多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用

林 伟，高 娜，李金钗，黄 凯，蔡端俊，李书平，康俊勇

(厦门大学物理科学与技术学院，福建省半导体材料及应用重点实验室，半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心，福建 厦门 361005)

光源是人类生存和发展的重要条件，以白炽灯为代表的光源引领了照明的“电气时代”，随着照明技术的进一步发展，新兴的发光二极管(light emitting diode，LED)可将电能直接转化为光，相较于白炽灯热辐射发光彻底避免了高温热辐射的照明中间环节，且具有寿命长、能耗低、发光效率高、稳定性好、光色度纯、无频闪、无红外和紫外线辐射等优点.1992年，在蓝光LED取得了技术突破后，人们利用InGaN基蓝光LED激发黄色荧光粉生产白光LED.1996年，产业界宣布白光LED光效“高达”12 lm/W[1]，推动了LED在照明和显示领域的普及应用.鉴于蓝光LED芯片的技术进步成就了白光LED的应用和发展，2014年诺贝尔物理学奖授予高效蓝光LED的发明者Akasaki I、Amano H和Nakamura S[2].提高光效的努力仍在继续，2018年的平均光效己达到102 lm/W[3]，目前产业上大功率白光LED的光效已达到250 lm/W，最近的记录突破300 lm/W[4].相比之下，普通白炽灯仅有16 lm/W，荧光灯接近70 lm/W[5].国内半导体照明产业规模实现快速增长，崛起了以三安光电、华灿光电以及乾照光电等为代表的LED龙头企业，在全球LED市场竞争中领先.中国现已经成为全球最大的照明产品生产、消费和出口国，对LED的推广和应用做出了很大的贡献.当前，光电器件应用正向发射波长更短、发射功率更大的方向发展，以AlGaN半导体材料为代表的第三代宽禁带半导体，将传统半导体材料响应波长延伸到紫外的边界.1998年，美国Sandia国家实验室利用Al0.2Ga0.8N/GaN多量子阱结构，研制出第1只波长短于GaN带隙(365 nm)的353.6 nm的紫外LED[6].此后，波长更短的紫外LED和激光二极管(laser diode,LD)相继问世，AlGaN紫外发光器件研制取得了长足的进步[7]，在杀菌消毒、环境净化、防伪识别以及生化检测等诸多领域有着越来越广泛的应用和市场需要[8].当前，在常规能源消耗加剧、环境污染、新冠疫情暴发的严峻形势下，固态光源正迎来前所未有的发展良机.研究表明，照明用电约占用电消耗的1/4[9]，如果世界范围内使用的白炽灯被LED器件所取代，那么每年可以减少的能耗相当于减少了2×108t的CO2排放量[10]，这对于传统光源都是难以想象的.显然，固态光源的应用普及在促进节能减排、健康环保和社会可持续发展方面扮演着积极的角色.

尽管固态光源应用前景鼓舞人心，然而器件开发也面临着诸多亟待解决的基本科学问题和关键技术难题.外延生长上，最先遇到的障碍是缺乏合适的衬底.生长过程中蓝宝石和外延层之间的晶格失配和热失配大，易导致材料中存在很高的缺陷密度，现有的Ⅲ族氮化物半导体生长多采用异质衬底蓝宝石外延[11].外延生长通常采用两步生长工艺，即采用AlN或GaN缓冲层[12].由于LED器件结构复杂，随后生长的外延层或器件结构之间晶格参数的失配易产生残余应力梯度，往往需通过形成大量失配位错和穿透位错加以释放.其中的位错作为非辐射复合中心，容易形成漏电通道，显著降低LED的工作寿命[13].随着量子结构的尺度不断减小，在氮化物固有强极化场下电子结构的复杂性增加，器件工作时外场与内建极化场间的相互作用易导致发光波长不稳定[14]，LED全彩显示呈现色差以及白光照明的颜色或色温波动.此外，器件应用亦依赖于氮化物半导体可控的p型掺杂，p型材料层上低阻接触[15].且在器件光出射光场方面，还需要考虑到氮化物半导体和周围介质之间的平面界面上会发生全反射，意味着只有光逃逸锥内的辐射光方可从LED芯片中逃逸[16].从影响LED器件性能发挥的各个环节来看，氮化物半导体器件设计和制备涉及包括材料化学势场、极化场、电场以及光场等诸多物理参量，因此系统综合多场调控是实现氮化物半导体量子结构及其固态光源高性能和新性能应用的关键.

