极紫外投影光刻光学系统

王丽萍

(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春 1300332)

1 引 言

极紫外光刻 (EUVL)是以波长为 11～14 nm的 EUV射线为曝光光源的微电子光刻技术,适用于特征尺寸为 32 nm及更细线宽的集成电路的大批量生产[1]。EUV光源的特点决定了 EUVL必须采用镀有多层膜的反射光学元件。为满足光刻成像的质量要求,EUVL光学系统像差要控制在1 nm以内。波像差需细致地分配到影响成像质量的每个细节因素之中,如反射镜基底、膜层厚度等等。由于元件工作面的中、高频粗糙度直接影响像面对比度和系统能量传输,元件的面形精度和粗糙度要达到深亚纳米量级。经过 20年的发展,随着对波像差、元件面形粗糙度及多层膜厚度要求的改进和提高,EUVL的光学加工、装调及镀膜技术日趋成熟。光学元件面形误差及中、高频粗糙度加工精度达 0.1 nm r ms的大口径 EUVL元件已经集成到 EUV光学系统中,EUV光学系统的波像差达到衍射极限[2,3]。EUV光学技术的发展为与之有相似研究平台的科学领域,如空间光学、X射线显微镜、等离子体诊断等技术的进步提供了支持。本文详细介绍了现有 EUVL实验样机及其光学系统的参数特性,总结了 EUV光学系统设计原则,深入讨论了 EUV投影曝光系统及照明系统设计方法。

2 EUVL实验样机及其光学系统

随着极紫外投影光刻 (EUVL)技术的不断进步,EUVL系统经历了可行性验证、关键技术评估、商业化生产 3个发展阶段。根据不同阶段目标要求,该光学系统历经了一系列演变。

EUVL光学系统由照明系统和微缩投影光学系统组成,受其工作波段限制只能采用全反射式系统。而镀制了Mo/Si多层膜的反射元件,正入射时只能获得 70%左右的反射率,因此,EUVL光学系统必须尽可能减少反射镜的个数。

微缩投影光学系统的设计指标体现了 EUVL不同阶段的发展目标。考虑到扫描曝光时掩模和硅片位于系统同侧引起的硅片移动受限和光路内机械结构的遮拦等影响,光学系统设计宜采用少于 8片的偶数片光学元件。

EUVL研究初期,日本 NTT公司、美国 LLNL以及美国(AT&T)公司采用非球面两镜曝光系统分别获得了100 nm线宽/间距曝光条纹,论证了EUVL成为新一代光刻技术的可行性[4～9]。此阶段的两镜系统设计有 Schwarzschild、Offner及平场结构,其数值孔径 (NA)取值接近 0.1,后两者采用环形视场用于大视场、无遮拦、扫描曝光系统的初步研究。上述两镜系统均属于原理性实验装置,直到 2000年,美国能源部下属的 3个实验室开发出 ETS(Engineering Test Stand)原型机,EUVL向产业化迈进的技术路线才得到了验证。ETS实现了 100 nm分辨率全视场扫描曝光,真正奠定了 EUVL向商业化发展的道路。该系统由 4个反射镜组成,如图1所示,图中M1,M2,M4为非球面,M3为球面,镜面的面形精度达 0.22 nm,每个镜面均镀制有中心波长为 13.4 nm的Mo/Si多层反射膜。系统的 NA为 0.1,微缩比为4∶1,像方扫描视场为 26 mm×1.5 mm的环形视场,成像分辨率 ＜100 nm,设计残差 ＜0.25 nm RMS值。装调后 EUV干涉仪检测得到的系统波像差 RMS值达到 1.2 nm。第一套 ETS系统获得了 100 nm线宽 /间距扫描曝光条纹,第二套 Set2系统获得了60 nm线宽 /间距静态曝光条纹[10],如图2所示。

