日本研发出在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术

日本研发出在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术

日本三菱化学株式会社及富士电机控股公司、丰田中央研究所株式会社、京都大学、日本产业技术综合研究所组成的联合研究团队成功突破了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术。

GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。该联合研究团队制作了高质量2英寸GaN晶片和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并面向功率半导体改良了GaN晶片量产技术——“氨热法”，优化了晶体成长条件，将晶片平均缺陷密度减少到以往的数百分之一（每1cm2数千个）的水平。

未来，该联合研究团队还将从晶片到元件形成、加工技术、基础物性的检测分析等各个方面检验其实用性。 (科技部)