石墨相氮化碳活化过硫酸钠暗反应降解亚甲基蓝
2020-08-25王丽娟张海潇王全力
王丽娟,张海潇,2,张 锐,王全力
(1.河北工业大学土木交通学院,天津300401;2.中国水电基础局有限公司,天津301700;3.沧州经济开发区行政审批局,河北沧州061099)
染料废水排放量大、有机物含量高且成分复杂,对水环境和人体健康构成巨大威胁, 寻找绿色高效的染料废水降解方法已成为目前的研究重点〔1〕。 硫酸根自由基()是一种单电子氧化剂,其氧化电位(2.5~3.1 V)与传统高级氧化中·OH 的氧化电位(1.8~2.7 V)持平甚至更高,且具有长达4 s 的半衰期(·OH 半衰期为1 μs)〔2〕,与目标污染物有更长的接触时间,能够快速使染料脱色,具有更好的矿化效果,廉价高效、环境友好,在处理难降解有机污染废水领域有广泛应用。通过加热、紫外线和过渡金属离子等方法可激活过硫酸盐(PS)产生,但热、光的活化需要外加能量, 受到设备条件及能耗的制约,金属活化存在二次污染的风险〔6〕。
石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种新型非金属半导体材料,具有良好的化学稳定性,广泛用于光解产氢、光催化还原CO2、光催化降解污染物、光催化杀菌等领域。 g-C3N4在可见光催化条件下光生电子空穴(h+)与氧生成超氧自由基()和羟基自由基(·OH)等活性物种,能够快速降解有机污染物且无二次污染〔7〕,有学者采用g-C3N4、碳纳米管(CNTs)、颗粒活性炭(GAC)等非均相催化剂活化过硫酸盐处理难降解废水〔8-9〕,污染物去除率高、可重复利用,在废水处理领域具有巨大的发展前景及应用潜力。
为进一步拓宽g-C3N4协同PS 降解染料废水的应用范围,克服其光照条件的限制,本研究选择亚甲基蓝(MB)作为目标污染物,探究g-C3N4为催化剂在暗反应条件下活化PS 降解MB 的可行性,讨论了g-C3N4投加量、PS 投加量、温度、初始pH 对MB 去除率的影响,并通过捕获剂淬灭活性自由基实验初步分析反应机理。
1 实验部分
1.1 主要试剂与仪器
亚甲基蓝(MB)、三聚氰胺(C3N6H6)、过硫酸钠(Na2S2O8)、甲 醇(CH3OH)、叔 丁 醇(TBA)、对 苯 醌(BQ)、乙二胺四乙酸二钠(EDTA)、乙醇(C2H5OH)、氢氧化钠(NaOH)、硫酸(H2SO4)均为分析纯,天津大茂化学试剂厂。 实验用水为去离子水。
UPT-1-20T 优普系列超纯水器,成都超纯科技有限公司;pHSJ-4A 精密pH 计,天津市盛邦科学仪器技术开发有限公司;AL204 电子天平,梅特勒-托利多仪器(上海)有限公司;HSX-F300 氙灯光源,北京纽比特公司;SX-G07103 型节能箱式电炉, 天津市中环实验电炉有限公司;UV5800PC 型紫外可见分光光度计,上海元析仪器有限公司;SHA-BA 水浴恒温振荡器, 常州申光仪器有限公司;78-1 磁力搅拌器,江苏金坛市环宇科学仪器厂;Smartlab 型高功率转靶多晶X 射线衍射仪,日本RIGAKU 公司;SU-8010型冷场发射扫描电子显微镜,日本Hitachi 公司。
1.2 g-C3N4 的制备
1.3 催化剂表征
用X 射线衍射仪(XRD)对样品进行分析,扫描范围5°~80°;用扫描电子显微镜(SEM)对样品进行微观形貌分析。
1.4 降解实验
取100 mL 质量浓度为10 mg/L 的MB 溶液于烧杯中,包裹锡纸使其避光,加入一定量g-C3N4磁力搅拌30 min,使催化剂与目标降解物达到吸附-脱附平衡。加入过硫酸钠,持续遮光搅拌,每隔一定时间取样测定溶液吸光度。 样品溶液经过高速离心(3 000 r/min)和1 次水性滤膜(0.45 μm)过滤处理,通过紫外可见分光光度计测定MB 浓度,MB 检测波长为664 nm。
2 结果与讨论
2.1 煅烧温度对催化剂性能的影响
