铁微量掺杂对二钛酸钡陶瓷介电性能的影响
2014-10-20赵焕校
徐 军,周 淼,赵焕校
武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北 武汉 430074
0 引 言
电子产品是人们生活中的必需品.作为电子材料的重要组成部分,应用广泛的钛酸铅、锆钛酸铅等压电铁电材料由于含有铅,对环境和人类健康带来一定的危害,因此对于安全环保的的无铅压电铁电材料的研究和应用已很迫切.钛酸钡(BaTiO3)是一种目前应用较广泛的无铅铁电陶瓷,虽然它具有较高的介电常数,较低的介电损耗,但是其居里温度(约120℃)较低,当温度高于居里温度时,其损耗急剧增加.相比于BaTiO3,具有更高的居里温度和介电常数,而介电损耗在高温下较低等特性的二钛酸钡(BaTi2O5)在近年来受到了越来越多的关注.
在BaTi2O5被发现至今,各地学者对BaTi2O5的制备进行了大量的研究,有合成粉体的,单晶的,多晶的等等,并对制备出的BaTi2O5材料的性能进行了检测.BaTi2O5主要的制备方法有溶胶-凝胶 法 (Sol-gel)、水 热 合 成 法 (Hydrothermal reaction)、无容器悬浮处理法(Containerless processing)、电弧熔炼法(Arc melting)、急冷法(Rapid cooling)和区熔法(Floating zone)等方法[1-4].近 年 来,一 些 新 的 制 备 方 法 如 固 相 反 应法[5-6]、等离子体火花烧结法[7]以及将电弧熔炼法和等离子体火花烧结法相结合[8]等用于制备BaTi2O5材料.随着人们对BaTi2O5制备工艺的进步和性能的日渐了解,逐渐开始着眼于实际应用方面的研究,如具有晶粒择优取向的BaTi2O5织构化陶瓷[9]、单晶纳米线[10]和元素掺杂[7,11-17]改善其性能等的研究工作.本文采用固相反应法,制备出微量掺杂Fe元素的单相BaTi2O5陶瓷,并对其介电性能进行了分析.
1 实验过程
实验采用常规固相反应法,以分析纯的碳酸钡,二氧化钛和三氧化二铁为原料,以摩尔比1∶2称取原料碳酸钡和二氧化钛粉末,并以理论上所获得的二钛酸钡的质量百分比(x,%)称量氧化铁粉末,x= 0,0.01%,0.02%,0.05%,0.1%,0.2%,0.3%,0.4%,0.5%,1%.将原料球磨混合均匀,在900℃下进行预烧5h,待自然冷却后将其球磨混合均匀,然后添加适当粘结剂研磨均匀,充分干燥后压制成直径12mm,厚度约1mm的薄片,在530℃的温度下排胶5h后以1 225℃进行烧结,保温20h,最后停止加热自然冷却.用粉末X射线衍射进行相分析,将陶瓷片两面涂上银电极后用精密阻抗分析仪(Wayne Kerr 6500B)在室温至500℃范围内进行介电测量.由于得到的陶瓷样品规则且完整,通过测量陶瓷片质量、直径和厚度,采用密度=质量/体积的公式计算陶瓷致密度.
2 实验结果与分析
粉末X射线衍射结果表明,当Fe掺杂量x≤0.5%时均获得了单相的BaTi2O5陶瓷,当x=1%时出现了少许BaTiO3杂相.图1为一些典型的不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷的XRD图谱,同时也给出了BaTi2O5的标准卡片(JCPDS NO.034-0133)和BaTiO3的标准卡片(JCPDS NO.031-0174)的衍射图谱,图中箭头所指处为1%Fe掺杂量样品中出现的BaTiO3衍射峰.
图1 不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷粉末的XRD图谱Fig.1 XRD patterns for BaTi2O5ceramic powders with different Fe content
对于所有的Fe掺杂样品,其介电温度谱都表现出一个对应铁电相变的介电峰.随着Fe掺杂量的增加,铁电相变居里温度降低,介电峰变宽.图2是 Fe掺杂量为0.01%和0.5%时在频率为100Hz、1、5和10MHz下的介电常数与温度的关系图.从图2中可以看出,BaTi2O5陶瓷在居里温度附近没有展现出明显的介电色散.因此,Fe元素的掺杂虽然使铁电相变对应的介电常数峰变得很宽,但并没有导致BaTi2O5陶瓷表现出弛豫性.
