基于Innography的技术领域专利分析实证研究

2014-07-27曹艳

创新科技 2014年22期

关键词：专利权人碳纳米管专利申请

曹艳

（郑州大学图书馆，郑州河南 450001）

基于Innography的技术领域专利分析实证研究

曹艳

（郑州大学图书馆，郑州河南 450001）

本文以“碳纳米管排布控制”为例，以Innography专利检索系统为基础，通过计量分析、聚类分析、对比分析等方法，对“碳纳米管排布控制”专利的申请趋势、发明人或应用国别分布、竞争力、技术点、专利诉讼和异议、以及专利强度进行了详细分析。从专利的角度给出该技术领域的研究状况及发展趋势，揭示了该技术领域中一些非常有价值的专利情报信息。

Innography系统；碳纳米管；专利分析

专利情报分析不仅是企业争夺专利的前提，更能为企业发展提供技术策略，评估竞争对手的情报，认清自己的相对专利地位和技术领域的发展趋势，在技术开发、合作和贸易中有效地保护自身权益，制定出正确的技术开发战略、最佳的研发计划[1]。

碳纳米管自1991年被发现以来[2]表现出很多潜在的应用前景。利用过程中碳纳米管操纵的一个局限性是它的不溶性[3]。碳纳米管在膜中无规聚集，无法有效控制和进一步提高碳纳米管膜的结构和性能，这严重限制了碳纳米管膜在多个领域的应用[4]。因此，合理的碳纳米管加工技术的发展对于工艺上的用途和进一步理解它的基本性质对其往后的应用非常重要。本文利用Innography专利检索分析工具，检索了“碳纳米管排布控制”的相关专利，并对检索结果进行了详细的专利信息分析。

1 数据源和检索方法

1.1 数据源。Innography专利检索分析系统，该系统可以查询和获取90多个国家的同族专利、法律状态查询及专利原文；包括美国、英国、中国、日本、韩国、法国、德国、PCT、EPO在内的超过九十多个国家或地区的发明专利+实用新型和美国的外观设计在内的超过8千万件专利；包含PACER全部专利诉讼部分的美国专利诉讼；来自D&B及美国证券交易委员会公司情况的公司财务数据；以及将全美商标注册信息[5]。

1.2 检索方法。其一，检索词：中文-控制；碳纳米管；排布；方法英文关键词：carbon；Nanotube、nanometer tub、nano pipe、nano pipe；Arrange、distribute、structure、control；method。其二，检索式：@（abstract，claims，title）carbon and（Nanotube or“nano⁃meter tube”or“nano pipe”or nanopipe）and@（abstract，title）（arrange or distribute or“control structure”～3）and method@*（ipc_c01 or ipc_b82）。其三，截止检索日：2013年11月28日。

2 检索结果与分析

根据上述检索条件，在innography系统中运行检索式，并对检索结果进行申请量统计，共得到碳纳米管排布控制相关专利申请量1440件。

2.1 碳纳米管排布控制相关专利申请趋势。对检索得到的1 440件专利申请进行优先权年（Priority Year）的统计，得到碳纳米管排布控制相关专利的申请年度趋势图见图1，对中国专利的年度趋势进行统计，得到折线图见图2。从趋势上看，碳纳米管排布控制相关专利的申请始于1995年，早年的专利申请量较小，1999后进入快速增长期，随后大致成逐年递增的趋势，2010年之后的专利申请量有所下降。2013年的专利公开还不充分，部分专利数据还没收录，因此暂不列入趋势分析的范畴。对比图1可知，中国最早的相关专利申请出现在1996年基本与世界同步，在2002年后专利申请量开始快速增长，在2009年达到高峰后近年申请量稍有回落。

图1 专利年度申请趋势

图2 中国专利申请年度趋势

2.2 碳纳米管排布控制相关专利申请与发明国别分布。利用Innography的专利发明人国别（Inventor Location）筛选功能，得到专利发明人国别分布图。发现碳纳米管排布控制相关专利主要来自日本、中国、美国和韩国，其他各国发明人的专利申请量少而较为接近。