1 研究现状及存在的问题

在LED迅猛发展的今天，尽管固态光源已成为照明产业的未来发展方向，然而其器件制作仍存在自身的特点和难点.对于LED器件的基本结构，自下而上主要包含有衬底、n型氮化物半导体导电层、量子结构有源层以及p型氮化物半导体导电层.外延层间界面应力增加了外延生长的复杂性，易产生晶体缺陷.尤其是量子结构有源层对缺陷更为敏感，包括非辐射复合中心和组分不均匀性.以往的研究表明，台阶流生长模式有利于理想界面的量子结构，然而外延层中的应变易导致外延生长从二维生长模式向三维生长模式的转变，使量子结构中出现组分波动和粗糙界面引起的不均匀加宽，显著降低了辐射效率[17]，而且缩短了器件寿命[18].为了提升晶体质量，人们提出并应用了多种外延生长技术，如微/纳米尺度侧向外延生长[19-20]、迁移增强外延[21]以及高温退火[22].最近有文献报道了斜切蓝宝石衬底和表面预处理对晶体质量的影响[23].尽管生长高质量外延量子结构层的努力仍在继续，然而蓝宝石上生长的GaN位错密度可达到105～107cm-2[24-25]，AlGaN则高达约5×108cm-2[22，26].事实上，金属有机物气相外延(metalorganic vapour phase epitaxy,MOVPE)生长属于非平衡过程，源气的化学势场变化是氮化物半导体外延生长驱动力的主要来源.通常情况下，化学势取决于实验生长条件，介于富Al/Ga或富N之间，可作为外延生长的重要调控手段[27].

由于纤锌矿结构Ⅲ族氮化物半导体沿c轴方向结构对称性低，晶体具有很强的自发极化效应和压电极化效应，易引起量子阱的能带发生倾斜，使得电子和空穴的波函数空间分离而导致辐射复合效率降低和发光波长红移，即所谓的量子限制斯塔克效应(quantum-confined Stark effect,QCSE)[28]，往往引起光辐射衰减时间变长[29].随着注入电流的增大，量子阱内自由载流子增加，电子和空穴的空间局域性将在一定程度上屏蔽极化场，从而引起发光峰波长蓝移[30].已有的量子结构界面研究提出：借助失配应力可调控压电极化，从而达到对强极化场的控制[31-33]；沿着极化调控的方向进一步研究将有助于提高“能带剪裁”的自由度和准确性，提升器件的光学性能.而对于有源区量子结构，其载流子的注入也有赖于n型和p型导电层的实现，然而氮化物半导体材料掺杂呈现非对称性，其n型掺杂相对容易，而良好的p型掺杂相较之下难度则大得多，为实现可控p型掺杂，业界付出了诸多努力，包括电子束辐照[34]和热退火[35].早期的理论研究表明采用超晶格掺杂可以使受主激活效率提高一个数量级以上[36].实验上，有研究报道通过调制掺杂的p型AlGaN/GaN超晶格降低GaN阱中的中性杂质散射，使均匀掺杂结构中的迁移率从3 cm2/V提高至8.9 cm2/V[37].近期发展的p型掺杂渐变组分结构[38]提升了在高功率氮化物基发光器件中的空穴注入，提高了整体效率[39-40].有关p型掺杂研究仍在持续增加，然而提高p型导电仍旧是氮化物半导体绕不开的话题.

值得注意的是，LED在向短波紫外和长波绿光延伸的进展中，难以高效发光，陷入了两难的境地.Ⅲ族氮化物基LED外量子效率如图1所示，可见绿光波段存在所谓的“绿光鸿沟(green gap)”[41-42].而对于波长小于250 nm的深紫外LED，见诸报道的外量子效率不超过10%[43].背后的原因可能是AlGaN特殊的光场各向异性，由于AlN(-169 meV)和GaN(10 meV)晶体场分裂能Δcr呈现显著差异，辐射光随着Al成分的增加从正向TE偏振转变为侧向TM偏振，即使不考虑外量子效率受到极大限制，自发辐射速率和内部量子效率也受到负面影响[44].除此之外，即便不考虑各外延结构层面相关的困难和挑战，光抽取效率亦令人担忧.LED辐射光线出射至外界空气时，在多层平行界面的LED结构中，由于折射率的差异，GaN具有2.3 以上的折射率(随波长略有变化)，与空气折射率差异很大，出射角较小，辐射光在界面上易发生全反射现象.为了从LED芯片中抽取更多的辐射光，目前较为常规的方法有通过晶体学蚀刻实现半导体表面粗化或纹理化[45-46]、芯片塑形[47]、在顶面上使用反射涂层[48]以及高折射率封装[49].

