晶圆键合设备对准和传送机构研究综述

吴尚贤，王成君，王广来，杨道国

（1.桂林电子科技大学机电工程学院，广西桂林 541004；2.中国电子科技集团公司第二研究所，太原 030024）

0 引言

在摩尔定律以及市场大环境的推动下，集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）已经得到了快速发展。在后摩尔时代，集成电路逐渐从传统的2D 集成电路向3D 集成电路过渡[1]。相较于2D 集成电路，3D 集成电路的密度更高且功耗更低，同时带宽也更大[2]。3D 集成电路就是将芯片或晶圆在垂直于芯片或晶圆的平面上进行堆叠[3]，因此3D 集成电路与2D 集成电路的最大区别就是3D 集成电路可以大幅提高元器件集成度和单位体积的功耗密度[4]。目前，采用全新架构的3D 集成技术推动了半导体行业的发展，而不同类型器件（如传感器、存储器、处理器以及逻辑器件等）的复杂集成都离不开3D 集成这一核心技术[5]。目前，3D 集成技术仍存在键合完整性、晶圆级对准精度、层间互连以及晶圆减薄与均匀性控制的问题尚待解决[6]。

MEMS 是通过氧化、光刻、扩散和外延等半导体工艺，将传感、执行、信号处理和电路控制等功能集成在微小型系统或器件中，主要包括传感器和执行器两大类产品[7]。MEMS 器件通常都具有可动结构，在后道工序组装以及实际应用的过程中，经常受到外力冲击以及环境气氛、颗粒和湿度等外部因素的影响[8-9]，因此需要对MEMS 器件进行封装处理，以保证其中的可动结构与外界环境完全隔离。多数MEMS 传感器（如加速度计、压力传感器、陀螺仪、磁力计、射频开关和滤波器等）通常是以谐振器为基础，需要进行气密或真空封装以保证MEMS 器件的性能和稳定性。MEMS 封装成本占MEMS 器件生产总成本的90%以上，因此MEMS 封装对于MEMS 传感器与执行器的性能优化和实用化都至关重要[9-10]。

随着MEMS 晶圆级封装键合技术与集成电路制造技术的逐渐融合，晶圆级封装键合技术已经逐渐成为实现存储器、射频器件和逻辑器件等部件的3D 堆叠（同质/异质集成）以及提升器件性能、降低系统功耗和制造成本的重要解决方法。为了满足集成电路高密度与高性能的发展需要，突破国内研发能力不足的瓶颈，实现2D 集成电路向3D 集成电路的方向发展，国内众多企业、高校以及研究所已经开展对晶圆级封装键合技术的研究[11]。本文就晶圆键合工艺与设备、晶圆键合对准机构和传送机构以及国内外主要晶圆键合设备厂商3 个方面进行综述。

1 晶圆键合工艺与晶圆键合设备

在进行晶圆键合时，晶圆键合设备能够使2 片洁净且光滑（表面粗糙度小于0.5 nm）的同质/异质晶圆通过物理或化学方法紧密地连接，并达到一定的连接强度，同时还能够满足电子元件间互连、集成以及封装的功能。目前，晶圆键合设备已经广泛应用于光电器件、电力电子器件、射频器件、MEMS 器件以及3D集成电路等领域的先进封装制造[12]。在晶圆键合过程中，晶圆的对准精度以及键合温度与压力的控制对晶圆键合效果具有十分重要的影响，因此合理控制晶圆键合参数是目前晶圆键合设备优化的重点。

在晶圆键合工艺中，首先需将晶圆进行表面预处理、清洗以及对准，然后根据不同需求采用不同方法对晶圆进行键合，最后对键合好的晶圆进行分析处理。其具体操作步骤为：①对盖板与电路板进行预处理；②在真空环境下或气密环境下对盖板吸气剂进行激活；③在真空环境下或气密环境下对盖板与电路片进行键合；④将键合好的盖板进行切割；⑤完成终切。根据键合的方式可将晶圆键合分为永久键合和临时键合。2 片晶圆键合时，界面之间的原子在外力作用下反应形成化学共价键并使键合界面达到一定的键合强度，即永久键合。电子器件之间的封装键合必须是永久的，并且还需要提供牢固的热、电和机械连接，因此封装业界通常采用永久键合。而临时键合就是在临时载板或功能晶圆上通过压合、黏贴或旋涂等方法制造1层中间层材料作为键合黏合剂，再将功能晶圆与临时载板对准后完成键合。临时键合主要是为超薄晶圆提供足够的机械支撑和保护，完成临时键合后再对功能晶圆进行减薄，能够使晶圆顺利完成后续的工艺流程。

