)8引线 DFN(3mm×3mm)封装、表面贴装 DDPak功率封装和 TO-220功率封装。