RADECS WorkShop 2018暨第二届电子器件辐射效应国际会议在京召开

2018年5月16日-18日，“RADECS Workshop2018暨第二届电子器件辐射效应国际会议”在北京成功召开。本次会议旨在构建高端学术交流合作平台，助推航天强国建设，引领元器件抗辐射专业创新发展。经中华人民共和国外交部批准，在中国航天科技集团有限公司科技委的大力支持和指导下，会议由中国航天电子技术研究院主办，北京微电子技术研究所和哈尔滨工业大学承办。RADECS（Radiation Effectson Components and Systems）是国际辐射加固领域最重要的权威学术组织之一，本次RADECS Workshop是第一次在中国举办，也是第一次在非欧洲国家举办。

RADECS高度重视在中国举办的本次会议，派出了由6名专家组成的专业代表团出席会议。中国航天科技集团有限公司副总经理王海波、科技委副主任江帆、国际业务部副部长郭建平，中国航天电子技术研究院副院长王燕林、科技委原主任谢天怀、科技委副主任赵元富，北京时代民芯科技有限公司副总经理王勇，哈尔滨工业大学副校长郭斌等领导出席会议。中国科学院、中国电子科技集团有限公司、哈尔滨工业大学等60余家单位参会，共有来自15个国家的260余名专家、学者和代表应邀参加了本次會议。

开幕式上，中国航天科技集团有限公司副总经理王海波发表了题为《中国航天的成就与发展》的主题演讲，重点介绍了中国航天在独立自主、自力更生发展历程中取得的伟大成就，展望了中国航天科技集团有限公司在创建航天强国建设中“开放包容、合作创新”的发展前景，并结合《筑梦航天》视频专题介绍了中国航天抗辐射加固元器件的技术发展和取得的丰硕成果。中国航天电子技术研究院副院长王燕林、哈尔滨工业大学副校长郭斌分别进行大会致辞，对国内外科技专家、学者表示热烈欢迎。会议由大会主席、中国航天电子技术研究院科技委副主任赵元富主持。

大会报告环节，16位专家做了报告。中国航天电子技术研究院科技委副主任赵元富作了题为《纳米级集成电路抗辐射加固挑战和策略》的主题报告。范德堡大学教授Kenneth Galloway等3位美国知名专家介绍了美国SiC功率器件辐射相关可靠性、新型材料器件（如高K栅堆叠FinFET、SiC/GaN等化合物半导体、石墨烯等二维材料等）的辐射效应以及双极器件的辐射效应建模等研究成果。空中客车集团防务与航天公司Renaud Mangeret位欧洲专家介绍了欧洲有关国家的抗辐射发展情况。大会联合主席、哈尔滨工业大学李兴冀教授、中国科学院微电子所毕津顺研究员、西北核技术研究所陈伟研究员、中国空间技术研究院物资部唐民研究员、哈尔滨工业大学鄂鹏教授共5位中国专家交流了双极器件电离和非电离的协同效应、非易失存储器辐射效应、中子诱发单粒子效应等研究成果。

在专题研讨环节，按照辐射效应的机理及建模、新型器件和电路的辐射效应、抗辐射加固方法、辐射加固保证与评估四个专题分类，对5篇特邀报告和38篇学术论文进行了分组研讨。此外，55篇学术论文以海报形式进行了展示，论文作者与参会嘉宾进行了深入的探讨与交流。同时，会议代表参观了航天科技工业成果展。

本次会议保持了RADECS一贯的专业技术水准，展示了中国航天独立自主的发展道路及取得的伟大成就，得到了国外专家的高度评价，增进了与中国合作的意愿。元器件和电子系统的辐射效应及加固技术研究始终是微电子技术领域的制高点，也是衡量一个国家航天技术水平的重要标志。近年来，随着我国航天微电子技术迅速发展，已基本实现了航天元器件的自主可控。本次会议进一步加强了抗辐射专业国际化交流平台建设，并将进一步促进专业技术的创新与发展。（孔令东 刘平）