图1 Ⅲ族氮化物基LED外量子效率[50]

基于固态光源应用的研究现状，涉及LED外延和器件任一方面缺陷都将导致整个系统的降级乃至失效.对于LED的基本结构而言，复杂氮化物半导体和量子结构在异质界面处表现出极其丰富的新颖物性，且对外场响应敏感，从而影响其极化场、电场、光学和光电特性及其器件的参数.鉴于LED效率的提升是一项复杂而系统的工程，LED器件的制备需要从外延生长、掺杂以及器件工艺方面设计基于多场调控的整体解决方案.

2 多场调控研究进展

2.1 化学势场调控

随着固态照明技术的发展，为了应对照明显示与日俱增的发展需求，LED光电器件日益小型化，材料尺度不断减小，尤其是氮化物量子结构的特征尺度通常只有数纳米.器件芯片的小型化意味着氮化物半导体的生长制备只能在非平衡条件下完成，对于适宜规模化生产的MOVPE外延生长方法显得尤为明显，所涉及的生长动力学问题极为复杂，制约了量子阱等结构品质的提高.基于晶体生长热力学，本团队采用第一性原理模拟原子、分子以及团簇等不同反应单体在晶体生长表面的化学势(图2(a))，揭示了不同反应单体随生长氛围变化的规律，首次阐明了瞬间改变生长氛围的作用和机制.立足于原子或分子等反应单体总是从高化学势位置天然地向低化学势位置迁移的原则，首创MOVPE分层生长法[51]，即依次瞬间改变生长氛围(图2(b))，通过调控晶体生长表面的化学势场，实现对生长单体的分选，达到吸附单体的有序一致，外延表面呈现原子级平整度.采用同样的原理，外延生长二维量子结构，本团队率先实现单分子层量子阱的外延，进一步应用相关方法实现了变组分数字混晶结构生长[52]，见图2(c)和(d)，为高精度的量子结构制备及其性能的调控奠定了坚实的基础，也为不同科研团队的外延生长工作提供了可资借鉴的经验[53-54].

图2 原子、分子以及团簇表面形成焾与化学势关系(a)，MOVPE分层生长法生长示意图(b)，分子层量子阱结构(0002)面ω/2θ扫描衍射谱(c)，及单分子层量子阱结构高分辨透射电镜截面(d)

尽管有了可供LED器件制作的高质量材料，然而材料的空穴注入却面临p型掺杂的挑战.Mg作为氮化物半导体中最有效的掺杂受体，并不总是奏效，尤其是AlGaN材料随Al组分增加，Mg杂质的溶解度迅速下降，空穴激活能也快速上升，导致氮化物中空穴浓度远低于器件中注入的电子浓度，成为制约器件外量子效率提高的发展障碍.围绕实现高效p型掺杂的研究，采用第一性原理模拟比较Mg替位杂质在晶体内和生长表面的形成焓差异，考察化学势影响下的Mg掺杂行为.研究表明晶体内Mg掺杂形成焾为正值，与之截然相反的是，化学势和总能改变量在生长表面均呈现负值，具有热力学稳定性；尤其是富N条件下的化学势场更有利于Mg替Ga/Al位.基于表面吸附特性，本团队提出了调制表面工程技术[55]，通过周期性中断Ga/Al源供给，实现极限Ⅴ/Ⅲ比，并使Mg替Ga/Al位大量、长时间地占据表面(图3(a))，突破了宽带隙半导体中严格的杂质溶解度制约，在Al0.99Ga0.01N材料中，Mg替位浓度可达传统掺杂技术的5倍[55].采用该调制表面工程技术，本团队在生长p型接触层时周期性中断In/Ga源供给，使得p型接触层中的镁掺杂浓度可提高4倍，从而为形成良好的欧姆接触打下了坚实的基础.Mg掺杂浓度的提高虽使费米能级距离氮化物价带顶更近，但该距离仍随着Al组分升高而增大，从而影响了已掺入的Mg杂质的空穴激活.针对该问题，本团队提出在超晶格不同位置选择掺入单原子层Mg和Si杂质，局域调控了势阱区域价带顶与费米能级的能量间距，与传统p型Mg掺杂超晶格结构相比空穴浓度提高2倍[56].进一步本团队又提出和设计了p型Mg掺杂超晶格结构，减少费米能级附近价带能态的局域化，使空穴浓度比传统超晶格提高了约10倍[57](图3(b)).

