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阶跃阻抗滤波器及其倍频应用

2013-07-13文继国

电子设计工程 2013年3期
关键词:谐振器传输线谐振

卢 頔,文继国

(成都信息工程学院 电子工程学院,四川 成都 610225)

无线通信技术的迅速发展对微波射频器件的要求与日俱增。滤波器作为一种重要的微波器件,在强调低插损、高带外抑制、良好的带内平坦度等的同时,对小型化、结构简单、成本低、易于集成更是当今微带滤波器的发展趋势。尺寸小、选择性高的阶跃阻抗滤波器 (Stepped Impedance Resonator filters)常用于VHF、L、S波段以代替传统的均匀阻抗滤波器(Uniform Impedance Resonator filter),以实现滤波器小型化[1]。

文中简要阐述发夹形半波长SIR滤波器的原理,并且通过电磁场仿真软件HFSS设计L波段2个同一指标而不同尺寸的三阶发夹形半波长SIR滤波器,通过优化确定其基本的结构参数,最后通过加工实物并测量。测试结果和理论设计具有良好的一致性。之后,将类似的设计方法用于设计930 MHz的SIR滤波器,并将其用于实际的从465 MHz获得930 MHz输出信号的倍频器电路中获得良好的性能指标。

1 基本理论

图1为半波长SIR的基本结构,其中阻抗比为Rz=Zp/Zs,两端传输线特性阻抗为Zp,电长度为 θp=arctan(Zptanθs/Zs)的传输线它等效为电容值为C=tanθs/Z1ω0的电容,其中ω0为谐振角频率。这种改进结构的谐振器在保证无载品质因数Q不变的情况下,不仅使得谐振器电路尺寸可以随意改变,也让谐振器的寄生杂散频率点可调[1-3]。

利用以上参数使用文献 [4]中介绍的方法推导出ABCD矩阵[4]:

由耦合线部分ABCD矩阵:

及单一传输线部分ABCD矩阵:

则可得到谐振条件为:

令:θpe=θpo=θp, 以及谐振内部耦合系数kc=(Zpe-Zpo)/(Zpe+Zpo),则谐振条件简化为:

图1 半波长SIR和发卡型SIR的电长度以及物理尺寸Fig.1 Dimensions and electrical length of half the wavelength SIR and the hairpin SIR

通过对SIR单一耦合线中心点的电压,电流分析,得到其奇偶模谐振描述,获得基本谐振关系[1]:

公式(5)用以确定基本谐振频率,公式(6)用以确定第一寄生谐振频率。

第一寄生谐振频率计算公式为

fo为谐振基频。

谐振器之间的级间耦合系数是决定滤波器性能指标的一个重要参数,发卡形半波长SIR滤波器级间耦合主要分为磁耦合,电耦合,以及混合耦合[5],其级间混合耦合系数为

输入输出加载品质因数反应的是输入输出匹配其关系式:

插损、谐振阶数以及无载品质因数的关系[6]为:

输入输出抽头位置决定滤波器的输入输出阻抗,经验公式为

式中 L=λg/4,Z0=50 Ω,Zr为发卡型平面滤波器传输线上的特性阻抗。

2 滤波器设计

设计指标:中心频率f0=1 GHz,相对带宽约5%,在偏离中心频率100 MHz的频点上,抑制度25 dB,通带内插损小于3 dB。采用的Rogers的介质板,其介电常数εr=10.2厚度为H=0.635 mm介质板覆铜0.5盎司。

设置特性阻抗 Zs=49.34 Ω,Zpo=23.08 Ω,Zpe=16.88 Ω,θs=64.6°谐振内部耦合k=0.16,利用公式(7)计算杂散谐振频率fSB1≈2.7 f0。利用HFSS对谐振器建模进行优化然后再对三阶SIR滤波器进行优化如图2所示。

图2 SIR滤波器A的HFSS建模、仿真与实测Fig.2 Modeling,simulation and measurement of SIR filter Ausing HFSS

优化后获得电长度对应实际长度lc=8.3 mm,l1=8.9 mm,l2=4mm,抽头位置t=0.2mm,阻抗对应宽度ws=0.6mm,wc=2.5 mm,两边缩进尺寸wx=0.2 mm,谐振器内部耦合细缝s=2.2 mm。对滤波器进行加工测试并与仿真结果对比如图2所示。