图1 ETS光学系统Fig.1 Optics of ETS

图2 ETS Set2静态曝光条纹Fig.2 Elbow patterns printed by ETS Set2

随着 EUVL技术的发展及 193 nm浸液式光刻 45 nm节点的产业化技术的成熟,2000年后EUVL直接迈向 32 nm的技术节点。在此期间的关键任务是攻克实现 32 nm技术节点产业化的各项单元技术,如光学元件的制造、检测,掩模及抗蚀剂制造,真空系统及环境控制等,为商业化生产提供技术支持。Sematech、Nikon、Canon等公司均已成功研制了 NA为 0.3,微缩比为 5∶1的小视场两镜曝光系统—MET、H INA、SFET见图3～6,为32 nm技术节点商业化生产做出了技术积累与评估[11～16]。这些系统为掩模及抗蚀剂制造技术进一步发展提供了实验平台,亦可作为 EUVL技术在生产条件下使用的测试平台,发现并解决量产过程中出现的问题。这是 EUVL产业化过程中的关键阶段,各项技术在此阶段逐步走向成熟。2001年 ～2005年间,Sematech公司研制了 4套MET,Nikon公司研制了 3套 H INA,在不断的技术改进过程中系统逐渐完善。MET光学系统由Carl Zeiss公司提供,镜面的面形精度达0.21 nm,像方曝光视场为 0.2 mm×0.6 mm,装调后系统波像差 RMS值达到 0.7 nm。Nikon公司的 H INA的面型加工精度达到 0.25 nm[17],H INA、SFET像方曝光视场均为 0.3 mm×0.5 mm,装调后系统波像差 RMS值达到 0.9 nm[18]。MET、H INA 、SFET最终都获得了 32 nm线宽 /间距曝光条纹,完成了 32 nm节点产业化技术评估。

图3 MET的光学元件Fig.3 Optical element ofMET

图4 H INA的外廓图Fig.4 Internal structure of H INA

图5 H INA元件的安装图Fig.5 Photographs of projection optics of H INA

图6 SFET的投影光学系统Fig.6 Projection optics of SFET

2006年,AS ML的两套 Alpha样机 ADT研制成功,分别交付美国 CNSE与比利时 IMEC。ADT是世界上第一台NA为 0.25,可实现 35 nm线宽 /间距分辨率、26 mm×33 mm全视场曝光的全功能 EUV光刻设备[19～21],见图7。ADT的最初设计目标是为 EUVL积累技术,因此,该设备的产量不高。投影光学系统系统包含 6个反射镜,由Carl Zeiss公司设计加工,镜面的面形精度达0.25 nm,微缩比为 4∶1,像方曝光视场为 26 mm ×2 mm的环形场,系统的成像分辨率 ＜40 nm,装调后 EUV干涉仪检测得到的系统波像差 RMS值达到 1.1 nm。2007年,ADT在 80 nm焦深范围内获得了 32 nm线宽 /间距曝光条纹。目前 ADT的研发目标是 EUVL22 nm及 32 nm技术节点的曝光光学系统 3300B和 3300C[22]。

图7 ADT的外廓图及设计指标Fig.7 Photograph ofADT and its specification

Nikon六镜系统 EUV1(图8)的各视场波像差 RMS均值达到 0.4 nm,获得了 26 nm节点 (密线及单线)曝光图形。该系统环形曝光视场为26 mm ×2 mm,微缩比为 4∶1。图9为 EUV1光学元件的低频、中频、高频粗糙度 (Low-spatial-frequency Roughness,LSFR;Mid-spatial-frequency Roughness,MSFR;High-spatial-frequency Roughness,HSFR)和功率谱密度 (Power Spectral Density,PSD),其系统反射元件的面形精度已达 27 pm[23,24]。Canon公司六镜系统 VSI仍处于研发阶段,两套系统都以实现 EUVL的量产为目标[25]。

图8 EUV1光学系统模块Fig.8 Photograph of projection optics of EUV1

图9 EUV1光学元件加工精度Fig.9 LSFR,MSFR,HSFR and PSD of a polished aspheric mirror in projection optics of EUV1

2008年,美国LBNL实验室设计了 NA为 0.5的曝光系统 MET2[26],为 16～11 nm节点 EUVL技术研究做储备,设计分辨率为 8 nm的MET2将为大数值口径 EUVL系统研究提供帮助,促使半导体工业向新技术节点迈进。

3 EUVL光学系统设计原则

3.1 EUVL投影光学系统设计要求

(1)非球面加工因素

EUVL光学系统每一个参数的选定都需要有充分的考虑。曝光系统的设计不仅要达到衍射极限分辨率的要求,更要兼顾到影响系统集成的各种因素以降低系统研制风险[3]。非球面光学元件加工、检测水平是其中最严重的制约因素。设计过程中首先要考虑镜面最大非球面度的允许值,它决定了干涉仪最大条纹数及补偿光学系统参数。非球面度的增大会带来中频波纹度升高的风险。非球面度在径向上的梯度变化是更重要的指标,它决定了干涉仪的测量精度即局部条纹密度。梯度变化越快,所需的加工磨头越小,加工时间越长,在此过程中由磨头定位、震动引起的中频波纹度将会增加,最终导致中频波纹度平滑效率下降。