利用Innography的专利的申请国（Source Jurisdiction）统计功能，对1440件专利申请进行分析，得出碳纳米管排布控制相关技术主要在哪些国家或者地区进行了保护。通过分析可知，该技术的专利申请主要分布在日本、美国、中国和韩国四个国家。同时还发现了一定量的PCT国际专利申请（WIPO）和欧洲（EPO）的专利申请，说明很多专利权人逐渐重视技术的区域保护，利用WIPO和EPO的专利申请同时对多个国家或者地区申请保护。

2.3 竞争态势分析。将检索得到1 440件碳纳米管排布控制相关专利进行专利权人（Organization）统计，并利用Innography的竞争力分析功能，对统计所得的专利权人进行竞争力分析，得到图3气泡图。

图3 全球专利竞争力分析图

由图3可以看出：其一，全球在碳纳米管排布控制相关技术领域竞争力较强的以中国、日本、美国和韩国的专利权人为主，其中包括有中国的清华大学、韩国的三星以及美国的威廉马什赖斯大学和哈佛大学表现出较强的竞争力。其二，通过气泡图可以看出全球范围内的竞争差距较为明显，其中清华大学在领域内拥有较大的竞争优势。气泡最大，说明目前拥有的专利最多；气泡靠右，说明其专利的总体质量较高。清华大学一直是我国碳纳米管相关技术的研发主力，2001年已经与南风化工集团率先实现了碳纳米管的产业化；2003年与鸿海集团旗下富士康建立清华-富士康纳米科技研究中心，碳纳米管技术方面的研发成果和实力处于世界领先水平。其三，在该技术领域内，拥有较强竞争力的还有上述的三星、威廉马什赖斯大学、哈佛大学等，但这些专利权人无论从专利量和专利质量上都与清华大学存在较大的差距。其四，经分析发现竞争力排名靠前的20位专利权人中，既有高等院校，也有跨国的集团公司，可以推测碳纳米管排布控制相关技术经过多年研究，已经逐步进入产业化应用阶段，同时，该技术还存在较多的不足和缺陷亟待解决，也具有较广泛的发展空间。上海交通大学US20050181143 A1专利也属于领域内的重要专利，但该专利族当前都已失效，建议上海交通大学加强对重要专利的管理，定期对专利的强度进行更新，优先维持高强的重要专利；对于尚处于审查过程中的专利，应及时答复审查意见，保证审查程序的正常进行。

图4 2009年及之前的技术聚类图

2.4 碳纳米管排布控制相关专利技术点分析。通过Innography对检索1 440件结果进行公开年份的限定，分别得到827件2009年及以前公开的专利，661件2009年后公开的专利。分别对两组专利进行文本聚类分析，对前后两个时间段的技术侧重点进行对比分析，得到图4。

图4可以看出，早年碳纳米管排布控制集中对电场、碳纳米管薄膜、单笔碳纳米管和碳纳米管纤维的研究；对比近几年，碳纳米管薄膜依然是技术的研发热点，对电场的研究减少，同时对碳纳米管膜的结构、阵列、光纤和电池的研究成为新的研发热点。

2.5 诉讼和异议分析。利用Innography的诉讼和异议专利检索功能发现，截至检索日，碳纳米管排布控制相关专利暂时还没发生过诉讼以及异议，由此可见，目前该技术专利的诉讼风险不高。

2.6 高强度专利分析。“专利强度”是Innography的核心功能之一，它是专利价值判断的综合指标。专利强度受权利要求数量、引用与被引用次数、是否涉案、专利时间跨度、同族专利数量等因素影响，其强度的高低可以综合的反映出该专利的文献价值大小。通过此功能，可快速从大量专利中筛选出核心专利，帮助判断该技术领域的研发重点。通过强度值的限制，对专利进行高强度筛选，得到碳纳米管排布控制技术相关的核心（≥80%）专利一共9件。且均为有效专利。