飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议
2010-08-15本刊通讯员
电子与封装 2010年5期
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司就采用MLP 3×3(Power33™)和Power Stage 3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性,同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术,为3A~20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
飞兆半导体低压产品高级副总裁John Bendel称:“飞兆半导体和英飞凌实现了引脚输出的标准化,并在性能水平方面相辅相成,为客户提供两个供货来源以满足计算、电信和服务器市场对高效率设计的需求。这些协议(pack age alignment)的目的是通过多个来源和行业标准封装,为客户提供性能领先的产品。”
英飞凌科技低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示:“我们不单通过减少市场上的‘独有’封装种类,能够使客户从功率产品封装的标准化中获益,还能够以相较上一代产品更小的占位面积,带来提升效能水平的解决方案。”