(2)系统结构参数

考虑到真空系统及机械结构方面要求,后工作距应留有一定余量,以保证像方机械调整及系统波像差检测的顺利进行。微缩倍率的选取需兼顾物像距、掩模条纹大小等因素。曝光系统微缩比通常为 5∶1和 4∶1。

(3)多层膜对系统波像差影响

考虑到光学元件表面需镀制Mo/Si多层反射膜,镜面曲率及入射光在镜面上的角度变化都要加以控制,入射角度变化范围大的元件需镀制梯形膜。多层膜缺陷不仅带来振幅变化,影响镜面反射率,它还带来位相变化,影响系统的波像差[27,28]。薄膜位相变化常引入两种波像差:离焦和像散。它带给光学系统的波像差通常在毫波长级,一般光学系统对此影响可忽略不计,但对于大数值孔径、成像质量达到衍射极限的反射式EUVL光学系统,则必须考虑此因素的影响。

3.2 EUVL照明系统设计要求

照明系统也是 EUVL的核心部分之一,光源发出的光束经照明系统后照明掩模板,再由投影物镜系统将掩模板上的电路图形复制到硅片表面。对线宽只有 32 nm甚至更小的线条图形进行精确复制,要求照明系统与投影系统必须协调工作[29]。

投影光刻对照明系统的要求:

(1)照明分布均匀

照明区域内照度均匀是获得均匀曝光量的必备条件,EUV要求照明均匀性应 ＜±1%。如果照度不匀,在掩模上相同线宽的图形,在硅片上因图形位置不同会复制出不同线宽。

(2)相干因子

照射到掩模各点的照明光NA与投影光学系统掩模侧NA的比值称为照明相干因子σ,它是控制曝光装置分辨率的关键量。σ=0时是相干照明;σ=∞时是非相干照明。实际装置的相图因子位于 0＜σ＜1之间。折中考虑 EUVL曝光系统所需的分辨率和像对比度,σ选值为 0.7。

σ是直接影响投影光学系统分辨率的参数,如果照明区σ值不均匀,各向异性将导致分辨率因曝光范围或图形方向不同而不同[30,31]。

(3)元件数量及光线入射角限制

采用反射式系统,反射角度分为近似正入射和掠入射两种,前者入射角 ＜25°,后者入射角 ＞75°。两种情况下,反射元件的反射率分别为70%和 90%左右,增加反射元件的数量会减小硅片上的曝光强度,所以极紫外照明系统使用的反射元件数量必须严格控制。

(4)结构紧凑

考虑到真空系统及机械结构调整要求,照明系统应结构紧凑,保证照明系统光轴与投影系统光瞳衔接及系统波像差检测的顺利进行。

4 EUVL投影光学系统及照明系统设计方法

4.1 EUVL投影光学系统设计

分辨率 (RES)和焦深 (DOF)是极紫外投影光刻成像系统的重要参量,二者由 Fraunhofer公式和 Rayleigh公式给出[32]:

式中,k1、k2与系统工艺相关,λ为成像系统所使用的波长。从式 (1)可以看出,提高分辨率可以通过减小λ和提高NA来达到。为了满足高精度的成像质量要求,光学系统要求达到近衍射极限的分辨率,根据 Rayleigh 1/4波长原则和Marechal条件,其综合波像差分别为:δ=1/4λ峰谷值 (PV),σ=1/14λ均方根值 (RMS),而分配到每个光学元件的面形精度要求更高,分别为:

制约 EUVL提高NA的主要因素是焦深减小和设计加工难度。表1给出了NA、特征尺寸与工艺因子k1及焦深的关系。k1＞0.5时,通过光学邻近效应校正满足分辨率要求;0.3＜k1＜0.4时,需要引入离轴照明等其它分辨率增强技术。NA＞0.3的 EUVL光学系统可用于 22 nm节点技术研究;NA＞0.4的可用于 16 nm节点;NA超过0.5的光学系统可用于 11 nm节点技术研究[24]。

