浅析如何从 “三拓”入手实现中高职电类专业《电子技术应用》课程的有效衔接
2018-10-25覃琳
覃琳
摘 要:针对电类专业中高职衔接教学中出现的课程内容重复、断层、脱节现象,提出了从“三拓”:即拓宽、拓深、拓高三个方面入手,实现中高职电类专业《电子技术应用》课程的有效衔接。
关键词:中职 高职 《电子技术应用》课程 有效衔接
《国家中长期教育改革和发展规划纲要》提出,“到2020年,形成适应经济发展方式转变和产业结构调整要求、体现终身教育理念、中等和高等职业教育协调发展的现代职业教育体系”。中职教育与高职教育是职业教育体系中,既相互联系又相对独立的不同阶段和层次的教育。如何让中高职实现有效衔接,使之成为服务区域经济发展和社会进步的重要推手,是职教战线乃至全社会普遍关注的热点话题。[1]
目前,中高职的电类专业《电子技术应用》课程在内容上的区分度不大,造成了中高职课程的重复和累赘,也出现断层、脱节现象,这些状况导致的直接后果就是人才培养不能体现其层次性和独特性。
中高职课程体系必须以职业岗位能力为核心来构建,而不是纯粹的“初、中级理论知识+高级理论知识”的简单架构,其基本框架应为:中职重技能、高职重技术,中职重职业、高职重专业,中职重“做中学”、高职重“学中做”。因此,中高职课程应是衔接与递进的关系,是一个由窄变宽、由浅入深、由低到高的过程[1]。本文将从“三拓”:即拓宽、拓深、拓高三个方面入手,浅析如何实现中高职电类专业《电子技术应用》课程的有效衔接。
一、拓宽:即横向拓宽课程内容
中等职业教育的《电子技术应用》课程内容应突出学生的专业核心技能,重在学生实践能力和动手能力的培养。
以我校教师编写的《模拟电路分析与制作》和《数字电路分析与制作》教材为例,全书以“项目-任务”模块式结构介绍了模拟电路及数字电路的基本内容,每个项目和任务都具有较强的实际操作性。通过典型、实用的操作项目让学生在做中学,渐进式加深理解和巩固知识点,逐步提高学生的电子技术应用能力和操作技能。
模拟电路通过四个电子产品的制作带动知识点的学习。见表1-1
数字电路通过八个电子产品的制作带动知识点的学习。见表1-2
而高等职业教育的《电子技术应用》课程内容应体现其“专业”特点,按一定的学科体系进行设置,并在中职课程基础上有所拓宽,把系统的基础知识、技术与最新的前沿性知识、技术联系起来。
二、拓深:即纵向深化知识结构
中职培养的技能型人才,知识面一般宽且浅,《电子技术应用》课程以就业为导向,主要培养学生具有从事特定职业所必备的基本技能。学习知识,不是按照由浅入深的顺序,而是以能力为中心来组织,并不刻意追求知识的系统性和结构性。课程内容上采用了较多的实际应用知识,对于复杂的公式和原理往往只讲结论和應用,重点分析其特点和在实际中的运用,而不做详细的推导和理性分析,对于设备和元件则较多地讲授其功能和使用方法,而对其原理和机构只做一般的介绍。
高职培养的“技术型人才”应具有较高和较系统的理论水平,需要了解更多的原理,能够学习和运用高新技术知识,创造性地解决生产经营与管理中的实际技术问题,能够与科研和生产操作人员正常交流,传播科学技术知识并指导操作。在教学中,对复杂的公式和原理,高职不仅要讲结论和应用,还需做理性分析或推导;对设备和元件不仅要分析其特点和运用,还需对其制作及使用原理做出具体阐释。这也是社会对技术型人才的基本要求。
例如:讲半导体器件的时候,中职教学只需要学生能够认知各种半导体器件,熟记二极管的单向导电性,三极管“发射结正偏,集电结反偏时工作在放大区”等重要特性,高职教学则可从PN结的角度入手重点分析二极管单向导电性的成因,从空穴、电子在基区、集电区、发射区掺杂浓度的高低不同来分析三极管的电流控制关系等。
再例如:对于放大电路的学习,中职阶段要求学生理解静态工作点对输出信号的影响,通过调节基极电阻阻值改变静态工作点,观看输出波形,直观地观察如何选择合理的静态工作点。高职阶段应当重点结合三极管的输出特性曲线分析静态工作点Q在直流负载线上的不同位置会导致电路处于哪三种不同的工作状态,并能够结合欧姆定律、基尔霍夫定律及其他电子线路基本知识计算出具体电路的静态工作点。
三、拓高:即拔高专业技能水平
职业教育培养目标应分为两个阶段:第一阶段由中职培养技术产品的操作使用者,第二阶段由高职培养技术产品的维修者。中职阶段的学生,其应当掌握的技能基本能达到中级工的水平,而高等职业教育对学生的技术要求,课程设置要尽可能地反映科学技术和现代生产发展的趋势,使培养的学生具备成为高级工、技师和高级技师的知识以及能力。
总之,在《电子技术应用》课程上避免重复的知识点设置,形成连贯有序的中高职课程知识结构,实现电类专业中高职课程的衔接,有利于培养适合企业需求的创新型和实用型人才。
参考文献
[1]方展画,程江平,徐敏娟,从“三拓”入手实现中高职课程有效衔接,中国教育报2013年5月21日.