图3显示了不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷在100kHz下的的介电常数与温度的关系.从图中可以清楚的看出,随着Fe元素掺杂量的增加,BaTi2O5陶瓷的居里温度Tc减小,Tc处所对应的最大介电常数先是增加(Fe质量分数为0.01%时最大),然后随着Fe含量的增加而减小,最后稳定在130左右(Fe质量分数为1%时).而随着Fe元素掺杂量的增加,介电峰的宽度却是一直在增加.Fe掺杂量为0.5%和1%时的介电常数与温度曲线趋向重叠,表明0.5%已接近本实验采用的固相合成法所能达到的Fe在BaTi2O5陶瓷中的掺杂极限.
图2 Fe掺杂量为0.01%和0.5%在不同频率下的BaTi2O5陶瓷的介电常数与温度的关系Fig.2 Temperature dependence of dielectric constant at different frequencies for 0.01%and 0.5%Fe-doped BaTi2O5ceramics
图3 100kHz下不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷的介电常数与温度的关系Fig.3 Temperature dependence of dielectric constant at 100kHz of BaTi2O5ceramics with different Fe content
图4是不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷的相对密度.在相同工艺下所制备的不掺杂BaTi2O5陶瓷的相对密度为90%~94%,平均相对密度为93%.从图中可见,掺杂量为0.01%~0.5%,所得样品的密度都在不掺杂陶瓷密度范围之间.因此,在本实验测量误差范围内,Fe的掺杂并没有对BaTi2O5陶瓷的密度产生太大影响.在掺杂量为1%时,样品的密度明显增大,这是由于样品中有少量BaTiO3存在,而它的密度大于BaTi2O5的密度.
图4 不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷的相对密度Fig.4 The relative density of BaTi2O5ceramic with different Fe content
图5给出了不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷的居里温度Tc,可以看到微量的Fe掺杂对BaTi2O5陶瓷的居里温度产生了非常大的影响.在掺杂量为0.02%时,Tc由未掺杂时的415℃快速降低至376℃,之后随着Fe含量的增加,Tc的降低速度逐步变缓,直至Fe含量为1%时Tc降至313℃.掺杂量在0.5%与1%之间,居里温度的变化相对较小,降低了10℃左右,这也再次说明了本实验条件下BaTi2O5陶瓷所能达到的Fe最大掺杂量在0.5%与1%之间.
图5 不同Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷的居里温度TcFig.5 The ferroelectric phase transition temperature Tc of BaTi2O5ceramics with different Fe content
以上所示的BaTi2O5陶瓷铁电居里温度强烈的微量Fe元素掺杂效应表明,掺杂的Fe元素已经进入了BaTi2O5晶格,对部分Ti离子产生了替代.通常掺杂的微量元素倾向于偏聚在晶界处,但在高的烧结温度下,会向晶格内扩散,产生替代性的固溶体.本实验由于采用了较高的烧结温度(1 225℃),因此产生了这种元素替代效应.
结合文献中报道的 BaTi2O5中Sr[13],Ca[14-15],Ta[16],Zr[17]等元素替代效应的研究,可以看到,所有元素替代都不同程度地降低了BaTi2O5的铁电相变居里温度,并且对B位Ti离子的替代效应要强于对A位Ba离子的替代效应,变价离子的替代效应要强于等价离子的替代效应.本实验中,由于三价Fe离子半径和四价Ti离子半径相近,进入BaTi2O5晶格的Fe离子替代了少量的Ti离子.由于BaTi2O5的铁电相变是来源于氧八面体网络和Ti离子的相对位移,具有铁电极化活性的Ti离子被非等价的Fe离子少量替代后,在B位引入了成分涨落和价态涨落,产生了不同的铁电微区和非铁电微区,这些因素导致了居里温度的显著降低和介电峰的宽化.