表1 NA,k1与焦深的关系Tab.1 Relationship among NA,k1and DOF

图10 非球面 6镜投影光学系统结构Fig.10 6-mirror projection optics of EUVL

EUVL技术批量化生产很可能在 22 nm技术节点实现,通过使用分辨率增强技术,适应于22～16 nm节点的投影光学系统 NA约为 0.35。环形视场非球面 6镜设计可以满足此要求。EUVL 6镜投影系统如图10所示,常用型式有 4种[33～35]:

(1)PNPPNP型 (P表示凹面镜 ;N表示凸面镜)

与凹面镜相比,凸面镜的检测更困难。此结构包括凹面镜数量多,可降低元件加工难度和成本。光阑位于M2上,易于调节相干因子。M1承担了较大的系统光焦度,导致M1,M2,M3面上入射角度大,在薄膜设计优化时要考虑此因素。此结构的缺点是后工作距过小,M2,M5镜非球面度及陡度大。

(2)PPNPNP型

将正光焦度分配到M1,M2上可减小各光学面主光线入射角度,降低了反射膜的设计和镀制难度。此结构元件非球面度小,总长较大。M4元件口径过大是系统的主要缺点,也是减小入射角度的代价。

(3)PNNPNP型

此结构采用正负镜连续组合的形式来消场曲,像差校正较好。非球面度和各镜面主光线入射角度控制适当,具有扩大视场,提高系统 NA的潜力。此结构的缺点与 PPNPNP型相同,中间像点前的M4镜口径在加工、镀膜中需注意。

(4)NPNPNP型

虽然凸镜的检测困难,但凸镜的使用可减小主光线入射角度及非球面口径。M2,M3及M4近同心,像差得到有效的控制,有扩大视场,提高系统NA的潜力。

从综合像差特性、光线入射角度、后工作距及降低加工检测风险考虑,PPNPNP结构是最合适的选择。同时,NPNPNP和 PNNPNP结构也具有较强的可塑性。

16 nm技术节点 EUVL投影光学系统的 NA需大于 0.4,光学设计与加工难度将显著提高。NA越大,满足光学性能要求的环形视场宽度越小。增加反射镜数量,允许中心遮拦可以为 EUVL光学系统设计提供更大的自由度,更可能实现大NA的系统设计。8镜投影光学系统 NA可超过 0.4,但能量损失会显著增大,且元件面形误差要达到 pm级。如果设计中允许中心遮拦出现,投影系统NA可大于 0.5,但光瞳面光强分布不均将破坏系统的成像质量。

OanaMarinescu利用鞍点构建方法优化 EUV投影光学系统,获得了新型投影物镜结构[36]如图11所示,但新设计的实用可行性有待分析。

图11 由鞍点构建方法设计的投影光学系统结构Fig.11 Projection optics generated with saddlepoint construction

Carl Zeiss公司设计了分辨率可达 11 nm的投影光学系统[37]。图12(a)为 8镜无遮拦系统,图12(b)为 6镜有遮拦系统。两种结构的 NA都为0.5。

图12 Carl Zeiss设计的 NA为 0.5的投影光学系统Fig.12 Different type systems with NA of 0.5

4.2 EUVL照明光学系统设计

照明系统通常采用正入射复眼反射镜的柯勒照明来确保照度及口径均匀性。复眼结构是一种光学积分仪,将光源发射光束进行空间分离,形成由多个会聚点组成的二次光源。将这种二次光源当作发散光源。柯勒照明将光源像成像于投影光学系统入瞳。来自光源各处的光重叠照射在掩模板上,确保照度均匀性[38],图13表述了这些原理。

图13 复眼照明系统原理图Fig.13 Principle of fly eye illumination optics

以下 4种方法可以提升照明系统性能[39～41]:

(1)改变复眼反射镜的排列方式,将小镜面由边缘对齐的结构调整为边缘不对齐的分布结构。由图14(a)、(b)比较可发现,(b)所示复眼反射镜形成的子光源在孔径光阑内分布更均匀,更容易实现光能的均匀分布。

图14 复眼元件排列方式Fig.14 Arrangement of facets

(2)根据光源辐射特性,调整部分小镜面倾斜角度,改变前后组复眼中小镜面空间对应关系,改善掩模面照度均匀性。

(3)改变后组复眼反射镜中小镜面的截面形状,提高照明系统能量利用率。当被照明区域长宽比大时,小镜面形成的子光源大小将受到小镜面较小边限制,不利于光能收集,影响均匀照明。如图15所示,改变前后组小镜面横截面形状对应关系,前组的小镜面横截面形状与掩模照明区相同,后组的小镜面横截面形状接近方形。可以更有效地收集能量。