对不同煅烧温度下制备的g-C3N4进行光催化性能分析。取100 mL 10 mg/L 的MB 溶液,分别加入煅烧温度450、500、550、600 ℃下制备的g-C3N40.1 g,遮光30 min 后打开光源开始计时,反应时间定为120 min,结果如表1 所示。
表1 不同煅烧温度制备g-C3N4 的光催化性能
由表1 可见,反应时间120 min,煅烧温度为450~550 ℃时,MB 去除率随煅烧温度的升高而增大,分别为59.44%、67.43%、76.95%,煅烧温度为600 ℃时反应2 h 的MB 去除率为77.39%,较煅烧温度550 ℃时的去除率差距不大。 从经济最优方面考虑,确定g-C3N4最佳煅烧温度为550 ℃,后续实验均选用煅烧温度550 ℃、煅烧时间4 h、升温速率5 ℃/min 制得的g-C3N4。
2.2 催化剂表征
2.2.1 XRD
使用前的g-C3N4催化剂(记为g-C3N4)及循环使用4 次后的g-C3N4催化剂(记为g-C3N4*4)的XRD 图谱见图1。
图1 g-C3N4 及g-C3N4*4 的XRD 图谱
图1 中,13.1°和27.4°处出现衍射峰,分别对应g-C3N4的(100)和(002)晶面〔11〕,表明合成产物为层状类石墨相氮化碳。循环使用4 次后的g-C3N4特征衍射峰右移增大, 表明循环使用后的催化剂层间距扩大,规整性下降。
2.2.2 SEM
g-C3N4、g-C3N4*4 的SEM 照片见图2。
图2 g-C3N4(a)及g-C3N4*4(b)的SEM 照片
从图2 可见,两者均呈不规则的片层堆积结构,大小分布不均匀。高温煅烧得到的g-C3N4催化剂表面更加光滑, 分布更加有序, 可能与其结晶度高有关;循环使用4 次后的催化剂出现团聚现象,粒径变小,且产生孔洞。
2.3 g-C3N4/PS 暗反应去除MB 效果
分 别采 用g-C3N4暗 反应(g-C3N4)、PS 暗 反 应(PS)、g-C3N4协同PS 暗反应(g-C3N4/PS)、g-C3N4协同PS 光反应(g-C3N4/PS+光)4 个体系去除MB,结果如图3。
图3 不同体系对MB 去除效果对比
由图3 可知,暗反应条件下,单独g-C3N4处理对MB 的去除率为8%左右,去除率低;单独PS 在60 min 内对MB 降解率最大值为20.7%,与文献〔9〕可见光下PS 降解MB 的效果相差不大,说明可见光照不是影响PS 活化的因素,且单独PS 体系常温下较为稳定,难以自行活化产生自由基;g-C3N4/PS 暗反应体系中反应10 min 时MB 去除率达到最大值79.26%,60 min 时去除率78.77%,去除效果及效率均明显增加, 暗反应条件下g-C3N4可与PS 相互作用,在短时间内实现MB 的大量去除。 反应进行10 min后去除率略有下降, 可能是因为g-C3N4吸附的MB不能完全被氧化,随着体系中污染物浓度的降低,被吸附的MB 重新释放到溶液中。
g-C3N4/PS 体系在可见光照射下降解MB 10 min时的去除率为72.16%,60 min 时去除率为90.67%,去除率高但反应进程缓慢,在20 min 内的去除速率均明显低于暗反应过程,可能是可见光照射下g-C3N4表面电子跃迁活化PS 产生的SO4·-、·OH 活性基团过多而发生淬灭反应, 从而降低反应速率。 由此可见,g-C3N4/PS 体系暗反应去除MB 时克服了g-C3N4的可见光照限制,提高了反应速率,具有明显的工艺优势,节能环保,效果显著。
2.4 PS 投加量对g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的影响
当MB 质量浓度为10 mg/L,g-C3N4投加量为1.0 g/L,溶液初始pH 为5、反应温度为室温(30 ℃)、暗反应条件下,考察PS 投加量(0.01、0.05、0.1、0.2、0.5、0.8 g/L)对MB 去除效果的影响。 结果显示,当PS投加量由0.01 g/L 增加到0.2 g/L 时,60 min 去除率分别为13.50%、66.38%、75.27%、78.77%,MB 去除率随PS 投加量的增加而增大;PS 投加量为0.5、0.8 mg/L 时,10 min 时的去除率分别为87.55%、90.18%,60 min 时去除率分别为86.69%、88.83%,去除率增大且反应时间缩短,而90.18%较87.55%增加不大,说明反应溶液中的PS 含量已趋于饱和,考虑经济因素,确认PS 最佳投加量为0.5 g/L。