图3 调制表面工程技术示意图[54](a)及新型和传统超晶格样品的电流-电压特性[57](b)

2.2 光场调控

氮化物半导体辐射光依据偏振特性，可分为从导带底跃迁至重空穴(HH)/轻空穴(LH)价带发射的寻常o光(TE波)和从导带底跃迁至晶体场分裂空穴(CH)价带所发射的非寻常e光(TM波).研究表明，随着氮化物中Al组分的增大，CH带与价带顶的HH和LH的能差不断减小，在克分子比例约为0.5处简并.更高组分的AlGaN的CH带占据价带顶，并拉开与HH/轻LH带能量差，直至AlN时能量差达到约0.2 eV[62].对于沿c轴择生长的氮化物而言，带边跃迁辐射发光将以沿外延层侧向传播的e光为主，而从导带跃迁至HH/LH的o光能量较高，沿器件正向传播跃迁辐射光效率低下，从器件的顶面正向实现有效光抽取几乎难以保证.针对氮化物光学各向异性，本课题组详细分析了不同价带的轨道特征，价带HH和LH带主要来自px与py杂化轨道，而CH带则由pz态单独构成.

根据价带顶能带的轨道构成特性，本课题组提出超薄应变超晶格，通过在AlN中引入GaN单分子层，利用GaN分子层两侧界面的轨道杂化平均，获得与Al0.5Ga0.5N类似的带边电子结构，其平均Al组分却可以远高于Al0.5Ga0.5N.基于第一性原理设计，采用原子级MOVPE外延技术构建了厚至4分子层的GaN超薄应变超晶格轨道工程结构材料，如图4(a)和(b)所示；带边光吸收表征表明其带边辐射跃迁波长可调至230 nm深紫外区域；椭圆偏振光谱测试进一步证实，e光发射也得到抑制，如图4(c)和(d)所示[58].超薄应变超晶格的成功实现，为氮化物的应用提供了新的途径.来自不同科研团队报道的实验中也采用了类似的结构[59-60]，最近的研究报道在发射波长约260 nm下实现了2.2 W高输出功率[61].

图4 模拟设计超薄应变超晶格轨道工程结构的介电响应函数(a)和价带能态密度(b)，及MOVPE超薄应变超晶格轨道工程结构的(0002)面ω/2θ X射线衍射谱线(c)和椭圆偏振光谱测试获得的介电响应函数(d)[58]

在氮化物带边电子跃迁所发射的光中，仍含有相当部分非寻常e光沿着外延层侧向传播而难以从正面出射，制约了光源出光效率的提高.针对这一问题，本团队在国际上首次提出在氮化物外延薄膜表面引入纳米级超薄金属Al膜，利用沿着外延层侧向传播的e光在Al膜表面感生等离子激元，在表面原子台阶处将其转化为可从氮化物外延薄膜表面外出射的光线，进而实现光传播方向的变换，如图5(a)所示.为了利用部分电场垂直于c轴而又沿着外延层正向传播的寻常o光，本团队设计并采用电子束倾斜沉积技术制备尺寸和密度可控的金属Al纳米点阵，有效地耦合TE和TM波，进一步提高了光抽取效率，如图5(b)所示.

