化学镀Co-P和Co-Mo-P薄膜的结构与耐腐蚀性能
2022-04-20吴芳,王伟
吴 芳,王 伟
(1. 河南财政金融学院人工智能学院,河南 郑州 450046;2. 郑州工程技术学院信息工程学院,河南 郑州 450044)
功能性金属薄膜因具有优良的物理化学特性,在航空航天、微机电系统和电子等领域有着良好的应用前景[1]。化学镀具有工艺简单、成熟稳定、镀层均匀且厚度可控等优点,相比于电镀技术,在制备功能性金属薄膜方面受到更多的关注。目前,化学镀制备Ni 基薄膜(如Fe-P薄膜、Co-Fe 薄膜、Ni-W-P 薄膜等)和 Co 基薄膜(如Co-P 薄膜、Co-Ni-P 薄膜等)并对它们的性能进行研究,已有较多报道[2-8],主要集中在镀液主要成分、工艺条件和后处理对薄膜结构与性能的影响。
Co-Mo-P 薄膜是一种Co 基三元合金薄膜,引入Mo 元素能调控Co-P 薄膜的性能,有利于拓展Co-P 薄膜的应用前景。目前,关于Co-Mo-P 薄膜的制备及性能研究的报道很少。笔者采用化学镀技术制备Co-Mo-P 薄膜,同时制备Co-P 薄膜作为对照,着重研究Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的结构与耐腐蚀性能。
1 实验方法
1.1 薄膜制备
基体45#钢片,尺寸为35 mm×14 mm×1.5 mm。在化学镀前,钢片先经砂纸打磨、碱液除油、稀盐酸浸蚀、去离子清洗和冷风吹干处理。
Co-P薄膜的化学镀液组成为:乙酸钴14 g/L、柠檬酸钠72 g/L、次亚磷酸钠30 g/L、氯化铵12 g/L;工艺条件为:温度95 ℃、时间120 min。
Co-Mo-P 薄膜化学镀液组成为:乙酸钴14 g/L、钼酸钠6 g/L、柠檬酸钠72 g/L、次亚磷酸钠30 g/L、氯化铵12 g/L;工艺条件:温度95 ℃、时间120 min。
1.2 表征测试
两种薄膜的表面形貌采用Merlin Compact型扫描电镜表征,成分采用X-max 50型能谱仪分析。薄膜相结构采用D8 Advance 型X 射线衍射仪进行表征,扫描速率为8 °/min,角度范围20~90 °。
两种薄膜的电化学腐蚀性能采用Parstat 2273型电化学工作站测试,其中,极化曲线扫描速率为1 mV/s,采用PowerSuite 软件拟合得到腐蚀电位(Ecorr)和腐蚀电流密度(Jcorr);交流阻抗谱扫描频率范围 0.01 Hz~100 kHz,采用 ZSimpWin 软件拟合得到电荷转移电阻(Rct)。
薄膜的腐蚀形貌也采用扫描电镜观察,腐蚀介质选用3.5%的氯化钠溶液,浸泡时间24 h。
2 结果与讨论
2.1 薄膜的形貌和成分
图1 为 Co-P 和 Co-Mo-P 薄膜的表面形貌,可知在基体表面形成了均匀、覆盖完整的薄膜材料。可以看出,Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的表面形貌相似,都分布着很多形态不规则的颗粒。Co-P 薄膜表面的颗粒尺寸较大,而Co-Mo-P 薄膜表面的颗粒尺寸较小且均匀,平整度较好。
图1 Co-P和Co-Mo-P薄膜的表面形貌Fig.1 Surface morphology of Co-P and Co-Mo-P thin films
表1 为 Co-P 和 Co-Mo-P 薄膜的成分,可知 Co-P薄膜的元素组成为Co、P 和C,其中Co 元素质量分数达到82%左右,P质量分数为5.57%。Co-Mo-P薄膜的元素组成为Co、P、Mo和C,Co元素质量分数同样最高,达到83%左右,P 元素质量分数为4.01%。两种薄膜中的C元素可能是薄膜表面吸附所致。
表1 Co-P和Co-Mo-P薄膜的成分Tab.1 Components of Co-P and Co-Mo-P thin films
2.2 薄膜的相结构
图2(a)为 Co-P 和 Co-Mo-P 薄膜的 X 射线衍射图谱。可见在衍射角2θ为45.12°、65.9°、83.4°处,两种薄膜的图谱中都出现了三个尖锐峰,对应的晶面分别为(210)、(022)、(411),其中(210)晶面的相对衍射强度较高,(022)的相对衍射强度较低,这说明Co-P和Co-Mo-P薄膜都为晶态结构。
