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基于互补型SET的通用阈值逻辑门设计

2017-08-02应时彦孔伟名肖林荣王伦耀

浙江大学学报(理学版) 2017年4期
关键词:库仑逻辑电路量子

应时彦, 孔伟名, 肖林荣, 王伦耀

(1.浙江工业大学 信息工程学院, 浙江 杭州 310023; 2.嘉兴学院 电子信息工程系, 浙江 嘉兴 314001;3.宁波大学 信息科学与工程学院,浙江 宁波 315211)

基于互补型SET的通用阈值逻辑门设计

应时彦1, 孔伟名1, 肖林荣2*, 王伦耀3

(1.浙江工业大学 信息工程学院, 浙江 杭州 310023; 2.嘉兴学院 电子信息工程系, 浙江 嘉兴 314001;3.宁波大学 信息科学与工程学院,浙江 宁波 315211)

与MOS管相比,单电子晶体管(SET) 具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的三变量UTLG实现方案.利用一个UTLG辅之少量门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计进行UTLG综合的过程.对所设计的SET电路进行了Pspice仿真,结果表明,基于SET的UTLG以及用UTLG实现的全比较器均具有正确的逻辑功能.

单电子晶体管;通用阈值逻辑门;SET电路;电路设计

半导体集成电路技术不断突破工艺瓶颈向高集成度、高速度、低功耗方向发展.但随着特征尺寸的不断缩减,作为主流CMOS技术中的MOSFET器件尺寸将达到其物理极限,且量子效应的显现可能导致器件失效.因此,科研工作者一方面通过创新半导体制造工艺使CMOS技术得以延续;另一方面也提出了各种可能取代MOSFET的新型电子器件,诸如单电子晶体管(single-electron transistor, SET)、共振隧穿二极管(resonant tunneling diode, RTD)、量子细胞自动机(quantum-dot cellular automata, QCA)等[1-3].其中,SET工作时仅需一个或几个电子,具有极低的功耗.而且该器件目前与CMOS工艺结合最为紧密,被认为是制造新一代超低功耗、超高密度集成电路最具竞争力的新型纳米电子器件之一.因此,SET在数字逻辑电路方面的应用受到了广泛关注[1,4-6].

阈值逻辑最初作为人工神经网络的基本单元——神经元而提出.阈值逻辑门因具有独特的优点而被广泛应用于神经网络、图形处理等领域.在逻辑函数分类和逻辑综合方面也有其独特的应用:一个阈值逻辑门可实现任意的线性可分离逻辑函数;用多个阈值逻辑门则可实现任意逻辑函数.但要实现不同的阈值函数(所有三变量逻辑函数中共有104个阈值函数)需设计大量不同结构的阈值逻辑门,这势必限制了阈值逻辑门在逻辑综合中的推广应用.相对而言,通用阈值逻辑门(universal threshold logic gate, UTLG)的功能则更为强大.尤其是三变量UTLG适合作为大规模集成电路的单元电路,而且用一个三变量UTLG以及少量的传统逻辑门可以实现任意三变量逻辑函数[7-10].文献[8-10] 分别提出了阈值逻辑门硬件电路的CMOS、RTD、QCA实现方案.本文提出基于SET的三变量UTLG实现方案及其应用,为完善SET单元电路库并拓展其应用奠定基础.