2.5 g-C3N4 投加量对g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的影响
在MB 质量浓度为10 mg/L、PS 投加量为0.5 g/L、溶液初始pH 为5、反应温度为30 ℃、暗反应条件下,探究g-C3N4投加量对MB 去除情况的影响。
不同g-C3N4投加量均在反应10 min 时达到最大MB 去除率,g-C3N4投加量由0.2 g/L 增加到0.8 g/L 时,10 min 最大去除率由89.54%增至92.86%。随着g-C3N4投加量的增大, 提供了更多的PS 活化位点,进而增加体系的活性自由基数量,MB 去除率提高。 当g-C3N4投加量继续增大到1.0、1.2 g/L 时,MB 最大去除率基本不变,为91.88%、91.94%,体系中的g-C3N4与PS 达到平衡,过量g-C3N4不能活化产生更多的自由基,故实验选取g-C3N4最佳投加量为0.8 g/L。 g-C3N4投加量为0.8 g/L 时,60 min 去除率为90.19%,与10 min 时的去除率相差不大,说明g-C3N4/PS 体系降解MB 效果稳定, 且反应时间短。
2.6 温度对g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的影响
在MB 质量浓度为10 mg/L、g-C3N4投加量为0.8 g/L、PS 投加量为0.5 g/L、 溶液初始pH 为5、暗反应条件下,考察反应温度对MB 降解情况的影响,结果如图4 所示。
图4 温度对g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的影响
随着反应温度的升高,MB 降解速率减小:反应在室温(30 ℃)下进行时,10 min 降解率为92.86%,60 min 降解率为90.18%;温度升至40、50 ℃时,60 min降解率分别为62.75%、60.22%。 这可能是由于发生了高温淬灭反应,PS 通过吸收外界能量使分子内的O—O 键断裂生成2 分子量的SO4·-, 过量SO4·-会相互消耗生成弱氧化剂〔见式(1)~(2)〕;温度升高也会降低溶液内溶解氧的含量,进而减少O2·-的生成,消耗体系内的活性基团。 由此说明,g-C3N4/PS 暗反应降解MB 在常温下即可进行,无需外加能量。
2.7 初始pH 对g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的影响
在MB 为10 mg/L、g-C3N4投加量为0.8 g/L、PS投加量为0.5 g/L、反应温度为30 ℃,暗反应条件下,探究不同初始pH 对MB 降解情况的影响。
pH 分别为3、5、7、9、11 时,MB 最大去除率分别为81.49%、92.86%、89.60%、90.25%、78.83%。 弱酸、弱碱性的pH 环境可促进反应的进行,其中弱酸(pH=5)条件下,MB 去除率可达最大值。 强酸、强碱条件下MB 降解率降至80%左右,反应受到抑制,可能是强酸性环境下大量存在H+, 抑制·OH 的生成〔见式(3)〕,降低了MB 的降解率;强碱环境下SO4·-诱导生成·OH,两者互相消耗〔见式(4)〕,溶液内的自由基数量减少,抑制反应进行。最终选择最佳反应pH 为5。
2.8 反应时间对g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的影响
