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西瓜“沟式栽培”利弊分析及改进措施

2021-06-28罗鸿杨卓吕彩艳马冬妮

西北园艺·蔬菜 2021年3期
关键词:瓜苗西瓜栽培

罗鸿 杨卓 吕彩艳 马冬妮

西瓜的根系属直根系。其初生根少,木质化程度高,再生能力弱,且不耐涝,因而对土壤的通透性要求较高,在生产上多以“垄式栽培”为主。近年来,扶风县召公镇的瓜农们克服当地水资源匮乏的困境,成功开创了露地西瓜“沟式栽培” 的模式,取得了较好的经济效益,打破了当地“没水不种瓜,种瓜钱白花”的传统观念,邻近的乡镇天度、店头(永寿)、临平(乾县)、苏坊(武功)等地的瓜农们也多仿效,有力带动了干旱半干旱地区的西瓜生产。笔者经长期的田间调研发现,西瓜“沟式栽培”相对于传统“垄式栽培”具有抗倒春寒、节约水资源、易于田间管理等优点,但在生产中还有亟待改进的方面。现将两种栽培模式的优缺点作以简要分析,并对“沟式栽培”模式提出可行的改进措施,以期帮助广大瓜农增产增收、促进当地西瓜产业升级。

1   西瓜“垄式栽培”模式优缺点

1.1   “垄式栽培”优点

1)土层疏松,利于西瓜根系生长。垄式栽培一般是在精细整地的基础上,由人工起垄或机械刨垄而成,种植垄在地膜覆盖下降雨、灌溉水不能直接进入,因而垄间土壤疏松、通透性良好,利于西瓜根系正常生长。

2)地温回升快,利于定植后幼苗根系的生长。“垄式栽培”因垄面高于地面,能充分接受太阳辐射热量,相比于“沟式栽培”,其种植带内的地温回升较快,利于定植后的西瓜幼苗生发新根,因而缓苗时间短。

3)地膜与土层接触紧密,抑制杂草效果好。一方面,相对密闭的膜下空间阻隔了杂草萌发时氧气的供应量;另一方面,膜下地表的高温环境(41~48 ℃)也不利于杂草种子发芽,进入高温季节(气温>35 ℃时)后膜下表土温度更高,达50 ℃以上,能直接灼伤杂草生长点及叶片,抑制其生长。

4)雨水不易富集到根部,不会发生沤根、死苗现象。因垄式栽培是凸形畦面,降雨或灌溉水只在垄外行间富集,不会使瓜根际的土壤水分过大而影响其通透性,可有效避免沤根、死苗情况的发生。

1.2   “垄式栽培”缺点   “垄式栽培”需人工开挖定植穴,费工费时。瓜苗定植于畦面顶部,定植穴蓄水有限,不耐干旱;瓜苗处于露天环境,遇太阳暴晒易失水萎蔫,遇寒潮低温易受冷害,导致瓜苗生长缓慢。灌溉时需大水漫灌,浪费水资源,田间土壤板结严重。只能采取行间灌溉,田间湿度大易造成行间杂草丛生。高湿高温环境极易诱发病害(叶枯病、蔓枯病、细菌性果斑病、炭疽病等)。对水源条件要求高,不适宜在干旱半干旱地区应用。

2   西瓜“沟式栽培”模式优缺点

采用机械刨垄(刨垄法)或机械开沟(开沟法),形成“两垄夹一沟”的种植沟(一般两垄顶部宽度40 cm,沟底部宽度10 cm,垄高30 cm),将肥料撒施于定植沟内耙匀,然后泵水漫灌种植沟。沟内水满关泵,待水分下渗后开始栽苗。栽植瓜苗时,小心捏住瓜苗根茎部将营养钵土球直接按入稀泥中,以土球没入泥中1 cm为准。最后,覆盖地膜,培土压膜,并在膜上抠直径3~5 cm的通风孔,1苗1孔。瓜苗定植5~7天后,放苗出膜,后期田间管理与“垄式栽培”无异。见图1。

2.1   “沟式栽培”优点

1)相比于“垄式栽培”施肥于1 m宽的种植带内、然后旋耕刨垄的方式,“沟式栽培”具有肥料集中、肥效持久、利用率高的优势。

2)泥中植苗,全程不用人工挖穴、培土定植,省工高效。

3)“以膜为棚”,保温保湿,能保证瓜苗正常生长。瓜苗定植完毕即进行人工覆膜。覆膜后不放苗出膜,在膜上抠直径3~5 cm的通风孔,5~7天后选晴天午后放苗出膜。利用膜下保温保湿功能促进瓜苗平稳缓苗、快速生长,并可有效抵御不利气候(倒春寒、晚霜冻)的影响。