典型的晶圆键合设备包括等离子体模块、清洗模块、对准模块、键合模块和冷却模块5 个组成部分，如图1 所示。键合设备的前端接口通常是由产线晶圆尺寸所决定的，而目前大多数键合设备都是针对200 mm的晶圆进行设计的，其具有4 个载片盒承载台，并配备了机械臂传动装置，设备内部还可以通过超高效空气过滤器（ULPA）对内部环境进行净化。随着300 mm 晶圆工艺逐渐走向成熟，半导体设备厂商也开始采用统一的前开腔体（FOUP），并配备了前端自动化模块（EFAMs）。FOUP 与EFAMs 的应用实现了晶圆、工艺模块与物料传输单元、机械臂3 个部分的隔离，使系统的净化程度达到了更高的水平[13]。

图1 典型晶圆键合设备[13]

2 晶圆键合对准机构与传送机构

在进行晶圆键合的过程中，晶圆键合设备中的对准机构和传送机构是其中最为重要的2 个部分。晶圆键合对准机构是通过晶圆表面的对准标记将上下2 片晶圆进行对准，而晶圆键合传送机构是用来夹持对准后的堆叠晶圆并将其传送至键合腔体中，因此对晶圆键合对准机构和传送机构进行优化是目前晶圆键合设备的发展趋势。

2.1 晶圆键合对准机构

在进行晶圆键合时，不同种类键合方法的要求不同，晶圆对准机构也略有差异，常用的晶圆对准机构如图2 所示。为了满足晶圆之间对准工艺的要求，将第一片晶圆面朝下放入到晶圆对准卡盘上并将其传送到晶圆对准机构中，晶圆沿着Z 轴向上移动，直到被顶部的夹具吸附固定。该固定晶圆将作为后续对准工艺的基准，即后续晶圆对准的起点。

图2 常用的晶圆对准机构[13]

在标准对准工艺中，如果2 个标记之间的距离较小，就会对晶圆对准时产生的旋转误差、移位误差以及X 轴和Y 轴方向的位置误差更为敏感，因此可以适当增加2 个标记之间的距离以提高晶圆的对准精度。如果步进光刻机的步进距离设置不合理，则会在水平方向上产生最高0.1 μm 的偏移，那么晶圆就会产生位移误差，因此要合理设置步进光刻机的步进距离。此外，在对准的过程中，还有一些值得关注的问题。首先，在通过显微镜寻找第一片晶圆上的对准标记的过程中，显微镜不能超过传送夹具两侧的边界，且传送卡盘上开口的尺寸和位置也需要根据晶圆对准标记进行人为调整。其次，在第二片晶圆放入到载片机的过程中，插入对准夹具时需要避免刮伤衬底表面，同时还要使对准台沿X 轴和Y 轴方向移动或进行θ 角度旋转，以便于将2 片晶圆上的对准标记精确地对准和套刻。最后，2 片晶圆完成对准后，在通过垫片和卡箍放置的过程中，垫片和卡箍要处于晶圆的隔离区域，并适当调整夹具以确保卡箍将2 片晶圆固定。同时，还要适当调整对准设备以确保对准过程中的精度，这样才能保证对准台能够平稳流畅地运行。此外，对准过程中还需要进行楔形误差补偿（WEC），以保证2 片晶圆能够完全地平行。

通常这些用于对准的校准晶圆表面都有对准标记和对准游标，可以重复使用，仅需通过显微镜进行观察便可完成套刻精度的检测。若出现系统偏差，则需要通过设置偏移的方法对对准精度进行补偿，这一方法通常用于有位移误差的晶圆中。