g-C3N4/PS 暗反应去除MB 的最佳反应条件:溶液pH 为5、反应温度为室温(30 ℃)、g-C3N4投加量0.8 g/L、PS 投加量0.5 g/L,反应在10 min 可达到MB最大去除率,之后去除率降低但基本稳定。未完全消耗被重新释放到溶液中的MB 数量不多。 g-C3N4/PS体系暗反应降解MB 反应迅速, 大大缩短了反应时间,且在60 min 时的去除率仍在90%以上,去除效果稳定,对反应时间要求不苛刻。
2.9 活性物种鉴定
在g-C3N4/PS 暗反应体系中,可能存在的降解途径有2 种:(1)体系中产生强氧化性自由基,如等;(2)染料自身结合1 个电子,与催化剂表面的空穴反应,被空穴氧化褪色。
为探讨暗反应降解过程中起主要作用的活性基团,分别加入抑制剂叔丁醇(TBA)、甲醇(MeOH)、对苯醌(BQ)、EDTA,并与不加抑制剂的空白组进行对照。 其中,TBA 与·OH 的反应速率〔(3.8~7.6)×108L/(mol·s)〕远快于TBA 与的反应速率〔(4~9.1)×105L/(mol·s)〕,故选择TBA 作为·OH 的抑制剂;而MeOH 与、·OH 的反应速率分别为3.2×106、9.7×108L/(mol·s)〔12〕,对两者都有较好的淬灭效果,选定MeOH 作 为的 抑 制 剂;BQ 及EDTA 分 别 对、h+有良好的诱捕效果,故选定BQ 作为的抑制剂,EDTA 作为h+的抑制剂。 反应条件控制MB 质量浓度为10 mg/L,g-C3N4投加量为0.8 g/L,PS 投加量为0.5 g/L,反应温度30 ℃,溶液初始pH 为5,结果如图5 所示。
图5 自由基抑制剂对g-C3N4/PS 暗反应降解MB 的影响
图5 中, 加入MeOH、TBA 的反应中,MB 最大去除率降至40.29%、30.08%, 是空白组对照的0.44和0.32 倍,对MB 的去除均有较大抑制作用,由此可知和·OH 均为反应的主要活性基团,·OH 作用更大。 相同反应条件下,加入BQ、EDTA 的反应,MB 最大去除率降至72.15%、68.55%, 与空白试验相比均有抑制作用, 说明h+与是反应中的活性物质,但作用程度次于·OH 与。
由以上抑制试验可知, 在g-C3N4/PS 暗反应降解MB 体系中,参与反应的自由基有·OH 、、h+、,作用程度依次降低。 推测体系中可能发生以下反应:g-C3N4在PS 的活化下, 价带电子激发至导带,从而形成价带的电子空穴(h+)及导带电子对〔见式(5)〕,h+与污染物吸收电子结合达到降解的效果;PS 在溶液中电离产生的与g-C3N4表面的导带电子对结合, 产生〔氧化降解MB 见式(6)〕;在溶液中进一步反应生成具有氧化性的·OH降解MB〔见式(7)〕;溶液中的溶解氧与导带电子结合,生成超氧自由基降解MB〔见式(8)〕。
2.10 稳定性和循环试验
为考察g-C3N4/PS 暗反应中催化剂的稳定情况,回收反应后的g-C3N4进行循环实验,循环利用4次,结果如表2 所示。
表2 催化剂循环使用情况
相同反应条件下,催化剂循环利用4 次后对MB的去除率仍在10 min 达到最大值,且60 min 内去除率在85%以上,长时间反应中去除效果稳定,反应速率未减小,对反应时间要求不苛刻。 在g-C3N4/PS 暗反应去除MB 实验中,催化剂表面出现团聚现象,与PS 接触面积变小,去除率下降,反应过程中g-C3N4提供光电子通道及具有强氧化性的空穴,分子结构未发生变化,材料性质稳定,可多次回收利用,经济效果良好。
3 结论
(1)g-C3N4/PS 暗反应降解MB 体系可行且用时短, 在10 min 时便可达到最佳去除效果,60 min 去除效果仍稳定,节能效果明显。
(2)在弱酸(pH≈5)、室温(30 ℃)、暗反应条件下,g-C3N4投 加 量 为0.8 g/L,PS 投 加 量 为0.5 g/L时,MB 最大去除率为92.86%,催化剂循环使用4 次后去除率仍在85%以上。 反应过程中起主要作用的活性基团为·OH、,其次为空穴(h+)、。
(3)与g-C3N4光催化体系及PS 活化技术相比,g-C3N4/PS 体系的暗反应速率快、操作简单,耗能大大降低,无需光照、温度条件,可极大拓宽应用范围。