根据文献[9]中的公式,得到 Co-P 和 Co-Mo-P 薄膜各晶面织构系数如图2(b)所示。可知两种薄膜的各晶面织构系数由大到小排序均为TC(210)>TC(022)>TC(411),Co-P 和 Co-Mo-P 薄膜都呈现(210)晶面择优取向。
图2 Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的X 射线衍射图谱和各晶面织构系数Fig.2 X-ray diffraction pattern and texture coefficient of each crystal plane of Co-P and Co-Mo-P thin films
2.3 薄膜的耐腐蚀性能
2.3.1 极化曲线
图3 为Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的极化曲线,表2为Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的腐蚀电位和腐蚀电流密度。可知Co-Mo-P 薄膜的极化曲线相对于Co-P 薄膜向左上方偏移,腐蚀电位正移约23 mV,腐蚀电流密度降低了60.5%。这说明Co-Mo-P 薄膜的耐腐蚀性能较好。原因是Co-Mo-P 薄膜表面平整且较致密均匀,能更有效地阻止腐蚀介质通过薄膜中的缺陷向薄膜与基体界面扩散。
图3 Co-P和Co-Mo-P薄膜的极化曲线Fig.3 Polarization curves of Co-P and Co-Mo-P thin films
表2 Co-P和Co-Mo-P薄膜的腐蚀电位和腐蚀电流密度Tab.2 Corrosion potential and corrosion current density of Co-P and Co-Mo-P thin films
2.3.2 交流阻抗谱
为了进一步比较Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的耐腐蚀性能,测试了交流阻抗。图4 为Co-P 和Co-Mo-P薄膜的交流阻抗谱,可见Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的Nyquist图都呈现近似半圆的容抗弧,位于第一象限内。Co-Mo-P 薄膜的容抗弧半径明显大于Co-P 薄膜,说明其阻抗较大,具有较好耐腐蚀性能。Co-P薄膜的电荷转移电阻约为546.8 Ω·cm2,而Co-Mo-P薄膜的电荷转移电阻达到783.6 Ω·cm2,提高约236.8 Ω·cm2。较高的电荷转移电阻说明Co-Mo-P薄膜电荷转移的速率较低,发生氧化还原反应得失电子的难度大[10,11]。同时也反映出Co-Mo-P薄膜对腐蚀性离子扩散具有较强的阻碍作用,进一步证实Co-Mo-P薄膜的耐腐蚀性能优于Co-P薄膜。
图4 Co-P和Co-Mo-P薄膜的交流阻抗谱Fig.4 EIS of Co-P and Co-Mo-P thin films
2.3.3 腐蚀形貌
图5 为Co-P 和Co-Mo-P 薄膜的腐蚀形貌。可见Co-P薄膜表面的颗粒因腐蚀导致形态残缺,并且局部碎裂凹陷,与腐蚀前相比表面更加粗糙。而Co-Mo-P 薄膜基本保持原始形态,未因腐蚀导致明显破坏,与腐蚀前相比表面平整度未发生显著变化。可知Co-P 薄膜的腐蚀程度较严重,而Co-Mo-P薄膜的腐蚀程度较轻,这与极化曲线和交流阻抗谱分析结果一致。
图5 Co-P和Co-Mo-P薄膜的腐蚀形貌Fig.5 Corrosion morphology of Co-P and Co-Mo-P thin films
3 结论
(1)Co-P 和 Co-Mo-P 薄膜均匀性良好,表面形貌相似,且都呈现(210)晶面择优取向。
(2)Co-Mo-P 薄膜的平整度较好,表面更均匀,能更有效的阻止腐蚀介质扩散与侵蚀,其腐蚀电位相对于Co-P 薄膜正移了约23 mV,表现出更好的耐腐蚀性能。