目前，许多学者对晶圆键合对准设备展开了研究。武春晖等[14]在高真空环境下对晶圆对准视觉成像及数据传输进行了研究，将镜头固定在ZBS-500 真空设备中（如图3 所示），当真空度分别为4.1×10-3Pa 和1.5×10-3Pa 时，相机的连续工作时间分别为95 min 和12 h，真空度越高，相机的连续工作时间越短。而当真空度为4.3×10-3Pa 时，相机进行间歇式工作（相机每隔10 min 运行5 min），累计工作时间可达140 min，相机表面最高温度仅为23 ℃。因此在进行晶圆键合对准过程中，可采用间歇式的工作方式代替传统的连续式工作方式，有效控制相机的温度，避免相机由于温度升高导致的工作异常，从而提高相机在对准过程中的可靠性。当真空度为2.5×10-1Pa、波长为960～990 nm时，能够获得清晰标识的图像，且数据传输没有问题（采用USB 2.0 接口）。然而，在晶圆键合对准的过程中，相机的间歇性工作虽然可以有效控制相机的温度，但将导致相机的工作效率降低。未来可以考虑增加相机的数量或在相机外壳处添加散热装置，在有效控制相机温度的同时提高相机的工作效率。

FAN 等[15]采用了基于莫尔条纹的光栅标记和数字光栅，显著提高了对准过程中上下2 片晶圆的偏差对准精度，该晶圆键合对准机构如图4 所示，该设备能够将估计误差控制在10 nm 以内，同时还能够满足高精度键合的全部要求，其计算效果和速率优于市面上大多数图像处理软件，因此该晶圆对准机构更加有利于晶圆键合后续工艺的进行。此外，所设计的光栅标记由于足够小，可为后续在晶圆上刻蚀电路的工序留下更多的空间。同时，该晶圆标记还可以通过多种方法不断地优化摩尔信号，从而通过调整叠加的数字光栅来获得最佳的结果，且能同时计算3 个自由度的结果。该工艺还减少了键合工序，不仅降低了成本，还大大提高了整体容错率和后续键合的可靠性。然而，基于莫尔条纹的光栅标记和数字光栅的方法需要合理控制上下2 片晶圆之间的距离，此外其产生的衍射效应会导致图像的效果较差，这些都需要在未来的研究中继续改进。

文献[16]于2022 年提出了1 种晶圆键合对准装置，如图5 所示。现有的键合对准装置均采用图像识别方式，需要在晶圆和载片上印制对位标记，对准结构和操作步骤都比较复杂，还存在设备成本高和工作效率低的问题。而该晶圆键合对准设备操作简单，通过控制旋柄使从动凸轮转动，并将4 根滑柱向外顶推，使4 个托柱向外移动一定距离；然后将待键合载片放置在托件台阶上，控制4 个分离垫片向内滑动一定距离，再将待键合晶圆放置在4 个分隔垫片上；然后通过控制旋柄将4 根滑柱错开，并使其在回位弹簧的拉动下向内回位，即可完成载片和晶圆的对准。该晶圆键合设备仅通过从动凸轮的转动、回位弹簧的回位以及隔离垫片的滑动，就能完成载片和晶圆的对准，具有设备成本低和工作效率高的优点。然而该晶圆键合对准装置的精度相对于光学对准而言还是比较低的，因此在精度较高的晶圆键合过程中，仍需采用光学对准。此外在光学对准的过程中，对准标记的成像效果容易受到噪声、光照、视觉传感器以及光学镜头等因素的影响，导致对准标记的成像效果受到制约，因此未来需要对晶圆对准标记的识别算法展开全方位研究[17-20]。

图5 晶圆键合对准装置结构[16]

通过对以上3 种不同的晶圆对准设备进行分析，发现在晶圆键合对准的过程中，会出现相机温度过高、图像质量较差和对准精度较低的问题，可以考虑使用散热装置对相机进行散热、改善衍射效应导致的图像质量下降以及提高机械传动精度等途径加以解决。

2.2 晶圆键合传送机构

在晶圆键合的过程中，通常先通过对准机构将2片晶圆对准，然后再使用传送夹具将对准完成的晶圆传送到键合腔中，其在晶圆传送的过程中能够起到固定上下2 片晶圆的作用，故传送夹具对于晶圆的对准精度有很大影响。常用的晶圆传送夹具如图6 所示。通常情况下，夹具通过3 个方向来固定晶圆，这不仅是因为3 点可以确定1 个平面，而且还可以避免晶圆在夹持的过程中出现弯曲变形。在晶圆固定的过程中，需要保持夹具和晶圆在垂直方向上的对准，避免剪切应力造成的晶圆偏移。

图6 常用的晶圆传送夹具[13]

