宏力半导体发布先进的0.18μm45 V LDMOS电源管理制程
2010-04-04
电子工业专用设备 2010年1期
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)专注于差异化技术的半导体制造业领先,发布基于其稳定的0.18μm逻辑平台的先进45 V LDMOS电源管理制程。
与传统线宽相比,0.18μm逻辑平台使得更高集成度的数字电路成为可能,从而可以适用于SoC和智能电源。宏力半导体成熟的0.18μm逻辑制程配备了具有高精准模型的完整设计工具包,极大地缩短了产品的设计周期,加速客户产品的投产。此外,该0.18μm逻辑制程还分别提供了通用逻辑和低功耗逻辑平台供客户选择。
通过优化器件的布局、注入和热处理过程等特定步骤减小了Rdson(导通电阻),45 V NMOS和PMOS的导通电阻分别约为70 mΩomm2和160 mΩomm2。导通电阻的减小可以使电源芯片功率驱动部分的面积缩减10%~40%,客户因此可以为电源管理应用提供更加有效的解决方案。
除此以外,模块化制程也更加灵活。1.8 V的器件可以易于添加或者移除,可适用于客户的特殊要求。除了标准的5 V器件外,根据客户的特定设计,3.3 V也可以用来备选。其他诸如M iM,HR和Bipolar等器件也可供客户选择。
关于宏力半导体
宏力半导体是一家专业半导体代工厂,致力于提供高品质服务和先进增值技术,包括嵌入式非挥发性记忆体、高压、低漏电工艺等。公司于2003年投产,一直是业内成长最快的公司之一。公司位于上海浦东张江高科技园区,员工超过1,600人。上海联和投资有限公司、香港长江实业及和记黄埔是宏力半导体的主要投资方。其他主要投资方还包括美国超捷,日本三洋,及私募资金湛思国际和UCL Asia。