Lam Research的先进深硅刻蚀技术

Jay Minami and Alisa Hart

(泛林研究公司，弗里蒙特，加州94538 U.S.A.)

Lam Research的先进深硅刻蚀技术

Jay Minami and Alisa Hart

(泛林研究公司，弗里蒙特，加州94538 U.S.A.)

在一个人们期望即时信息的社会，等上几秒钟，时间似乎变得很长。随着万亿传感器的视野和物联网（IOT）互联网的不断发展，对于“智能传感器”出现了明显的需求：即对大量数据进行分类，区分有用信息和噪音，节省珍贵的几秒钟。

随着智能传感器的发展，微机电系统（MEMS）、电源装置以及先进封装蚀刻应用需要更精确的控制和更高的生产率。在过去，腔蚀刻未需要太多的精度控制，现在对蚀刻粗糙度和轮廓却很敏感。因为MEMS传感器需要更高的灵敏度，促使刻蚀工艺需求更小的蚀刻倾斜角度，更好的对称性和更好的蚀刻均匀性。功率器件应用要求更严格的特征尺寸和深度的均匀性。此外，所有这些应用都需要高水平的制造成本控制。

1 TCP9400DSiE蚀刻家庭

Lam的TCP9400DSiE产品是基于公司在市场领先的TCP9400硅蚀刻技术。变压器耦合等离子体（TCP）的平面源设计提供世界级的蚀刻均匀性、轮廓对称性和符合精密蚀刻所需要的最小角度倾斜。该设备的动态功率和压力控制系统能够微调以满足那些需要额外精度的关键蚀刻；而菜单控制，与工艺腔体一体的气体输送系统允许工艺灵活性和均匀度的精细调整。

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Lam的蚀刻产品素以高生产率闻名，TCP 9400DSiE家庭也享有这一美名。基于已经批量生产验证Alliance的平台上，最新的深硅刻蚀系统-TCP 9400DSiE III-包括耐用的工艺备件延长了平均清洗时间（MTBC），从而提高了正常运行时间和运行效率。该产品的高功率射频系统可以为中等关键的应用实现高的蚀刻速率。与传统的集成电路的蚀刻步骤比较、一些深硅蚀刻需要长时间运行，这使得在腔壁上的聚合物沉积问题变得更为突出，因为这可能会导致不希望的工艺漂移。Lam的无晶片自动清洁TM（WACTM）功能为每个进入腔室的晶片提供了一致的腔壁条件，在长蚀刻时间的情况下，这是保持工艺稳定的更为关键的因素。由精益工艺配合WAC提供的清洁腔壁使Lam的TCP 9400DSiE成为深硅刻蚀设备的最佳选择。

2 总结

Lam的深硅刻蚀设备安装量持续增长，因为设备需要更精确的蚀刻控制和成本控制以及最高的生产率。TCP9400DSiE产品因其在晶片上最佳性能和在业界中最具竞争力的解决方案而保持为客户的最佳选择。通过现场升级改造及Lam持续投资于该产品的改进，目前型号可扩展至新版本设备。通过协作并利用大量安装的深硅刻蚀设备数量的基础上，Lam专注于帮助客户解决MEMS，功率器件和先进封装应用的复杂挑战，帮助客户实现下一代器件的研发和制造。

想了解更多相关信息，请致电销售人员（郑闵，+86-18621932469电邮：min.zheng@lamrc.com）

图1 用Lam的TCP9400DSiE深硅刻蚀系统刻出的晶圆表面