晶圆传送夹具需通过对夹具的夹持力度、高度以及运动方式的调整，让2 片晶圆完全地固定在一起。在夹持固定晶圆的过程中，不仅夹持点的夹持和释放要保持同步，而且隔离垫片的释放也要保持平稳和同步，因此需定期对传送夹具的性能进行测试。此外，2片晶圆之间还需要插入分离夹具或隔离垫片。此时上下2 片晶圆保留了一定的间隙，这不仅可以作为某些气体的排出通道，还可以在升温时为去除键合面的氧化层提供便利。晶圆传送夹具上最重要的2 个部件是卡箍和隔离垫片，隔离垫片不仅要保证其线性的运动轨迹，还要保证其在移动的过程中不能划伤晶圆的表面，因此对于对准精度的影响十分巨大。在传统晶圆键合夹具释放固定晶圆的过程中，通常利用键合机中间的顶针对上层晶圆中心施加压力，同时还能起到固定上下2 片晶圆的作用。但该顶针仅能在2 片晶圆的中心点起到固定作用，因此将隔离垫片撤回时，2 片晶圆的位置会发生移动和偏转，从而对对准精度产生一定影响。由于传统晶圆键合夹具存在诸多问题，目前常用的是3 点固定式夹具，该夹具可以通过调整卡箍和隔离垫片的运动过程实现卡箍和隔离垫片的分步移除。

许多学者对晶圆键合卡盘展开了研究。在晶圆吸附的过程中，存在晶圆键合位置不准的问题，为了解决这一问题，文献[21]提出了1 种晶圆键合卡盘装置，如图7 所示。该键合卡盘位于键合腔中，可分为吸附区域和吸附区域外围的感应区域，位于吸附区的装载顶针可以调整待键合晶圆的位置，使其位于吸附区域的中心，而面向外围感应区域的多个感应器可以通过接收的反射信号来确定待键合晶圆的位置，帮助装载顶针对待键合晶圆的位置进行调整，有助于提高后续晶圆对准的效率，最终提高晶圆的键合效果。顶针的位置和数量需要根据实际情况确定，要保证待键合晶圆能够在一定范围内旋转和平移，以提高晶圆键合的对准精度，还要根据传感器的大小合理控制吸附区域外围的面积，以减小晶圆键合卡盘的占用空间。

图7 键合卡盘装置结构[21]

在晶圆真空吸附的过程中，由于晶圆表面可能存在不平整的情况，因此在转移晶圆的过程中，空气会通过边缘进入真空载具导致晶圆无法被可靠地吸附。为了解决这一问题，文献[22]提出了1 种晶圆真空吸附系统，如图8 所示。该晶圆真空载具在工作的过程中，通过真空吸盘主体上的吸附体抽气孔抽真空，同时吸附晶圆的翘曲部位并带动翘曲部位朝其反方向移动，再通过吸附体对晶圆施加外力，使发生翘曲的晶圆变得平整，从而使晶圆能够更好地贴合真空吸盘主体。因此当真空吸盘主体抽真空时，能够将晶圆吸附得更牢固，从而提升晶圆转移安全性。然而，由于晶圆翘曲出现的位置不完全相同，设置晶圆吸附体的位置需要根据晶圆翘曲的位置进行调整，这样才能保证晶圆被完全吸附。同时，还要提高吸附体的吸附效果，以保证晶圆完全平整。

图8 晶圆真空吸附系统结构[22]

目前常用的晶圆键合装置仅能将1 对晶圆进行键合，当进行多对晶圆键合时，存在键合时间长和工作效率低等缺点，为了能够快速进行多对晶圆的键合，文献[23]提出了1 种堆叠式多对晶圆键合装置，如图9所示。在使用该晶圆键合装置的过程中，先将最下方的卡盘反面朝上放入对准机台中，将第一片晶圆与卡盘对准结合，并将第二片晶圆与第一片晶圆对准结合，通过间隔片和卡锁将对准后的2 片晶圆进行固定，取出卡盘并正面朝上放在底部控温承重组件上，并按上述方法依次将后面的晶圆对固定在卡盘上，然后将相邻2 个卡盘之间接入弹簧，便可继续完成后续键合工艺。该装置能够减小晶圆级键合的成本，极大程度提高多对晶圆的键合效率。然而，该设备由于同时对多对晶圆进行键合，相较于单对晶圆键合设备要占据更多的空间，因此很难配备精度相对较高的光学对准模块。未来可以在该堆叠式晶圆键合装置内部配备占用空间较小的微型光学对准模块，在保证对准精度的前提下对多对晶圆同时进行键合。

