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化学浴法制备硒硫化锑薄膜及其相应太阳电池光伏性能的研究

2024-02-13陈文进史成武

当代化工研究 2024年1期
关键词:硫代硫酸钠硫酸钠酒石酸

*陈文进 史成武

(合肥工业大学化学与化工学院 安徽 230009)

硒硫化锑(Sb2S3-ySey)具有单一稳定的晶相、带隙可调、吸收系数高、环境友好等特点,是一种有前景的太阳电池吸收层材料[1-2]。目前,Sb2S3-ySey薄膜的制备方法主要有:气相法、热解法、水热法、化学浴法等[3-10]。Sb2S3-ySey薄膜的制备方法和厚度对相应太阳电池的光伏性能有着重要的影响。Tang等人使用Sb2Se3粉末和S粉作为源,通过气相法制备了Sb2S3-ySey薄膜,研究了沉积时间对Sb2S3-ySey薄膜及其相应太阳电池光伏性能的影响。结果表明,当沉积时间由30s延长至35s时,所得Sb2S3-ySey薄膜的厚度由400nm增加到470nm,相应太阳电池的光电转换效率(PCE)由5.01%增加到5.79%[3]。Chen等人以酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒脲作为Sb、S、Se源,乙二胺四乙酸(EDTA)作为添加剂,通过水热法制备了Sb2S3-ySey薄膜,系统研究了EDTA对Sb2S3-ySey薄膜及其相应太阳电池光伏性能的影响。结果表明,当生长液中加入EDTA,所得Sb2S3-ySey薄膜的厚度由未加EDTA的290nm增加到370nm,相应太阳电池的PCE由未加EDTA的9.4%增加到10.5%[9]。Tang等人同样以酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒脲作为Sb、S、Se源,通过化学浴法制备了Sb2S3-ySey薄膜,系统研究了生长时间和生长液中硒脲浓度对Sb2S3-ySey薄膜及其相应太阳电池光伏性能的影响。结果表明,生长时间为1.5h、2.0h、2.5h、3.0h、3.5h、4h、4.5h时,所得Sb2S3-ySey薄膜的厚度分别为140nm、200nm、230nm、350nm、480nm、500nm、520nm,相应太阳电池的PCE分别为3.33%、4.20%、4.80%、5.33%、4.69%、4.47%、3.47%;当生长时间为3h,将硒脲浓度由4.46mmol·L-1增加到9.34mmol·L-1时,相应太阳电池的PCE由5.33%提升至8.27%[10]。到目前为止,还没有以廉价、高活性的硒代硫酸钠作为硒源,使用化学浴法制备Sb2S3-ySey薄膜并组装相应太阳电池的研究报道。

本文以酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒代硫酸钠作为Sb、S、Se源,通过化学浴法于70℃制备Sb2S3-ySey薄膜并组装相应的太阳电池,系统研究了化学浴生长时间对所得Sb2S3-ySey薄膜的微结构、晶相、光学吸收以及相应太阳电池光伏性能的影响。

1.实验部分

(1)硒代硫酸钠(Na2SSeO3)溶液的制备

将16mmol Na2SO3、4mmol Se、40mL去离子水加入50mL聚四氟乙烯内釜,将反应釜置于140℃烘箱中反应7h,得物质的量浓度约为0.1mol·L-1的Na2SSeO3溶液。

(2)Sb2S3-ySey薄膜的制备

将9.6mmol酒石酸锑钾(KSbC4H2O6·1.5H2O)溶于56mL去离子水,得酒石酸锑钾溶液;将9.6mmol硫代硫酸钠(Na2S2O3·5H2O)溶于20mL去离子水,得硫代硫酸钠溶液;把硫代硫酸钠溶液和酒石酸锑钾溶液混合均匀,再加入上述4mL 0.1mol·L-1的Na2SSeO3溶液搅拌均匀,得化学组成为120mmol·L-1酒石酸锑钾、120mmol·L-1硫代硫酸钠、5mmol·L-1硒代硫酸钠的化学浴生长液;将4片CdS/FTO基底用聚四氟乙烯夹具固定,使CdS面斜向下方并置于100mL烧杯底部,倒入上述生长液,将烧杯用保鲜膜密封后放入70℃的水浴箱中生长5h、7h、9h,得非晶的Sb2S3-ySey薄膜;将非晶的Sb2S3-ySey置于110℃的真空烘箱中加热1min,接着在充满氮气的手套箱中,于350℃的加热板退火10min,得晶态Sb2S3-ySey薄膜。

(3)Sb2S3-ySey太阳电池的组装

Sb2S3-ySey太阳电池的结构为FTO/CdS/Sb2S3-ySey/spiro-OMeTAD/Au。其中,CdS薄膜的化学浴制备与先前的报道类似[11],其生长液组成为1.50mmol·L-1硝酸镉、0.048mol·L-1硫脲、1.69mol·L-1氨水,于65℃沉积14min,随后旋涂20mg·mL-1CdCl2甲醇溶液,接着在空气中于400℃退火10min,得CdS薄膜。spiro-OMeTAD薄膜和Au电极的制备与先前的报道一致[11]。

