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锂离子掺杂石墨的第一性原理研究

2022-03-31贺福强徐浩然赖大港

遵义师范学院学报 2022年1期
关键词:结合能键长能带

万 怡,贺福强,徐浩然,赖大港

(贵州大学机械工程学院,贵阳 550025)

近年来,随着人们对环境和能源问题的日益关注,探究环保清洁的可持续性能源迫在眉睫。锂离子电池具有比能量高、循环寿命长、安全性能好等优点,是比较理想的清洁能源。锂电池及其材料已成为世界各国关注的重点,这也是我国能源领域重点扶持的高新技术产业。由于石墨具有高首次效率和高循环稳定性,近30年来一直作为锂离子电池的主要负极之一。

尽管石墨的理论电容量只有372 mAh/g,但因为其化学性质稳定,放电效率较高,在我国资源储量丰富等优点,石墨目前仍然是锂离子电池的主要负极材料。自从锂电池被商品化后,高性能锂电池负极材料也随之成为研究热点。锂电池石墨负极材料只有拥有更高的电比容量和压实密度,才能提高锂电池的能量密度。因此,研究石墨的嵌锂性质非常重要。作者采用第一性原理方法,计算石墨层间嵌入锂离子的结构模型,探究锂离子的掺杂机理、掺杂浓度以及掺杂后石墨的结构和电子性质的变化,为新型高容量锂电池的发展提供思路。

1 理论模型及计算方法

本研究基于建立的石墨材料超晶胞结构,在2×2×1的超晶胞模型中分别采用锂离子插层掺杂和锂离子取代掺杂(选择原子代替)的方式,建立锂离子不同掺杂浓度的计算模型,如图1所示。其中(b)(c)(d)表示一个锂离子掺杂,(e)表示两个锂离子插层嵌入。(b)和(c)分别是锂离子在不同插层掺杂位点(0.333,0.667,0.523)(0.833,0.667,0.974)处嵌入的模型;(d)是锂离子取代一个碳原子掺杂的模型。

图1 超晶胞模型

作者使用MedeA软件中的VASP(Vienna Abinitio Simulation Package)模块进行计算。使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似GGA下,采用PBE泛函来确立交换关联势。对各个超晶胞掺杂模型和本征石墨几何优化,再分别计算其键长、结合能、能带结构和态密度等,分析锂离子掺杂后石墨结构以及电子性质的变化。整个计算的实验参数如下:平面波截断能为420eV,布里渊区K网格点为 6×6×3,范德华力为 DFT-D3 BJ-damping,迭代收敛精度为0.02 eV/Ang。

2 结果与讨论

2.1 不同掺杂方式分析

作者研究了锂离子的不同掺杂方式对石墨结构和电子性质的影响。通过计算,石墨体系的密度为1.710Mg/m3,体积为186.63A3,C-C键长为1.4252Å。为了分析石墨掺杂锂离子后体系的稳定性,对掺杂模型进行几何优化后,计算结合能。结合能0大于0 eV表明该体系的结合需要吸收能量,掺杂后的体系不稳定;结合能0小于0 eV表明该体系的结合需要放出能量,掺杂后的体系比较稳定。结合能的计算公式为:

表1是锂离子不同掺杂方式的性质变化。计算可知,掺杂后石墨C-C键长为1.4252 Å,Li-C键长为1.4252 Å,其余键长未发生变化,表明锂离子无论是插层掺杂还是取代掺杂,并未改变石墨原有结构。主要原因是石墨的结晶格架为六边形层状结构,这种结构较为稳定,不易受锂离子掺杂影响。由表1可知,锂离子不同位点插层掺杂石墨模型体系的结合能为-1.637eV,说明插层掺杂后体系放出能量,结构比较稳定;锂离子取代掺杂模型体系的结合能为21.004eV,说明取代掺杂后体系吸收能量,结构不稳定。实验结果表明,插层掺杂比取代掺杂体系稳定性高,即插层掺杂是锂离子掺杂石墨中最有可能的方式。

表1 不同掺杂方式的性质变化

能带结构和态密度是判断体系电子性质的重要方法。图2为本征石墨的能带结构图、态密度图、不同位点插层掺杂和取代掺杂的能带结构图。能带结构图的横坐标表示K点(倒格空间中的几何点),纵坐标表示能量。从图2(a)可知,本征石墨的费米能级在能量为零的位置左右,能带能量主要分布在-20 eV~7.5 eV,导带主要分布在1.9 eV~7.5 eV,价带主要分布在-20eV~-2eV。计算得知石墨模型超晶胞结构的能带带宽为3.902 eV。从图2(b)可知,本征石墨的能量主要分布在-20eV~10eV,并且大约在-5eV达到最大峰值。能带能量在-5eV处起伏最平缓,在对应的态密度图中该数值的态密度达到最大峰值。

图2 石墨电子性质和不同掺杂方式的能带结构图

锂离子插层掺杂位点不同,对石墨中C原子的能带结构影响不同,导致掺杂后能带带宽有细微差别,这与实验数据相符,不同位点插层掺杂的结合能分别为3.671 eV和3.654 eV。由图2可知,锂离子插层掺杂石墨后,体系的能带整体向下移动;锂离子取代掺杂石墨后,体系的能带整体向上移动。实验数据表明,锂离子掺杂后,石墨各体系的能带带宽减小,插层掺杂分别减小0.231eV、0.248eV,取代掺杂减小2.951eV。这说明电子由价带跃迁到导带更加容易,掺杂锂离子的石墨体系导电性能有所提高。其中,插层掺杂的带宽微弱减小,导电性能改善不明显;取代掺杂的带宽显著减小,导电性能改善明显。

