化学机械抛光（CMP）用抛光液中CeO2磨料专利申请趋势分析

柯红阳 葛运滨

摘 要：本文就化学机械抛光（CMP）用抛光液中CeO2磨料相关技术的全球专利申请及中国专利申请进行了分析，探讨了CeO2磨料在全球及中国的申请量趋势、全球及在华不同国家申请量比例和重点申请人的申请趋势及排名等，以期为国内研究者提供有价值的专利信息参考。

关键词：化学机械抛光；抛光液；CeO2磨料

中图分类号：TG580 文献标识码：A 文章编号：1003-5168（2018）07-0140-03

Analysis of the Trend of Patent Application about CeO2

Abrasive for Chemical Mechanical Polishing

KE Hongyang GE Yunbin

（Patent Examination Cooperation Sichuan Center of the Patent Office， SIPO，Chengdu Sichuan 610213）

Abstract： The data of patent applications about CeO2 abrasive for chemical mechanical polishing had been analyzed， including the development trends in the worldwide， important technical original country， essential application target country/area， important applicants and its type. The author expect to provide valuable patent information for researchers in this field.

Keywords： chemical mechanical polishing；polishing liquid；CeO2 abrasive

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）是提供超大规模集成电路（VLSI）制造过程中全面平坦化的一种新技术，其概念最早由美国的Monsanto于1965年提出。目前，化学机械抛光技术已成为几乎公认唯一的纳米级全局平面化技术。

本文根据专利数据库（CNABS、DWPI）对化学机械抛光（CMP）用抛光液中CeO2磨料相关技术进行了全面检索，通过对全球专利申请及中国专利申请进行分析，获得了CeO2磨料在全球及中国的申请量趋势、全球及在华不同国家申请量比例、重点申请人的申请趋势及排名等，以期为国内研究者提供有价值的专利信息参考。专利数据截至2017年5月已被收录的专利数据。

1 检索策略

本文选择CNABS中国专利数据库和德温特世界专利索引数据库（DWPI）进行数据统计[1]，采用关键词和分类号相结合的方式进行检索，获取初步专利数据样本后，人工去除明显噪声，得到可供分析的专利数据样本。专利数据截至2017年5月已被收录的专利数据。

2 CMP抛光液中用CeO2磨料的专利申请趋势分析

2.1 全球申请量趋势分析

图1展示了CMP抛光液中使用CeO2磨料的全球及中国申请量趋势。图2展示了该领域主要申请人的构成及申请趋势。从图1中可以看出，在全球范围内，CeO2磨料用于CMP抛光液中的相关专利于1994年5月由因特尔公司首次在美国提出。而在中国，CeO2磨料用于CMP抛光液中的相关专利申请于1996年9月由美国卡伯特公司提出。在2000年以前，申请量相对较少；2000—2005年，申请量相对较稳步增长。从图2可知，这期间，主要申请人为美国的卡伯特公司、日本的日立化成公司及韩国的三星公司。2007年，申请量有所跌落后；2009年，申请量达到峰值；2009年以后，申请量相对回落。虽说在2014年申请量较邻近年份有所增加，但从总体趋势来看，申请总量在全球范围内有所下降。

值得注意的是，尽管中国申请人提出相关专利申请较国际提出得晚，但根据统计数据分析可知，主要申请人为安集微电子（上海）有限公司。该申请人2004年开始提出关于CeO2磨料用于CMP抛光液的申请，之后在2005—2010年申请量保持较快增长，年申请量平均在15件左右。之后进入平稳发展期，2011—2014年，均有超过13件申请，其专利布局及在该领域的深耕均值得关注。而其余几位申请人如卡伯特公司、日立化成、三星集团、巴斯夫公司、气体产品与化学公司的年申请量一般不超过10件，甚至在個别年份出现断层。这可能是因为：该公司主要经营及研发范围较广；在CMP抛光液领域着眼于其他组分的改进而不使用CeO2磨料[2]。

2.2 申请在国内外的分布情况

一个领域对技术研究开发的重视程度可通过专利申请数量的多少间接反映。而从专利申请数量也可窥知企业的战略布局。图3展示了CMP抛光液中使用CeO2磨料专利在全球不同国家的申请量比例，图4展示了在华专利申请来源国对比，图5为全球重点申请人排名。

通过分析图3和图4可知，美国、中国、日本和韩国是该领域申请量比较靠前的国家。结合图5可以看出，中国的安集微电子（上海）有限公司作为首要申请人，为中国专利申请排名贡献了较多基数。可以说，安集微电子（上海）有限公司不仅在国内市场具有绝对的领先优势，在国际专利布局方面，其也敢于争取市场。通过分析可知，在300余件申请中，安集微电子（上海）有限公司的国际申请量约60件，且其中有部分首次申请国为美国及日本等，之后再申请中国局保护。可见，安集微电子（上海）有限公司已经具有国际化视野，同时也为本土企业在该领域国际地位的提升、打破国外企业的主导地位等做出了巨大贡献[3]。

而美国主要由卡伯特、气体产品与化学公司等作为数据来源支撑；日本的日立化成在申请量及授权量方面质量均较好；韩国数据支持主要来源于三星集团。

3 结语

二氧化铈作为CMP抛光液的重要有效成分，独特的硬度及良好的氧化性使其具有抛光质量好、效率高、抛光时间短等优点，已成为目前应用于化学机械抛光最有发展前途的研磨粒子之一，被广泛应用于光学玻璃、液晶显示器、电子显像管、航空玻璃、集成电路基板及光掩膜基板等制品的抛光。本文根据专利数据库（CNABS、DWPI）对化学机械抛光（CMP）用抛光液中CeO2磨料相关技术进行了全面检索，分析了CeO2磨料在全球及中国的申请量趋势、全球及在华不同国家申请量比例和重点申请人的申请趋势及排名等。分析发现，在CMP领域，美国、中国和日本等均是主要申请国，中国的安集微电子（上海）有限公司为中国专利申请排名贡献了较多基数，其布局较为完善，重视技术研发。

参考文献：

[1]朱振峰.超细氧化铈基复合氧化物粉体的制备及应用综述[J].稀土，2007（5）：92-96.

[2]董伟.化学机械抛光技术研究现状及进展[J].制造技术与机床，2012（7）：93-97.

[3]左敦稳.现代加工技术实验教程[M].北京：北京航空航天大学出版社，2014.