测量结果与仿真结果有30 M左右频偏,通过微调覆铜结构尺寸进行修正后滤波器达到所需指标,插损优于3.5 dB,900 MHz和1 100 MHz处抑制度都在30 dB左右,反射系数小于-14 dB,寄生通带出现在约2.7 GHz。

为了设计指标相同但宽度更小的滤波器,设计时使用了相同的阻抗比,同时将单一传输线与平行耦合线部分的阻抗减小为 Zs=39 Ω,Zpe=17.5 Ω,Zpo=13.6 Ω,按上述同样的方法获得三阶滤波器尺寸lc=l1=8.4 mm,l2=5.2 mm,t=0.2 mm,ws=1 mm,wc=3.5 mm,s=0.2 mm,两边缩进尺寸wx=0.2 mm。仿真结果、测试结果如图3所示。

图3 SIR滤波器B的HFSS建模、仿真与实测Fig.3 Modeling,simulation and measurement of SIR filter Busing HFSS

滤波器达到性能指标基本相同,带内插优于3 dB,900 MHz和1.1 GHz抑制度在30 dB左右,带内反射基本在-15 dB以下,寄生通带出现在2.75 GHz左右,并且滤波器较前一滤波器长度有所增加而宽度有所减小。

3 倍频链路设计

滤波器所具有的频率选择和谐波抑制特性,是倍频器电路设计中必不可少的器件之一。利用中心频率为f0=930 MHz的SIR滤波器,提取二次谐波完成倍频链路设计,方案如图4所示。

二倍频器使用的是Mini Circuit公司的集成单片倍频器AMK-2-13+,输入频率为465 MHz,功率为10 dBm的信号时,倍频损耗约为12.5 dB,对基波和三次、四次谐波的输出为-33 dBc、-39 dBc、-25.5 dBc。单个SIR滤波器带内损耗约为2 dB,线路损耗约为1 dB,所以倍频总损耗为18 dB。

SGA3586为RFMD公司的单片集成HBT增益放大器。在930 MHz的增益约为 22 dB,1 dB压缩点在13 dBm,理论输出功率应该大于11 dBm。

图4 二倍频链路方案和电路结构Fig.4 Design and structure of the frequency doubler

465 MHz信号用R&S公司的信号发生器产生,其功率大小为10 dBm,电路输出测得12 dBm,无窄带杂散动态范围大于-80 dBc主要为信号发生器产生的窄带内杂波,二次谐波也通过SIR滤波器的特殊频率寄生通带,抑制在-50 dBc,三次谐波在滤波器的寄生通带内,但是也抑制在-30 dBc以上。对输出信号的相位噪声测量得到结果为倍频器相位噪声恶化6 dB与理论值一致。测量结果如图5所示。

图5 倍频信号输出功率、杂散和相噪的测量Fig.5 Measured power,spurs and phase noise of the frequency multiplier output

4 结 论

文中完整的设计了2个发卡形带通SIR滤波器和一路倍频链路,并且达到预期指标。可见SIR滤波器在平面滤波器领域有很大的应用前景,尺寸可调,寄生通带可调等特性使其在VHF、L、S波段的平面滤波器中有很大优势。SIR结构应用于存在整数倍谐波的电路系统中,能够改善其谐波响应,对类似倍频器等电路是首选的滤波器结构。

[1]Makimoto M,Yamashita S.Microwave resonators and filters for wireless communications-theory and design[M].Berlin:Springer-Verlag,2001.

[2]Makimoto M,Yamashita S.Compact bandpass filters using stepped impedance resonators[J].Proceedings of the IEEE,1979(67):1.

[3]Makimoto M,Yamashita S.Bandpass filters using parallel coupled strip-line stepped impedance resonators[J].IEEE Transactions On Microwave Theory and Techniques,1980,28(12):1413-1417.

[4]Zysman G I,Johnson A K.Coupled transmission line networks in an inhomogeneousdielectric medium[J].IEEE Trans.Microwave Theory Tech,1969(17):753-759.

[5]HONG Jia-sheng,Lancaster M J.Theory and experiment of novel microstrip slow-wave open-loop resonator filters[J].IEEE Transactions On Microwave Theory and Techniques,1997,45(12):2358-2365.

[6]毛睿杰.高性能小型化平面滤波器设计与应用研究[D].成都:电子科技大学,2008.

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