1 基础知识

1.1 SET的特性及互补型SET逻辑门

典型的SET是由1个量子点(库仑岛)、2个串联的隧道结构组成的三端器件,图1(a)虚线框内为SET的电路符号(椭圆代表库仑岛,带横线的矩形框表示隧道结).其中参数Cg为栅极g的耦合电容;与源极s相连的隧道结的电特性用隧穿电阻R1和隧穿电容C1表征;类似地,R2、C2分别代表与漏极d相连的隧道结的隧穿电阻和隧穿电容.值得注意的是:尽管管脚名称与MOS管相同,但其工作机理却截然不同,SET是基于库仑阻塞、单电子隧穿等量子现象的.当漏源极外加合适的电压Vds时,施加在栅极上的电压Vg通过耦合电容Cg向量子点感生电荷并操纵单个电子经由器件内的隧道结—量子点—隧道结输运,从而形成漏源电流Ids.利用图1(a)可测试SET端口的电特性.图1(b)所示的库仑振荡现象是SET特有的性质之一,即固定偏压Vds、SET的Ids将随偏压Vg的变化周期性振荡.利用SET的通断特性可设计构造各种功能的SET逻辑电路,如全加器、触发器等[1,5-6].相移特性是SET的另一重要特性,即库仑振荡特性曲线随背景电荷Q0的变化沿横轴Vg方向发生横向移动.当Q0>0时曲线左移,Q0<0时,则曲线右移.若Q0取值恰当,可使2个SET的库仑振荡曲线相位差180°,从而使它们工作在互补的通断状态.比照CMOS相关概念,相应的SET分别称为NSET和PSET.

图1 SET特性测试电路及库仑振荡Fig.1 SET characteristic test circuit and Coulomb blockade oscillations

利用NSET和PSET,基于SET逻辑电路设计可方便地沿用CMOS逻辑电路的设计思想.类似地,互补型SET逻辑门可由2个网络组成,即由PSET构成的上拉网络和由NSET构成的下拉网络(如图2(a)所示).在构造SET基本逻辑门(如非门、与非门、或非门等)时,对下拉网络中的NSET而言是“串与并或”,而对于上拉网络中的PSET则为“并与串或”.图2(b)为互补型SET非门电路;图2(c)为互补型SET二输入与非门电路,其上拉网络中是2个并联PSET,而下拉网络中是2个串联NSET.图2中SET符号与图1中的区别在于代表库仑岛的椭圆中填充了黑色(代表Q0不为0),而NSET和PSET的区别在于PSET矩形框的一半被填充了黑色.文中对SET仿真时采用Lientschnig的SET-SPICE模型,PSET和NSET的参数设置除背景电荷外分别为Q0=+0.15 e/-0.15 e外,其余参数取值相同:C1=C2=1 aF,Cg=2 aF,C0=0,R1=R2=105Ω,仿真温度T=4.2 K[11].

图2 互补型SET逻辑门及SET基本逻辑门结构图Fig.2 Representation of complementary SET logic gate and basic SET gates

1.2 阈值逻辑及通用阈值逻辑门

传统的逻辑电路设计均基于与或非逻辑,对于线性可分离的逻辑函数而言,也可表示为阈值函数.n变量阈值逻辑函数f(x1~xn) =〈w1·x1+w2·x2+···+wn·xn〉t的定义为

(1)

式(1)中wi、t分别称为权、阈值,输入变量xi∈{0,1}.须注意的是,式(1)中的·和+分别表示算术运算的乘法及求和,而不是逻辑代数中的或运算及与运算.实现式(1)运算的逻辑门称为阈值逻辑门(见图3), 在神经网络中又称为感知器神经元.

图3 阈值逻辑门Fig.3 Symbol of threshold logic gate

2 通用阈值逻辑门的SET电路实现及其综合

2.1 三变量SET通用阈值逻辑门的电路实现

根据阈值逻辑函数的定义,直接利用SET加法器及乘法器电路实现通用阈值逻辑门的电路结构十分复杂.由式(1)及三变量UTLG的定义可列出其真值表,化简得其函数表达式为f=x1·x2+x1·x3+x1·x4+x2·x3+x2·x4+

(2)

式(2)中的+和·是传统逻辑代数中的或运算及与运算.图4(a)给出了带反相输出的三变量UTLG的符号,图4(b)是实现该UTLG的门级逻辑设计,即可由6个二输入SET与非门、1个六输入SET与非门构成(f的反相输出可再经一个非门得到).限于篇幅,文中不再给出具体的SET电路.

