高频低压平面变压器磁芯气隙的研究
2021-11-17程志江孟德炀翁雄亮
王 星,程志江,孟德炀,翁雄亮
(新疆大学电气工程学院,新疆乌鲁木齐 830047)
1 引言
在磁化曲线(B-H曲线)中,当磁场强度(H)达到某一值时,磁感应强度(B)就不再随磁场强度的增加而增加了,这种现象就叫做磁饱和现象。为防止磁饱和现象的发生,通常在磁路中加入一段气隙,降低磁导率,不仅可以防止磁饱和的发生,而且可以减小剩磁,提高变压器功率。但是增加气隙会使变压器的电感量下降,降低其耦合系数,因此选择最佳的气隙要综合来考虑。文献[1]中分析了磁芯中有气隙和无气隙时的磁化曲线和损耗曲线,并无研究其寄生参数。文献[2]-[3]分析了扼流式变压器和工频变压器,产生磁饱和的原因、影响以及提出有效的预防措施。目前对于高频平面变压器的磁饱和研究相关文献较少。
本文将通过理论计算和软件仿真,综合研究磁芯气隙对高频低压平面变压器电气参数的影响。
2 饱和电流计算及气隙计算
假设通过磁芯的磁场是均匀且垂直于磁芯的横截面。由高斯磁场定律
Φs=Β×S
(1)
式中:Φs为副边绕组的磁通量,B为磁感应强度,S为截面积。
由磁路的欧姆定律得
(2)
式中:Φp为原边绕组的磁通量,Em为磁通势,Rm为磁阻。Np为原边匝数,Ip为原边电流。le为有效磁路长度,μ为磁导率,Ae为有效截面积。其中铁氧体材料的磁导率μ不是一个常数,这给电磁场的分析带来了很多不便。
对于式(2),文献[4]和文献[5]指出发生磁饱和与原边绕组匝数有关,此外,原边绕组中的电流是产生磁场强度(H)的源。故式(2)中只取原边绕组及其电流值进行计算。
忽略漏磁的影响则有
Φp=Φs
(3)
取Ae=S,由式(1)(2)(3)联立得
(4)
(5)
式(5)中,H为磁场强度。此处推导的式(5)与文献[6]中的式(24)有相似之处。
本文研究的高频平面变压器的磁芯选用TDK的EQ30/18/20型的铁氧体。从磁芯数据表中的B-H曲线可得,发生磁饱和时H=850A/m,le1=46mm,Np=4。由于变压器的结构是EEQ型的,故有效磁路长度应乘以2,即le=2×46=92mm,代入数值求得发生磁饱和时的最大电流
(6)
在本文中依据高频平面变压器的功率要求,初级绕组中的电流应为50A,故应增加气隙,降低磁导率μ,防止磁饱和现象。
依据式(5)的变换公式求得
(7)
式(7)求得的磁场强度H是原边电流在预期值50A时的所需的最小值
(8)
式(8)中的磁感应强度B,其数值是磁饱和时的临界值0.51T。
将磁导率换算成相对磁导率
(9)
式中,μe为相对有效磁导率,μo=4π×10-7H/m为空气磁导率。
参考文献[7]中的气隙计算公式算得气隙的长度为
(10)
式中:μi为相对起始磁导率,μi=2300,le=0.092m。
3 高频平面变压器的仿真
3.1 变压器参数
本文依据文献[8]和文献[9]的设计思路设计一款高频平面变压器,其详细参数表1所示。
表1 高频平面变压器参数
本文研究的高频平面变压器绕组采用PCB敷铜的方法,可以减小交流电阻,只在PCB板子的顶层和底层敷铜,每层只有一匝绕组,每块板子之间用隔离板进行隔离,初级绕组和次级绕组采用分层交错叠放的方式,可以减少漏感。根据TDK的EQ30/18/20铁氧体磁芯数据手册,用ANSYS仿真软件搭建的3D模型如图1所示。
图1 高频平面变压器3D仿真模型