图5 利用表面等离子体激元实现出光方向转换示意图(a)，及沉积金属铝纳米点阵和无纳米点阵紫外LED背出射电致发光(EL)谱及增强比(b)[62]

量子阱有源层的光发射除正向和侧向传播外，向背面基板发射的反向光线占总光输出的30%以上.反向光线往往会被底部基板所吸收，导致发光效率损失.与TM波激发表面等离子激元类似，可利用反向光线激发荧光粉，通过发射荧光的各向同性，获得部分正向传播的荧光.依此，本团队设计了两层荧光透明基板，固定于基板上的LED芯片的反向光发射激发首层透明基板下表面的荧光粉；未激发荧光的反向光继续下行至第2层透明基板下表面激发荧光.该结构应用于板上芯片封装光源[63]，发光角度也从传统光源120°～130°提高至260°，其取光效率比传统方法提高了约15%.

2.3 极化场调控

不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，纤锌矿结构氮化物具有极强的自发极化和压电极化场，使其能带沿着极化的方向弯曲.倾斜的能带易导致阱中电子和空穴波函数在空间上产生分离，辐射复合发光几率下降.在外电场作用下，能带倾斜程度将发生改变，使得量子能级位置发生移动；同时，载流子在填充满基态后将填充更高能量的激发态.发射的光子波长产生漂移，导致发光颜色随注入电流而变呈不稳定现象.针对该问题，本团队结合第一性原理模拟，考察不同厚度量子阱中量子能级的数量和能差，发现在共格薄阱中极化效应弱、能级分裂小等特点，在此基础上提出并设计了窄量子阱结构.以此结构作为光源的有源层，在大注入电流下，表现出良好的波长稳定性[64]，如图6所示，避免了因阱中极化场加剧的量子能级分裂所带来的高能态载流子填充效应.

图6 采用共格超薄量子阱结构作为有源层的LED EL谱[64]

在极化场作用下，量子结构的能带不再平直.然而，量子能级的恒定能量使得势阱界面两侧势垒高度出现非对称差异.载流子在阱内的高势垒侧受限，而在低势垒侧则部分穿透进入垒区.因此，增设合适的电子和空穴阻挡层十分重要.本团队考察了沿极化场方向势垒的变化，发现相对于其他Ⅲ-Ⅴ族化合物，氮化物空穴和电子阱的势垒比例更低[65]，增设空穴阻挡层更为必要.为此，本团队首次提出并构建了空穴阻挡层[66]，并应用于紫外LED，克服了空穴从有源区穿透进入n型区，抑制了n型区寄生发光，提高了空穴的利用效率[67].对于电子的阻挡，由于电子有效质量小，相比于空穴隧穿能力更强，可以增加势垒的个数，以达到阻挡效果.然而，氮化物异质结构为Ⅰ类界面，电子的势垒也将阻碍空穴注入，设计可阻挡电子又可增进空穴注入的量子结构成为难于调和的矛盾.为此，本团队基于高掺镁效率p型量子结构的特点，提出了采用定位镁和硅的δ掺杂超晶格作为电子阻挡层的方案[56]，同时选用AlGaInN四元混晶作为势垒区材料，以匹配超晶格势阱区材料的晶格常数，避免了势垒能带因失配应变所导致的弯曲形变，达到既有效阻挡电子又可提高空穴注入效率的效果，在5～240 mA驱动电流下比未采用该结构LED的效率衰减(Droop效应)降低了8%，极大地缓解了大电流下的能效衰减[68].

2.4 电场联合调控

低电阻欧姆接触是实现高性能器件的基础.然而，氮化物材料禁带宽度大，金属与半导体接触面形成较高的接触势垒，增大了欧姆接触制备的难度.人们通常采用各种不同的金属合金结构形成欧姆接触.然而，大部分金属电极材料对可见乃至深紫外光有很强的吸收；且由于p型氮化物材料电阻率高，传统电极不可避免地存在电流横向扩展不畅，产生电流聚集效应，极易导致器件发光发热不均匀.针对该问题，本团队首创铜纳米丝透明电极，利用纳米金属丝周边功函数的局域变化，实现了与n-和p-GaN导电层的欧姆接触，且在全波段范围内均具有良好透光性和导电性能，制备了世界上首颗铜纳米丝透明电极的蓝光LED芯片.在此基础上，进一步将各类金属如钛、镍、银等及其二元、三元合金包裹于铜纳米丝表面，对其进行自如的改性，制作出可应用于不同光电器件的柔性透明电极[69-70](图7).

