浅谈专利技术综述对专利实质审查的裨益

2020-01-09孟凡娜徐玉祥共同一作

科学技术创新 2020年22期

孟凡娜徐玉祥（共同一作）

（国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心，广东广州510000）

1 专利技术综述对提高审查能力的必要性- 以半导体晶片切割胶带领域为例

专利审查要求审查员依法行政，具有法律素养、专业技能，做到站位本领域的技术人员等，提高专利审查能力成为实现创新发展的重要要求[1-4]。

在专利审查实践中，通过准确、高效检索，找出与申请主题密切相关的现有技术，使审查意见通知书更具说服力，有授权前景的专利申请通过修改获得稳定的专利权，确实无授权前景的申请驳回有理有据，是获得准确审查结果的基础。要做到检索准确、高效，站位本领域的技术人员，应当充分掌握领域的技术水平。审查实践中，除针对审查案件的技术方案查阅教科书、工具书、科技论文、专利文献外，通过对该特定领域的专利技术进行分析综述，更能准确掌握该领域整体技术发展水平、技术演进脉络，以免出现对现有技术的认识不足和偏差，有助于准确把握发明。

具体到笔者从事的审查领域，半导体晶片切割胶带领域由于涉及日、韩专利申请较多、与半导体行业有交叉等因素，属于审查难点。此外，在推行创新中国战略和“中国制造2025”行动纲领的背景下，强化自主半导体设计是其中的重点之一。半导体晶片切割胶带的需求激增，目前主要依靠进口，核心技术集中在日本的几个行业巨头，中国大陆已经进入了迫切需要自主研发核心技术的阶段。笔者前序工作中对该技术领域的全球专利申请进行了技术综述，以期为我国半导体芯片制造产业关键材料和技术自主化提供技术参考。同时提升对该领域的技术发展路径、技术研究现状、核心技术专利、关键申请人专利布局等重要信息后的了解程度后，无形中也提高了本领域技术人员的站位能力，再有意识将专利技术综述成果应用到日常审查实践中能高效提高审查能力。

2 半导体晶片切割胶带专利技术综述

笔者通过对该领域的专利申请在VEN、DWPI、SIPOABS、CNABS、JPABS 中采用分类号结合关键词的方式进行检索（检索截止日期为2019 年6 月11 日），获得有效专利申请2534 件，但仅在中国大陆申请的有效专利申请仅为32 件，绝大数中国大陆的申请是国外申请人通过保护工业产权巴黎公约或者专利合作条约（PCT）途径进入的。

该领域绝大多数的申请人来自日本，其他国家或地区仅占约10%。该领域授权案件占已审结案件的比例高达71.8%，远高于胶黏剂领域的平均授权率；并且，授权案件中82.7%仍有效；也进一步佐证了该领域的专利申请创新度、专利稳定性较高。

对该技术领域涉及的技术主题进行标引，技术分支分为半导体晶片切割胶带的结构和功效方面。结构方面，切割膜由于控制半导体晶片切割胶带的粘接性和剥离性的核心膜层，是该技术领域的创新集中之处，占比39.76%；接着是，对切割胶带整体结构的改进，以及基于高性能、多功能化、减少工艺步骤的需求对涉及切割步骤后续的粘接工艺的接合膜的改进，分别占比22.51%、20.97%。对于基材的研究占比12.27%。背面保护膜用于倒装芯片的背面保护，目前仅有日东电工有一定的专利布局，占比4.49%。功效方面，从无残胶、粘接力、收缩性、切割性、拾取性、外观（是否致力于减少毛刺、切屑）进行标引，涉及最多的是切割性能的改性且在技术萌芽阶段最为集中，由于改进切割性能是切割胶带的基本性能，从快速发展阶段开始，在满足切割性能的前提下，创新主体开始追求综合性能优异或者兼顾其他方面性能的改性。

3 半导体晶片切割胶带专利技术综述在审查实践中的应用

该技术领域专利申请主分类号为C09J（胶黏剂）的范畴，涉及的副分类号繁多，且多与电学、光学领域交叉。通过对该领域专利申请标引后再梳理，在深入了解技术发展脉络、关键技术的前提下，笔者细化、丰富了该领域的分类号和关键词库。具体是，找出了更准确的H01L21 下位点组分类号H01L21/304、H01L21/302（通过机械处理，例如研磨、抛光、切割改变半导体材料的表面物理特性或形状）、H01L21/301（把半导体再细分成分离部分，例如分隔），分别与C09J7（薄膜或薄片状的粘合剂）胶带的分类号，或胶带的关键词表达相与。还扩展了准确的CPC分类H01L21/6836（专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置，晶圆胶带，例如打磨或切割支撑胶带）、FT 分类4J040/NA20（接着剂、接着方法接着剂的特定用途，半导体材料用），同时结合扩展了关键词（（DIE?OR WAFER? OR SEMICONDUCTOR? OR CHIP?）S（+SLICE OR +SLICING OR +CUTTING OR +CUT OR +DICING OR+DICE））和（（+ADHESIVE+ OR +BOND+ OR ADHESION? OR+BIND+）4D （+LAYER? OR +FILM? OR SHEET? OR TAPE?））。为了查全，还扩展了H01L23（半导体或其他固态器件的零部件），与C09J7 相与。中文关键词表达，扩展了（切or 割or裂片or 划片）s（晶片or 芯片or 晶圆or 半导体or 裸芯or 晶硅）。建立了该领域分类号和关键词库。以下给出审查实例。

申请号：2011102169792

发明名称：半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法，及生产半导体器件的方法。

技术方案：一种生产半导体器件的方法，包括：将半导体晶片的非电路面粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上，切割所述半导体晶片以形成半导体芯片，将所述半导体芯片与粘贴在半导体芯片的非电路面上的所述半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和以半导体芯片的电路面与被粘物相对、以及倒装芯片型半导体背面用膜粘贴至半导体芯片的非电路面的形式，将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物上，其中，所述半导体背面用切割带集成膜包括：切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，所述半导体背面用膜在可见光区域的透光率为0-20%，所述切割带具有至多45%的雾度。

经过优选第一层次的半导体与胶带分类号相与构建检索式“（H01L21/304 OR H01L21/302 OR H01L21/301）and C09J7”锁定准确的检索范围，再结合该技术方案中的关键技术手段“背面用膜”、“压敏粘合剂”、“具有凹凸的加工面的基材”、“透光率”、“雾度”的表达，构建检索式。快速命中了目标文献Y1：CN101617395A（主分类号H01L21/52、副分类号为H01L21/301，同族副分类号包括C09J7/02），公开了半导体装置的制造方法，涉及半导体背面用膜同时使用压敏粘合剂层，Y2：JP2010-73897A（H01L21/301、副分类号包括C09J7/02）教导了激光切割带的粘合剂层层压的基材具有凹凸的加工面以提高切割带的透光率使得切割带具有至多20%的雾度，即给出了如何提高切割带的透光率、降低其雾度的技术手段。Y1 结合Y2 可以用来评价该专利申请技术方案的创造性。相比仅用胶带技术领域的分类号或关键词与半导体的关键词相与限定半导体切割胶带技术领域，提高了目标文献命中率和检索效率。