图9 堆叠式多对晶圆键合装置结构示意图[23]

在进行晶圆吸附的过程中，存在晶圆位置不能单独控制的问题，为了解决这一问题，文献[24]提出了1种改进键合卡盘的键合设备，如图10 所示。该键合卡盘能够提高晶圆对准精度。该卡盘包括盘体和控制装置，盘体内设有真空吸附区并沿至少2 个方向排布；控制装置与真空吸附区关联，用于控制不同径向的真空吸附区彼此独立运行。该卡盘包括3 种晶圆位置的控制方式，一是真空吸附区至盘体中心O 的距离相等；二是在控制方式一的基础上将4 个真空吸附区旋转45°，即第一径向为45°和225°的方向，第二径向为135°和315°的方向；三是在控制方式一的基础上，2 个径向由垂直改为呈1 个锐角。通过上述3 种方式就能满足不同类型晶圆的需求。该键合卡盘的优点在于能够控制不同径向的真空吸附区彼此独立运行且互不影响，从而可实现对不同径向上晶圆所在位置的单独控制和精确调整，提高晶圆对准精度，最终提高晶圆键合的可靠性。此外，将该键合卡盘设计成圆形还可以减少空间的占用。

图10 1 种改进卡盘的键合设备结构[24]

在进行晶圆键合时，存在补偿效果不佳和对准精度不高的问题，为了解决这些问题，文献[25]提出了1种新型晶圆键合设备，如图11 所示。该晶圆键合设备包括第一卡盘、第二卡盘、K 个真空管路、控制器以及键合执行单元，且第一卡盘或第二卡盘表面具有沿卡盘表面所在圆周向分布的N 个吸附区域，每个吸附区域至少与1 个真空管路连接。而控制器与K 个真空管路连接，通过真空管路从吸附区域分别控制第一卡盘和第二卡盘对第一键合晶圆对中对应晶圆的吸附时长和吸附力大小，实现待键合晶圆对的多个不同方向的缩放补偿，其能够较好地满足不对称键合对准标记的形变纠正需求，能大大提高补偿效果，并提高对准时的对准精度，从而提高晶圆键合的可靠性。然而，其中的K 个真空管路和N 个吸附区域需要根据实际情况进行确定，同时还要保证真空管路域控制器连接的可靠性。

图11 晶圆键合设备结构[25]

上述文献对晶圆键合位置对准、晶圆吸附、多对晶圆键合、晶圆位置控制和对准精度等问题进行了改善。由于对准规范要求的日益严苛以及夹具在对准过程中起到的重要作用，目前传送夹具都是按照统一的标准进行制造、设置和测试的，在测试过程中不仅要保证卡箍和隔离垫片的精度，还要保证夹具表面的平整和光洁。

由于夹具和晶圆的热膨胀系数不匹配，晶圆键合过程中经常会出现热膨胀的问题，因此通常采用与硅的热膨胀系数相匹配的材料来制作夹具。当晶圆和热膨胀系数与其相匹配的夹具表面直接接触时，由晶圆与夹具引发的热膨胀变形而产生的剪切应力对键合的影响会小很多。未来晶圆键合也可以采用静电吸附技术，使用静电吸盘来代替现有的键合夹具（卡箍和隔离垫片），但是由于键合过程中存在热膨胀的问题，静电吸盘的吸附面也要采用与硅的热膨胀系数相近的绝缘层介质。

3 主流晶圆键合设备厂商的相关设备

国际晶圆键合市场已经较为成熟，其中奥地利、德国和英国等发达国家有丰富的晶圆键合设备产线，而我国市场还处于发展阶段，随着中国半导体行业的快速发展，未来我国将成为晶圆键合设备消费的主力。目前国际主流的晶圆键合设备厂商有奥地利EVG公司、德国SUSS MicroTec 公司、英国AML 公司以及日本的Ayumi Industry 公司，而国内主流厂商仅上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）1 家。