图3是锂离子不同位点插层掺杂和取代掺杂后体系的态密度图。其中,(a)和(b)分别为位点(0.333 0.667 0.523)、(0.833 0.6670.974)的插层掺杂,(c)是取代掺杂。由(a)和(b)可知,锂离子插层掺杂后,石墨的总态密度最大峰值大约下降6 eV,峰波数量和高峰数量减少;费米能级由0 eV附近向负值移动,即能带整体向下移动。由(c)可知,锂离子取代掺杂后,石墨的总态密度最大峰值明显下降,大约下降了11 eV,波峰数量减少,高峰数量增加;费米能级由0 eV附近向正值移动,即能带整体向上移动。图4是锂离子插层掺杂(0.333 0.667 0.523)、掺杂(0.833 0.667 0.974)和取代掺杂的局部态密度图,其中(a)(c)(e)表示 Li的局部态密度,(b)(d)(f)表示离 Li最近的C的局部态密度。可知锂离子插层掺杂后,Li的局部态密度峰值主要分布在-6eV~0eV;对比(a)(b)或者(c)(d)两幅图可以看出,Li和 C 的态密度并没有发生共振,说明锂离子插层掺杂石墨并没有形成Li-C键。锂离子取代掺杂后,Li的局部态密度峰值主要分布在-20 eV~-6 eV之间;对比(e)(f)两幅图可知,Li和C之间发生了共振,说明此时形成了Li-C键。实验数据表明,插层掺杂是锂离子嵌入石墨中最有可能的方式。

图3 不同掺杂方式的总体态密度图

图4 不同掺杂方式的局部态密度

2.2 不同掺杂浓度分析

作者研究了不同插层掺杂浓度对石墨结构和电子性质的影响。建立不同掺杂浓度模型,如图1(b)(c)(e)所示。表2是锂离子在不同插层掺杂浓度时模型性质的变化数据。由表2可知,各体系C-C键长和Li-C键长仍是1.4252 Å,表明锂离子掺杂浓度不会改变石墨原有结构;一个锂离子和两个锂离子掺杂后,石墨体系的结合能分别为-1.637 eV、-2.603 eV,表明石墨在嵌入锂离子后会放出能量,掺杂后的体系结构稳定,稳定程度随着锂离子掺杂浓度的增加而增加。计算单个锂离子的结合能,发现随着锂离子浓度的增加,单个锂离子掺杂的结合能减小,这表明锂离子的嵌入难度随着掺杂浓度的增加而增大。

表2 不同掺杂浓度的性质变化

图5是两个锂离子插层掺杂石墨体系的电子性质图,其中(a)(b)(c)(d)分别表示该体系的能带结构图、总态密度图、Li的局部态密度图、离Li最近的C的局部态密度图。由图5(a)可知,掺杂两个锂离子的石墨能带整体下降更多。随着锂离子掺杂浓度的增加,能带整体不断向下移动,费米能级由0 eV附近不断向负值移动。结合表2可知,石墨掺杂锂离子后的能带带宽减小,表明锂离子的嵌入改善了石墨的导电性能;嵌入石墨的锂离子浓度越高,其体系的能带带宽越小,即锂离子浓度与体系的带宽成反比关系,说明电子从价带跃迁到导带变得更加容易。由此可知,随着合金化程度的增加,掺杂后的石墨导电性能更好。

图5 掺杂浓度为2:16的电子性质

由图5(b)可知,石墨掺杂两个锂离子后,态密度最高峰值大约下降了8.5 eV,波峰数量和高峰数量更少,费米能级向负值移动得更多,即随着锂离子掺杂浓度的增加,总态密度的总体峰值不断下降。由图5(c)(d)可知,此时锂离子的局部态密度峰值主要集中在-6eV~-21eV之间;和掺杂浓度为1:16的结果相同,Li和C的态密度之间没有发生共振,说明此时也没有形成Li-C键。

3 结论

(1)无论是插层掺杂还是取代掺杂,锂离子掺杂后,石墨各体系的C-C键长均为1.4252 Å,与石墨的键长相同,表明嵌锂过程中对原有结构没有影响,说明石墨的结构较为稳定;锂离子插层掺杂和取代掺杂后的结合能分别为-1.637eV、21.004eV,即插层掺杂后的体系稳定,取代掺杂后的体系不稳定,表明插层掺杂是锂离子嵌入石墨中最可能的掺杂方式;插层掺杂后体系的能带带宽分别为3.671 eV和3.654 eV,费米能级由0 eV附近向负值移动,态密度最高峰值下降6eV,高峰数量增加;取代掺杂后能带带宽为0.951 eV,费米能级由0 eV向正值移动,态密度最高峰值下降11 eV,高峰数量减少,表明两种掺杂方式都会减小体系的能带带宽,不同程度地改善石墨的导电性能,其中插层掺杂改善微弱,取代掺杂改善明显。

(2)不同浓度的锂离子嵌入石墨中,Li-C键和C-C键的键长不变,即不改变石墨原有结构;锂离子不同插层掺杂浓度体系的结合能为负值,即掺杂后石墨都可以达到稳定状态。随着锂离子掺杂浓度增加,体系的结合能绝对值变大,表明掺杂浓度越高,锂离子嵌入难度越大;锂离子掺杂浓度越大,能带带宽越小,表明随着锂离子掺杂浓度的增加,电子从价带跃迁到导带更加容易,掺杂后体系的导电性能更好。

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