4)土壤蓄水量充足,利于瓜苗伸蔓期生长。西瓜定植20天后即进入伸蔓期,这是西瓜一生中生长最快阶段,也是光呼吸最旺、蒸腾作用最强、水分需求最紧迫阶段。“沟式栽培”模式下,土壤蓄水量充足,能够很好地满足此期的水分要求,利于瓜蔓营养面积的快速形成。

5)可“膜上走水”,节水抗旱,适合干旱半干旱地区推广。西瓜膨大阶段是产量形成期,对于水资源匮乏地区,此时若遇高温干旱天气将导致严重减产。利用“沟式栽培”模式可进行“膜上走水”,即以微型泵抽水或人工拉水注入沟膜上自行流淌,水分在流动过程中从西瓜定植孔或放风孔处下渗至根部土壤,达到节水高效、抗旱增产之目的。因此,该模式在旱塬地区具有良好的表现(见图2)。

6)田间湿度较低,不利于病害传播。由于“膜上走水”只在种植沟间灌溉,种植行一般不浇水,能显著降低大田湿度,利于减轻西瓜中后期阶段的病害发生。

2.2   “沟式栽培”缺点

1)种植带呈凹形,沟内接受阳光辐射热量有限,土壤升温较慢,不利于新生根系的形成,故瓜苗定植后其缓苗时间较长。

2)种植沟内土壤含水量较高、通透性差,瓜苗前期生长较慢。

3)气温骤升时,若通风孔过小或位置不当,易导致热害或高温“烧苗”。

4)遇降雨时,膜上易积水压伤瓜苗,或雨水从定植孔渗入根部,增大土壤含水量,导致沤根、死苗现象。

5)定植沟内易滋生杂草,缩短地膜的使用寿命。

3   西瓜“沟式栽培”改进措施

3.1    改进刨垄法,拓宽沟底和垄面   延用刨垄法,但加大“两垄夹一沟”的沟底宽度(﹥20 cm)、垄顶宽度(﹥60 cm以上),并采用宽幅地膜覆盖(幅宽﹥120 cm)。淘汰开沟法。加大垄间距离、采用宽膜覆盖,既可提高对太阳光辐射热的利用率、减少地表水分蒸发,又可降低膜上积水的隐患。开沟法的沟式栽培畦面窄小,蓄积光温资源有限,且易形成膜上积水,反倒不利于瓜苗生长。

3.2   将瓜苗紧靠在瓜蔓爬向侧的垄边(即沟的半坡)栽植,不要栽在沟正中(见图3)   这样,即便膜上雨水灌入瓜秧根部,深入垄下的根系仍能维持瓜秧的正常生长,避免沤根死苗。

3.3   覆盖地膜松紧适度   膜面过松,易造成膜面积水或灼伤叶片;过紧,会给后期放苗培土工作带来不利影响,一般以膜面高于瓜苗3~5 cm为度。

3.4   覆膜后在相邻两个瓜苗的中间位置开通气孔   若在瓜苗的正上方开留通风孔,极易造成膜下热气逸出时灼伤瓜苗。

3.5   放苗开口要大,以确保膜面不接触瓜苗根茎   防止膜下水汽烫伤瓜茎诱发溃疡病  同时,用虚土围严瓜根、压实放苗口和通风孔,一防膜下热气灼伤瓜叶,二防膜下杂草丛生。两瓜苗间的通风孔实际是水分下渗孔,所以土堆不宜过大,以免影响前期“膜上积水”下渗、后期“膜上走水”受阻。

3.6   整蔓上垄,不跨沟   瓜秧伸蔓期整蔓时要培土,把瓜秧倒向紧靠的一侧垄上向前生长,瓜蔓不能跨沟生长,以免给后期田间作业、膜上灌溉等带来不便。见图4。

4   西瓜“溝式栽培”改进后效果

自2018年以来,笔者先后在召公镇的聚粮村、新庄村、召公村、作里村等10余个村大力推广“两垄夹一沟”的改良栽培模式,有效解决了“开沟法”沟式栽培存在的积水压苗、遇雨死苗、缓苗周期长的弊端;积极倡导“膜上走水”的灌溉方式,达到了节水、高效的生产目的。目前,新“沟式栽培”模式已经得到了当地瓜农的认可,栽培面积逐年扩大。据召公镇农技站统计,2019年召公镇西瓜种植面积达600 hm2,其中采用“新沟式栽培”面积约100 hm2,占总面积16.7%;2020年全镇西瓜面积450 hm2,“新沟式栽培”面积约200 hm2,占总面积44.4%。

(参考文献略)

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