图4 带反相输出的三变量UTLG符号及逻辑设计Fig.4 Symbol and its logic design of three-variable UTLG with a complementary output

利用Pspice对三变量UTLG的SET电路进行仿真,可得如图5所示的输入输出波形(信号的高低电平分别为30和0 mV),反映所设计的SET UTLG逻辑功能正确.

图5 基于SET的UTLG的仿真波形Fig.5 Simulation waveforms of UTLG based on SET

2.2 基于SET通用阈值逻辑门的逻辑综合

利用UTLG进行逻辑综合有多种方法:如直接按定义的综合、谱技术综合等.但对于三变量逻辑函数,最简便且便于用计算机编程实现的是查表设计法[7].由文献[7],用SET的UTLG实现任意三变量逻辑函数的步骤如下:

(1)由给定的逻辑函数写出对应的8进制代码,查文献[7]之P分类表得到其P分类代码.

(2)按P分类代码中的数字查文献[7]之P分类代表函数接线表,得对应的接线方案.

(3)按P分类代码中的英文字母查文献[7]之接线顺序表,确定最终输入、输出端接法.

设计实例证明了此综合方法的有效性.限于篇幅,仅举一例说明.

图6 基于UTLG的全比较器逻辑设计Fig.6 Logic structure of full comparator based on UTLG

用Pspice 对图6相应的SET电路进行模拟,所得波形如图7所示.仿真结果反映了所设计的全比较器逻辑功能完全正确.

图7 基于SET的UTLG全比较器电路仿真波形Fig. 7 Simulation waveforms of SET based UTLG full comparator

3 结 语

SET作为一种新型量子器件,将来可能取代MOSFET.基于SET独特的优点以及具有类似互补MOSFET的NSET和PSET结构,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出用互补型SET逻辑门实现双输出UTLG.该逻辑门功能强大,利用一个UTLG及少量的门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计法进行UTLG综合的过程.用Pspice 对所设计SET的UTLG以及基于该UTLG的全比较器电路进行模拟仿真,验证了该设计的正确性.如前所述,UTLG亦可作为感知器神经元,但其在神经网络等领域中的应用尚待进一步研究.

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Design of universal threshold logic gate based on complementary SET.

YING Shiyan1, KONG Weiming1, XIAO Linrong2, WANG Lunyao3

(1.CollegeofInformationEngineering,ZhejiangUniversityofTechnology,Hangzhou310023,China;2.DepartmentofElectronicInformationEngineering,JiaxingUniversity,Jiaxing314001,ZhejiangProvince,China; 3.FacultyofInformationScienceandEngineering,NingboUniversity,Ningbo315211,ZhejiangProvince,China)

Compared with MOSFET, single electron transistor (SET) has the advantages of ultra-low power consumption and ultra-high integration level, which make it the major candidate for the next generation nano quantum devices. Based on the introduction of SET characteristics and concepts of CMOS logic circuits, a three-variable complementary SET universal threshold logic gate(UTLG)is proposed. All of 256 three-variable logic functions can be realized with a UTLG and only a few logic gates. A full comparator, as an example, is also presented to demonstrate the tabular design procedure of three-variable logic function using a UTLG. The proposed UTLG and SET full comparator are simulated with Pspice and their logic functions are confirmed.

single-electron transistor; universal threshold logic gates; SET circuits ; circuit design

2016-02-03.

国家自然科学基金资助项目(62471211);浙江省自然科学基金资助项目(Y1110808).

应时彦(1964-),ORCID:http://orcid.org/0000-0002-1892-3810, 男,博士,教授,主要从事电子信息技术及计算机应用研究,E-mail:ysy@zjut.edu.cn.

*通信作者,ORCID:http://orcid.org/0000-0002-0589-3966,E-mail:xiaolr@126.com.

10.3785/j.issn.1008-9497.2017.04.007

TP 331

A

1008-9497(2017)04-424-05

Journal of Zhejiang University(Science Edition), 2017,44(4):424-428

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