图7 超细超长铜纳米丝网络扫描电镜图(插图：柔性透明导电薄膜)(a)；铜纳米丝透明电极与n、p-GaN呈现线性I-V曲线特性，实现欧姆接触(插图：LED芯片)(b)；铜纳米丝蓝光LED发光测试图(c)；采用金属包裹铜纳米丝透明电极制备的深紫外LED的I-V曲线特性[70](d)

随着外量子效率的提高，大功率LED光源已成为人类照明的主角.在大电流工作条件下，量子效率的下降引起了业界广泛重视.研究表明，除上述应力和极化场可控制Droop效应外，调控LED芯片中的电场可避免电流的拥堵并减少电子的俄歇复合[71].然而，传统倒装芯片的电流扩散均由金属扩展条承担，效果不理想.针对这一问题，本团队结合光场调控的分布布拉格反射(DBR)结构，进一步设计出穿过DBR结构进入p型氮化物以接近有源区量子阱的小面积金属接触电极，使电流均匀注入p型层；同时利用铜纳米金属丝激发表面等离子激元，并与量子阱中激子光辐射耦合，大幅提高了电流传导速率、分布均匀性、辐射发光效率乃至器件的外量子效率[72-73].

对于大功率LED光源，工作时的温升将直接影响芯片中量子能级的位置、跃迁几率及其寿命等.然而，在传统的倒装芯片结构中，电极正下方电流密度大，量子阱发光强，温升也高，难于采用热导率高的金属电极同时满足与p和n型GaN的欧姆接触.为此，本团队在芯片中心区域增加了高热导的金属Cu热沉，将量子阱有源层中的热量导出芯片，利用DBR的绝缘特性与p和n型一维柱状电极电分离；同时，配合在镜面铝基板上相应位置压合高导热绝缘层、铺设线路、喷涂油墨等，使芯片p和n电极的焊点与热沉封装后分离，进而提高了可靠性和光效，减少了开路死灯概率[74].

3 总 结

半导体固态光源具有光效高、能耗低、寿命长、环境友好的优势，已成为高新产业增长点.以氮化物为代表的化合物半导体量子结构是实现半导体固态光源的核心.本团队在半导体量子结构关键技术开发中，基于化学势场调控创新开发分层生长技术，调控晶体生长表面化学势场，解决了氮化物MOVPE非平衡生长过程中预反应强、原子表面迁移率低、材料二维生长难于精准控制等难题，率先实现单分子层量子阱的外延.在此基础上，提出调制表面工程技术，突破了宽带隙半导体内严格的杂质溶解度制约；创新设计了掺杂量子结构，调控电子化学势，提高杂质激活效率，使空穴浓度比传统结构提高约10倍.光场调控方面，设计开发轨道工程结构材料增进正面出射光跃迁的技术，实现光学各向异性材料向光学各向同性的转变，借此突破了高Al组分氮化物以侧向出光为主的局限.率先引入金属Al表面等离子激元量子能量转换和双层荧光透明基板背射光场转换光增强机制，调控氮化物光传播方向，提高器件的出光效率.采用极化调控，创新设计共格应变窄量子阱结构，提高辐射复合几率和发光波长稳定性.创新提出选择载流子的阻挡量子结构，在有效阻挡电子的同时提高了空穴注入效率，极大地缓解大电流下的能效衰减.为了实现电场联合调控，创新研制了铜纳米丝透明电极，利用纳米金属丝周边功函数的局域变化，实现与n和p型GaN导电层的欧姆接触，并在全波段范围内呈现良好透光性.针对接触电极创新设计穿过DBR结构进入p型氮化物以接近量子阱的小面积金属接触复合三维电极结构，利用铜纳米金属丝激发表面等离子激元，并与量子阱中激子光辐射耦合，提高辐射发光效率、电流传导速率、分布均匀性乃至器件的外量子效率.基于长期的技术成果积累，率先联合调控化学势场、极化场、电场以及光场等，取得其在固态光源的规模化应用，生产出超高光效GaN基白光LED产品，小电流均大于250 lm/W，大电流均大于200 lm/W，且性能指标达到国际前列，研究成果为固态光源产业奠定了坚实的技术基础，服务产业发展.投入应用的高光效LED芯片产品品质优良，性价比高，得到广大客户的认可和广泛的好评，为业界提供了更好的产品选择，促进LED国产芯片的快速应用，不断提高中国内地芯片企业的国际地位.