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扩散炉反应管压力自平衡系统的设计

2012-06-28毛朝斌陈特超李健志

电子工业专用设备 2012年7期
关键词:管内尾气电阻

李 克,郭 立,毛朝斌,陈特超,李健志

(中国电子科技集团公司第四十八研究所,国家光伏装备工程技术研究中心,长沙,410111)

扩散炉是晶体硅电池生产线前道工序的重要工艺设备之一,其主要用途是对半导体进行掺杂,形成PN结。它是在高温条件下将掺杂材料扩散进硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。影响扩散质量的主要因素有:工艺时间、温度均匀性、气流稳定性,其中管内的气体流动对工艺影响非常大。由于工厂所有设备酸性气体排放都是汇总到一根总排废管道内,所以对每台设备来说,外围抽风是不稳定的,管内压力不均,管内的气流越不均衡,出现管内前后端压力偏差大,电池片方块电阻片间与批间差别大的现象,炉口部分经常出现电阻突变的现象:片间电阻变小,片内电阻出现上端高,下端低的不均匀现象,所以有必要对管内气流进行控制,使进入和排出的气流保证一定比例,确保管内压力均匀。而扩散后的废气多为酸性气体等腐蚀性强的物质,所以对管内压力控制时,排放和检测等都应该注意防腐处理[1]。

1 系统要求及原理

扩散设备的反应管一般是尾部进气,气体流量随工艺过程变化,反应完的气体从管口部分的抽气管排走,由于外围接的抽气管道抽风不稳定,以及工艺过程气体流量变化,管内气流流速,压力不稳定[2]。在反应管内部取一测试点,检测内部压力变化,根据压力变化调节尾部抽气量来稳定管内压力,由于排除的都是腐蚀性气体等物质,不适宜在管路上直接采用蝶阀等方式,采用间接调节的方式,在排气管路上增加一路进气,根据压力变化,向排废管冲入一部分气体,消除抽风变动对反应管内气流的变化,使反应管内的压力达到一个平衡。

2 系统设计与实现

设计原理如图1所示,工艺气体从反应管尾部中心进入,反应尾气管伸进反应管前端抽走反应残余尾气,进入冷凝尾气瓶后,部分气体冷凝,部分排到排废管道内,排废管道接厂外围抽风系统。对此,在反应管尾部引出一根1/4”小管,一端接到反应管内,一端接到压差传感器,同时通过浮子流量计通入一定流量的N2对压差传感器保护(稀释),检测管内相对压力变化,压差传感器的另外一端接管到反应管炉口相对比较稳定的压力点。压差传感器将信号反馈给压控仪,压控仪输出信号控制MFC流量(向冷凝尾气瓶冲气),同时PC监控到压控仪的实际输出值。当检测相对压力有变化时,压控仪控制MFC增大或减少流量,使抽走的尾气总量不变的情况下,改变从反应管抽出的尾气量,从而使反应管内压力达到设定值,保证一定的平衡。在软件中,工艺编辑栏加入了相对压力参考值设定,可以根据要求设置参数,由于设备密封效果差异等原因,压力参考值可能存在差别,实践证明,压力参考值在200~800区间,扩散效果有所改善。如图2所示,可在工艺编辑菜单里设置相对压力值。

3 工艺实验分析

采取几组工艺试验,对比安装压力平衡系统之前和之后的工艺效果:表1、表2是在正常连续生产的车间里抽取的一组电池片方块电阻值(炉尾到炉口),其它工艺参数一致。表1没有带压力自平衡系统,表2是带有压力自平衡系统电阻分布值。测量时从炉尾到炉口等距离抽取20片硅片,测量点为:1,2为上面两角两点,3为中间点,4,5为下面两角两点。

图1 反应管压力自平衡系统原理图

图2 扩散软件工艺参数设置

Nmax,Nmin分别表示片内电阻最大和最小值。

Dmax,Din分别表示炉内一批电池片中均值最大和最小值。

表1 没带压力自平衡系统炉内电阻分布

表2 带压力自平衡系统炉内电阻分布

对表1、表2数据进行分析可发现,由于外围不稳定等原因,没有增加压力平衡系统的电池片,炉口电阻和片内均匀性都会出现“爬坡”的现象,如图3、图4所示,越靠近尾气抽气管口越明显,通常是出现的上面两角(1,2)阻值偏大,下面两角(4,5)偏小的现象,增加了压力平衡装置后工艺效果有所改善,炉内电阻均匀性要好,特别是炉口,之前受尾气管近端的影响大,增加压力平衡后,电阻值能保证和炉内一致,片内,片间的均匀性都有所提高。

图3 两种系统片内均匀性比较图

图4 两种系统电阻分布图

4 结论

扩散设备反应管压力自动控制系统提出了一种对于扩散工艺效果优化的方案,结构简单,但又考虑了腐蚀性尾气对系统的影响,稳定性强,适用于大生产的需求。研究表明:

(1)压力自平衡系统能解决外围因素对炉内硅片扩散效果的影响,使炉内气流均匀,扩散电阻批间差别减小,均匀性提高;

(2)维持管内压力稳定,管内压力高于管外,但是当开炉时,管外的空气会出现倒灌的现象,压力平衡很好的解决这个问题,当参考压力值低于炉口参考点时,系统就会用给尾气冲N2的方式减少尾气排放,从而达到管内压力增加,防止管口的空气进入反应管内污染反应管。

[1]刘良玉,彭志坚.软着陆洁净闭管扩散炉研制[J].电子工业专业设备,2010,39(2):39-42.

[2]何堂贵.晶体硅太阳电池制作中的扩散工艺研究[D].成都:电子科技大学,2009.

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