图15 前后组复眼元件对应方式Fig.15 Rule of correspondence between the two facets

(4)可根据光路设计要求将元件面形复杂化以补偿元件数量的限制,例如可通过将元件非球面化,提高照明系统性能。

5 结束语

今天,极紫外光刻已被认为是最有前景的光刻技术之一,其中,曝光光学系统性能直接决定着光刻图形质量。本文介绍了 EUVL实验样机及其曝光系统设计,讨论了 EUVL光学系统设计原则。对比分析了适用于 22 nm节点的 EUVL非球面六镜投影光学系统,提出了改善 EUVL照明均匀性的方法。

EUVL技术经过近 20年的发展,在光学元件加工、系统检测、装调等关键单元技术方面均已逐步成熟。尽管随着技术的进步,未来的光刻技术将是多元化的,应用领域也会不断延深,但就占有率最大的半导体和微电子领域,极紫外光刻仍是最被期待的,有理由认为,EUVL很可能在 22 nm节点实现量产。

[1] HUDY MA R M.An overview of optical systems for 30 nm resolution lithography at EUV wavelengths[J].SPIE,2002,4832:137-148.

[2] WOODA O,KOAYB C-S,PETR ILLOB K.EUV Lithography at the 22 nm technology node[J].SPIE,2010,7636:76361M/1-76361M/8.

[3] BAKSH IV.EUVLithography[M].Bellingham:SPIE Press,2009.

[4] JEWELL T E.Reflctive system design study for softX-ray projection lithography[J].J.Vac.Sci.Technol.,1990,B8(6):1519-1523.

[5] GOLDS M ITHA J EM,BARRA P K,BERGERA KW.Recent advances in the Sandia EUV l0xmicrostepper[J].SPIE,1998,3331:11-19.

[6] KUR IHARA K.Two-mirror telecentric optics for soft X-ray reduction lithography[J].J.Vac.Sci.Technol.,1991,B9(6):3198-3192.

[7] JEWELL T E.Two aspheric mirror system design for SXPL[A].OSA Proceedings on Soft X-Ray Projection Lithography[C].Monterey,California,May 10-12,1993,18:71-74.

[8] GOLDS M ITH J E M,BERGER KW,BOZ MAN D R,et al..Sub-100-nm imaging with an EUV 10x microstepper[J].SPIE,1999,3676,:264-271.

[9] 金春水,王占山,曹健林.软 X射线投影光刻原理装置的设计[J].光学精密工程,2000,8(1):66-70.J IN CH SH,WANG ZH SH,CAO J L.Development of elementary arrangement for soft X-ray projeetion lithography[J].Opt.Precision Eng.,2000,8(1):66-70.(in Chinese)

[10] TI CHENOR D A,RAY-CHAUDHUR IA K,REPLOGL W C,et al..System integration and performance of the EUV engineering test stand[J].SPIE,2001,4343:19-37.

[11] BOOTH M,BR IOSO O,BRUNTON A.High-resolution EUV imaging tools for resist exposure and aerial image monitoring[J].SPIE,2005,575:178-89.

[12] SOUFL IR,HUDY MA R M,SP ILLER E,et al..Sub-diffraction-l imited multilayer coatings for the 0.3 numerical aperture micro-exposure tool for extreme ultraviolet lithography[J].Appl.Opt.,2007,46:3736-3746.

[13] GOLDBERG KA,NAULLEAU P P,DENHAM P E,et al..At-wavelength alignment and testing of the 0.3-NA MET optic[J].J.Vac.Sci.Technol.,2005,B22(6):2956-2961.

[14] ROBERTSL J M,BACU ITAL T,BR ISTOLL R L.One s mall step:world′s first integrated EUVL process line[J].SPIE,2005,5751:64-77.

[15] NAULLEAU P P,ANDERSON C N,Dean K,et al..Recent results from the Berkeley 0.3-NA EUV microfield exposure tool[J].SPIE,2007,6517:65170V/1-65170V/8.