奥地利EVG 公司的主流设备适用于金属键合[26]（瞬态液相键合、共晶键合和热压键合）、玻璃熔融键合、阳极键合、胶键合和临时胶键合等，可以提供半自动晶圆键合系统（如EVG501、EVG510 和EVG520 IS）以及全自动键合系统（如EVG540、EVG560、EVG GEMINI 和 EVG ComBond）。其最新的 EVG ComBond 晶圆键合系统采用了最先进的晶圆活化技术和高真空处理技术，能够实现晶圆之间几乎任何形式的键合。德国SUSS MicroTec 公司同样可以提供自动晶圆键合机（XBS200 和XBS300）以及半自动晶圆键合机（SB6/8 Gen2 和XB8）。其半自动键合机的键合力最高可达100 kN，键合温度最高可达550 ℃，可以满足绝大多数键合工艺的要求。英国AML 公司作为英国最大的晶圆键合设备制造商，其AWB04&08 平台可用于2～8 英寸晶圆的键合，其电压最高可达2.5 kV，键合温度最高可达560 ℃，键合力最高可达40 kN，原位对准精度可达1 μm，可适用于阳极键合、共晶键合和直接键合等多种键合工艺。日本Ayumi Industry 公司的键合设备分为热键合设备、表面活化键合设备、阳极键合设备、晶圆键合设备以及还原键合设备。SMEE 晶圆键合设备主要分为SWA 系列和SWB 系列，其中SWA 系列能够满足各类基底的键合对准需求，其采用了面对面的对准方式，对准精度<±2 μm；而SWB 系列最大可键合300 mm 的晶圆，其最大接触压力为60 kN，最高键合温度为550 ℃，可用于有机胶键合、玻璃浆料键合、共晶键合和阳极键合等工艺。

EVG 公司的晶圆键合设备采用了光学对准和机械对准技术，其中光学对准可分为面对面对准和背面对准，面对面对准包括透明对准、红外对准以及SmartView 对准，机械对准可分为不同基板尺寸的对准和相同基板尺寸的对准。

在晶圆对准的过程中，SUSS MicroTec公司的SUSS XB8 晶圆键合机的中心销不受夹具打开和闭合的影响，不仅能够在受控的气氛中进行熔融键合，而且能够在抽气和垫片移除时保持晶圆位置的对准，以实现最佳的键合效果。此外，为了确保均匀的键合效果，可以预先加载一个键合力。而SUSS SB6/8 Gen2 晶圆键合机在有无中心销的情况下均能键合，在无中心销键合的过程中仍能提供理想的键合温度并保证键合力的均匀性，以达到良好的键合对准效果。而在有中心销键合的过程中，中心销与晶圆中心点进行接触，能够保证键合结构热膨胀后的良好对准。在晶圆传送的过程中，其打开夹具、闭合夹具以及多键合夹具的结构基本相同。打开夹具因其具有最小接触面积且能支撑芯片的输送环，能够最大程度地提高晶圆和工具板之间的接触，以实现最佳的温度均匀性，同时其较低的热容量也保证了从键合腔卸载夹具后的最小冷却时间。此外，其最佳的加热和冷却速率也是高产量设备的最佳选择。闭合夹具具有集成SiC 工具的运输环，能够使晶圆得到充分的支撑和保护，所以也是处理不规则形状衬底以及易碎和敏感材料（如钽酸锂）的理想选择。而多键合夹具与特殊加载和机械对准系统共同使用，能够支持多晶圆键合以及多种晶圆尺寸键合，可以在同一键合周期内键合多个晶圆，最大限度地提高整个系统的效率。

4 总结与展望

本文对晶圆键合工艺、晶圆键合设备以及其中的对准机构和传送卡盘进行了综述。目前，业界已针对晶圆键合对准机构的成像效果与传输速率、晶圆快速对准、晶圆键合传送夹具的卡盘吸附调整、卡盘真空吸附不平整晶圆、多对晶圆键合卡盘、不同方向真空吸附的独立控制和卡盘对准精度补偿等方面进行了广泛的研究，但是仍然存在晶圆键合对准机构的相机工作效率低、图像效果差和对准精度低，传送机构的卡盘占用空间多、吸附不完全和吸附效果差、多对晶圆占用空间大和键合效果差、卡盘结构复杂和连接管路可靠性差等问题。如今，高端晶圆键合设备正面临“卡脖子”的风险，针对晶圆键合设备对准和传送机构的关键技术研究与设备国产化是未来发展的重点。