(4)测试与表征

通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM,Gemini SEM 500,Zeiss)观察Sb2S3-ySey薄膜的形貌;使用X射线衍射仪(XRD,D/MAX2500V,Rigaku,Japan)分析Sb2S3-ySey薄膜的物相和结晶度;利用紫外-可见分光光度计(UV-Vis,CARY 5000,Agilent,USA)测量Sb2S3-ySey薄膜的吸收光谱;使用数字源表(Keithley 2420,USA)和太阳光模拟器(Oriel Sol 3A,Newport,USA)组成的光源测试系统测试Sb2S3-ySey太阳电池的光伏性能,光强为100mW·cm-2(AM1.5)并通过标准单晶硅参比电池(Oriel,Newport,USA)进行标定,利用测试软件(Test Point)自动完成太阳电池光伏性能参数的输出,太阳电池的有效面积为0.09cm2[12]。

2.结果与讨论

(1)Sb2S3-ySey薄膜的微结构、晶相与光学吸收

图1是生长时间为5h、7h、9h所得Sb2S3-ySey薄膜的表面和断面SEM照片。从图1(a~c)可以看出,三种Sb2S3-ySey薄膜的表面均是致密全覆盖的。从图1(d~f)可以看出,当生长时间为5h、7h、9h时,所得Sb2S3-ySey薄膜的厚度分别为70nm、100nm、110nm,随着生长时间的增加,相应的厚度增加;当生长时间由5h增加到7h时,相应Sb2S3-ySey薄膜厚度增加了30nm,当生长时间由7h增加到9h时,相应Sb2S3-ySey薄膜厚度只增加了10nm,这主要是由于在反应的开始阶段,KSbC4H2O6·1.5H2O、Na2S2O3·5H2O、Na2SSeO3三种物质的浓度较高,而随着反应的进行,这三种物质的浓度下降,因此生长时间5h到7h之间膜厚的增加比7h到9h之间要多。

图1 Sb2S3-ySey薄膜的表面和断面SEM照片

图2是生长时间为5h、7h、9h所得Sb2S3-ySey薄膜的X射线衍射花样和紫外-可见-近红外吸收光谱。从图2(a)可以看出,在2θ=26.6°、33.6°、37.7°处的衍射峰为FTO(JCPDS:46-1088)的衍射峰;在2θ=24.9°、26.6°、28.3°处的衍射峰为六方相CdS(JCPDS:80-0006)的衍射峰;除了FTO和CdS的衍射峰外,三个薄膜均在2θ=17.1°、24.3°、27.7°、28.3°、31.4°、32.4°、34.4°处出现了衍射峰,这些衍射峰都是Sb2S3-ySey的衍射峰,分别对应Sb2S3-ySey的(120)、(130)、(230)、(211)、(221)、(301)、(240)晶面(JCPDS:15-0861),说明使用化学浴法在CdS/FTO衬底上成功沉积了Sb2S3-ySey薄膜。从图2(b)可以看出,三个薄膜的吸收开端均约为870nm,相应的光学带隙为1.43eV,介于Sb2Se3(1.1eV)和Sb2S3(1.7eV)之间,当生长时间从5h增加到7h和9h时,所得Sb2S3-ySey薄膜在400~800nm的波长范围内的吸收强度增加,这应当与Sb2S3-ySey薄膜的厚度增加有关。

图2 Sb2S3-ySey薄膜的(a)X射线衍射花样和(b)紫外-可见-近红外吸收光谱

(2)Sb2S3-ySey太阳电池的光伏性能

图3是生长时间为5h、7h、9h所得Sb2S3-ySey太阳电池的光电流-光电压特性曲线,详细的光伏性能参数如表1所示。当生长时间为5h时,相应Sb2S3-ySey太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流密度(Jsc)、填充因子(FF)、PCE分别为0.44V、20.59mA·cm-2、58.71%、5.27%。当生长时间从5h增加到7h时,相应Sb2S3-ySey太阳电池的Voc仍为0.44V,Jsc、FF、PCE增加到21.80 mA·cm-2、58.98%、5.66%,这主要是由于Sb2S3-ySey薄膜厚度增加,在可见光范围内的吸收增加。当生长时间从7h增加到9h时,相应Sb2S3-ySey太阳电池的Voc仍为0.44V,Jsc、FF、PCE略微降低至21.77mA·cm-2、58.48%、5.64%,虽然Sb2S3-ySey薄膜厚度略微增加了10nm,但其光伏性能反而没有继续增加,这可能是由于Na2SSeO3的浓度降低,生成的Sb2S3-ySey薄膜中的Se含量下降、缺陷增加。因此,最佳的化学浴生长时间为7h。

表1 Sb2S3-ySey太阳电池的光伏性能参数

图3 Sb2S3-ySey太阳电池的光电流-光电压特性曲线

3.结论

本文以酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒代硫酸钠作为锑、硫、硒源,通过化学浴法于70℃成功制备了Sb2S3-ySey薄膜并组装了相应太阳电池,系统研究了生长时间对所得Sb2S3-ySey薄膜的微结构、晶相、光学吸收及其相应太阳电池光伏性能的影响。结果表明,当生长液的化学组成为120mmol·L-1酒石酸锑钾、120mmol·L-1硫代硫酸钠、5mmol·L-1硒代硫酸钠,生长温度为70℃,生长时间为5h、7h、9h时,所得Sb2S3-ySey薄膜的厚度为70nm、100nm、110nm,相应太阳电池的光电转换效率为5.27%、5.66%、5.64%,其化学浴的最佳生长时间为7h。因此,通过应用廉价、高活性的硒代硫酸钠作为硒源,可以拓宽化学浴制备Sb2S3-ySey薄膜的原材料选择,为大面积制备Sb2S3-ySey薄膜提供一定的理论与技术支撑。

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