3 结 语
本文以BaCO3,TiO2和Fe2O3为原料,采用常规固相反应法,制备了不同微量Fe掺杂量的BaTi2O5陶瓷.结果表明微量Fe元素进入了BaTi2O5晶格,对BaTi2O5陶瓷的介电性产生了强烈的元素替代效应.随着Fe含量的增加,铁电转变居里温度Tc单调降低,从未掺杂时的415℃降至Fe含量为0.5%时的324℃.同时介电峰发生了宽化,但并没有出现弛豫性铁电体.微量Fe元素的掺杂在本实验测量误差范围内对BaTi2O5陶瓷的密度影响不大.
[1]TANGIUANK S,TUNKASIRI T.Sol-gel synthesis and characterization of BaTi2O5powders[J].App1 Phys A,2005,81(5):1105-I107.
[2]HÉCTOR B,NAHUM M.Nanocomposite ceramics based on La-doped BaTi2O5and BaTiO3with high temperature-independent permittivity and low dielectric loss[J].J Electroceram,2007,18:277-282.
[3]AKISHIGE Y,FUKANO K,SHIGEMATSU H,et al.Crystal growth and dielectric properties of new ferroelectric barium titanate:BaTi2O5[J].Journal of Electroceramics,2004,13(1-3):561-565.
[4]YU Jianding,YASUTOMO A,TADAHIKO M,et al.Fabrication of BaTi2O5glass-ceramics with unusual dielectric properties during crystallization[J].Chem Mater,2006,18,2169-2173.
[5]LI Guo-jun,TU Rong,Takashi Goto.Preparation of polycrystalline BaTi2O5ferroelectric ceramics[J].Materials Letters,2009,63:2280-2282.
[6]LI Guo-jun,TU Rong,Takashi Goto.Preparation of polycrystalline BaTi2O5pressureless sintering [J].Materials Letters,2009,44:468-471.
[7]XU Jun,Yukikuni Akishige.Relaxor in KF-doped BaTi2O5ceramics by spark plasma sintering[J].Appl Phys Lett,2008,92: 052902.
[8]Peng J,Wang C B,Li L,et a1.Preparation and property of BaTi2O5ceramics by arc-melting and spark plasma sintering [J].J Electroceram,2012,28:256-260.
[9]ZHANG Jun-ji,YU Ju-mei,CHAO Ming-ju,et al.Textured BaTi2O5ceramic synthesized by laser rapid solidification method and its dielectric properties[J].J Mater Sci,2012,47:1554-1558.
[10]ZHAO Deng,YING Dai,WEN Chen,et al.Synthesis and characterization of single-crystalline BaTi2O5nanowires[J].J Phys Chem,2010,114:1748-1751.
[11]XU Jun,Yukikuni Akishige.KF-doped BaTi2O5ferroelectric ceramics by solid-state reaction of KF and sol-gel-derived BaTi2O5powders[J].Appl Phys A,2008,90(6):153-157.
[12]徐军,唐甲,杨薇.锶掺杂二钛酸钡的熔盐法制备及其介电性能[J].武汉工程大学学报,2013,35(6):40-43.XU Jun,TANG Jia,YANG Wei.Synthesis of stron-tium-doped barium dititanate and its dielectric properties by molten salt method[J].Journal of Wuhan Institute of Technology,2013,35(6):40-43.(in Chinese)
[13]YUE Xin Yan,TU Rong,Takashi Goto.Dielectric properties of poly-and single-crystalline Ba1-xSrxTi2O5[J].Materials Transactions,2007,48(5):984-989.
[14]YUE Xin Yan,TU Rong.GOTO Takashi.Dielectric properties of Ba1-xCaxTi2O5prepared by arc melting[J].The Japan Institute of Metals,2009,50(2):245-248.
[15]ATSUNOBU M,CHIKAKO M,TERUYASU M,et al.Stabilization of metastable ferroelectric Ba1-xCaxTi2O5by breaking Ca-site selectivity via crystallization from glass[J].Scientiic Reports,2013:1-5.
[16]YUE Xin Yan,TU Rong,Takashi GOTO.Dielectric properties of(010)oriented polycrystalline Ta2O5substituted BaTi2O5prepared by arc melting[J].Joumal of the Ceramic Society of Japan,2008,116(3):436-440.
[17]XinYan Yue,Tu Rong,Takashi Goto.Dielectric property of polycrystalline ZrO2substituted BaTi2O5prepared by arc-melting[J].Materials Transactions,2008,49(1):120-124.