苏州维特莱恩公司高品质6英寸电阻法碳化硅单晶研制成功

2019-10-19刘春艳,张明福

人工晶体学报 2019年9期

碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势，决定了其在高功率器件、高频器件、高光效发光器件等领域的应用极为广泛。碳化硅单晶在低压/高频、中电压和高压/高频多个领域具有完全替代硅材料的优势。受各种因素影响，国内碳化硅单晶品质和产能远不能满足产业需求。

碳化硅电阻法4英寸导电型晶体

苏州维特莱恩集团公司是专业从事智能制造装备设计与生产、光电新材料研发及其装备制造的企业，于2014年9月与俄罗斯LETI法创始人Tairov及其团队开展技术合作，经过5年合作研究，掌握了4英寸和6英寸电阻法碳化硅单晶生长技术。晶体最大直径160 mm、等径厚度达25～35 mm、微管密度≤2 cm2/个、基面位错密度≤1200 cm2/个、电阻率0.01～0.035 Ω·cm，晶体利用率高达85%。经过中外团队的通力合作，掌握了长晶过程和工艺参数的自动化控制技术、生长炉温场和生长区流场调控技术和对缺陷和多型抑制的工艺技术。苏州维特莱恩集团公司能在短时间内实现6英寸碳化硅单晶生长技术的突破，得益于采用了有别于感应法的电阻法加热方式。电阻法能够实现径向温度可调和轴向温度可控，能有效地避免晶体生长过程中多型、层错缺陷增殖的出现，因而更适合生长6英寸以上的碳化硅单晶。