高频平面变压器考虑其临近效应,集肤效应以及损耗,其等效电路如图2所示。Rc为铁芯损耗的等效电阻,Lmp为励磁电感,R1和R2分别表示原、副边绕组电阻,L1和L2分别表示原、副边绕组漏感,C1和C2分别表示原、副边绕组各自的分布电容。C12表示原边绕组和副边绕组之间的分布电容。
图2 高频平面变压器等效电路
3.2 涡流场仿真分析
涡流场仿真主要求解气隙对阻抗(电阻R,电感L)的影响,以及磁感应强度(B)和磁场强度(H)的分布图,在仿真求解中设定铁氧体磁芯的频率及仿真激励频率均为100kHz。将仿真得到的数据用MATLAB软件参考文献[8]中的公式求得各参数的计算公式及变化规律(图3)。
图3 各参数仿真变化规律
图3-a)和图3-b)反映的是图2中的等效电感随磁芯气隙的变化规律,当气隙长度小于0.1mm时,励磁电感远远大于线圈自感。图3-c)和图3-d)反应的是等效电阻随磁芯气隙的变化规律。图3-e)反映的是穿过原边绕组(Np)和副边绕组(Ns)的磁通量随磁芯气隙的变化规律,图3-f)反映的是损耗随磁芯气隙的变化规律。图3中的横轴length不是气隙的长度,而是磁芯的中心圆柱体的高度,气隙的长度lg=5.3-length,5.3mm为磁芯的圆柱体的最大高度,此时气隙长度为0mm,例如从图上读取length=5mm,则气隙的长度为0.3mm。
从图3中可以看出,当磁芯气隙长度大于0.1mm时,各参数值几乎为0或者恒定为一定值。当磁芯气隙长度小于0.1mm时,各参数值发生了很大的增加或减少,这种现象,类似于二极管0.7V的开启电压,在此可以将此阈值命名为“磁路气隙阈值”。这种现象的产生是由于空气和铁氧体的磁导率相差很大造成的。从图3-f)可以看出,磁路中的气隙会增加涡流损耗,降低传输效率。
图4 磁感应强度分布图
从图4的a)和b)对比发现,无气隙时磁场强度最大可达150T,在实际中,这是不可能的。当气隙长度为0.5mm时,磁感应强度最大值为800mT,与计算的数据相差不大。
3.3 静电场仿真分析
静电场仿真主要求解气隙对分布电容的影响,其电容矩阵如图5所示。
图5 分布电容
C10为原边绕组间的电容,C12原边绕组与副边绕组间的电容,C20为副边绕组间的电容,C21为副边绕组与原边绕组间的电容。其中C12=C21。
图6 分布电容变化规律
从图6可以看出电容C10和电容C20随气隙长度的减小而增大,电容C12随气隙长度的减小而减小,但是电容C10、C20和电容C12变化幅度并不是很大。
3.4 ANSYS Simplorer电路仿真分析
ANSYS Simplorer和ANSYS Maxwell联合仿真,建立如图7所示的电路简化仿真模型,电源Vdc1的电压为24V,设置pwm_switch1的开关频率为100kHz。
图7 电路简化模型
从图8 可以看出,该仿真得到的波形都有很高的尖峰值,图8-a中仿真的尖峰值为110V,图8-b中的仿真的尖峰值为140V,由此可以得出磁路中增加气隙会增大变压器的输入输出尖峰值。
图8 电路模型仿真波形
4 结论
在涡流场仿真时,磁路中的气隙会增加变压器的涡流损耗。式(4)可以快速粗略计算磁饱和时的饱和电流。磁回路中存在“磁路气隙阈值”,这是由于空气和铁氧体的磁导率相差很大造成的。磁路气隙对高频平面变压器分布电容的影响不是太大。磁路中增加气隙会增大高频平面变压器的原副边电压尖峰值。