[16] NAULLEAU P P,ANDERSON C N,BACLEA-AN L-M,et al..The SEMATECH Berkeleymicrofield exposure tool:learning at the 22-nm node and beyond[J].SPIE,2009,7271:72710W/1-72710W/11.

[17] O IZUM IH,TANAKA Y,KUMASAKA F,et al..Lithographic performance of high-numerical-aperture(NA=0.3)EUV Small-Field Exposure Tool(H INA)[J].SPIE,2005,5751:102-105.

[18] UZAWA S,KUBO H,M IWA Y,et al..Path to the HVM in EUVL through the development and evaluation of the SFET[J].SPIE,2007,6517:651708/1-651708/10.

[19] ME IL ING H,BOON E,BUZ INGN,et al..Performance of the full-field EUV systems[J].SPIE,2008,6921:69210L/1-69210L/13.

[20] ME IL ING H,BUZ ING N,CUMM ING S K,et al..EUVL systems:moving towards production[J].SPIE,2009,7271:727102/1-727102/15.

[21] HARNED N,GOETHALSN,GROENEVELD R,et al..EUV lithographywith the Alpha Demo Tools:status and challenges[J].SPIE,2007,6517:651706/1-651706/12.

[22] WAGNER C,HARNEDA N,KUERZB P,et al..EUV into production with AS ML′s NXE platform[J].SPIE,2010,7636:76361H/1-76361H/16.

[23] M IURA T,MURAKAM I K,SUZUKI K,et al..Nikon EUVL development progress summary[J].SPIE,2006,6151:1-10.

[24] M IURA T,MURAKAM I K,KAWA IN IKON H,et al..EUVL development progress update[J].SPIE,2010,7636:76361G/1-76361G/16.

[25] MOR I I,SUGA O,TANAKA H,et al..Selete′s EUV program:progress and challenges[J].SPIE,2008,6921:692102/1-692102/12.

[26] GOLDSTE IN M,HUDY MA R,NAULLEAU P,et al..Extreme-ultravioletmicroexposure tool at 0.5 NA for sub-16 nm lithography[J].Opt.Lett.,2008,33(24):2995-2997.

[27] SOUFL IR,SP ILLER E,SCHM IDTM A,et al..Multilayer optics for an extreme ultraviolet lithography toolwith 70 nm resolution[J].SPIE,2001,4343:51-59.

[28] CHEN L,M ICHAEL,DESCOUR R,et al..Multilayer-coating-induced aberrations in extreme-ultraviolet lithography optics[J].Appl.Opt.,2001,40(1):129-135.

[29] M ICHALOSKI P.Requirements and designs of illuminators formicrolithography[J].SPIE,2004,5525:1-10.

[30] HAGA T,K INOSH ITA H.Illumination system for extreme ultraviolet lithography[J].J.Vac.Sci.Technol.B,1995,13(6):2914-2918.

[31] KOMATSUDA H.Novel illumination system for EUVL[J].SPIE,2000,3997:765-776.

[32] BORN M,WOLF E.Principles of Optics7th Edition[M].Cambridge:Cambridge University Press,1999.

[33] HUDY MA R M.High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography:US,6072852[P].2000-06-00.

[34] CHAPMAN H N,HUDY MA R M,SHAFER D R,et al..Reflective optical imaging system with balanced distortion:US,5973826[P].1999-10-26.

[35] HUDY MA R M.High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet projection lithography:US,6033079[P].2000-03-07.

[36] MAR INESCU O,BOC IORT F.Saddle-point construction in the design of lithographic objectives[J].Opt.Eng.,2008,47(9):093002/1-093002/6.

[37] LOW ISCH M,KUERZ P,MANN H-J,et al..Optics for EUV production[J].SPIE,2010,7636:763603/1-763603/11.

[38] ANTON IM,S INGERA W,SCHULTZ J,et al..Illumination optics design for EUV-lithography[J].SPIE,2000,4146:25-34.

[39] MURAKAM I K,OSH INO T,KONDO H.Development of optics for EUV lithography tools[J].SPIE,2007,6517:65170J/1-65170J/8.

[40] OSH INO T,SH I RA ISH IM,KANDAKA N,et al..Development of illumination optics and projection optics for high-NA EUV exposure tool(HiNA)[J].SPIE,2003,5037:75-81.

[41] S M ITH D G.Modeling EUVL illumination systems[J].SPIE,2008,7103:71030B/1-71030B/8.