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美光发布第六次年度可持续发展报告

2021-03-31

电子工业专用设备 2021年5期
关键词:光刻里程碑关键

2019年是极紫外 (EUV)光刻技术的重要里程碑。同年,EUV构图技术首次应用于7 nm技术代逻辑芯片的量产。插入以对芯片后端(BEOL)的最关键层进行图案化,能够打印间距高达36-40 nm的金属线。

2023年将标志着EUV光刻技术发展的又一个新的里程碑。届时,新一代EUV光刻工具有望进入现场:高数值孔径(high-NA)EUV光刻扫描仪——新设备预计可在较少的图案化步骤中打印2 nm(及以上)逻辑芯片的最关键特征。瑞利方程再次证明了向高NA光刻的过渡是合理的,它提供了用于提高分辨率的第二个“旋钮”——增加投影镜头的数值孔径(NA)。NA控制用于形成图像的光量(更准确地说,衍射级数),从而控制图像的质量。

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