RADECS Workshop 2018助推航天强国建设

孔令东 刘 平

2018年5月16-18日，“RADECS Workshop 2018暨第二届电子器件辐射效应国际会议”在北京成功召开。这也是RADECS Workshop第一次在非欧洲国家举办。本次会议旨在构建高端学术交流合作平台，助推航天强国建设，引领元器件抗辐射专业创新发展。会议由中国航天电子技术研究院主办，北京微电子技术研究所和哈尔滨工业大学承办。来自15个国家的260余名专家、学者和代表应邀参加了本次会议。

元器件和电子系统的辐射效应及加固技术研究始终是微电子技术领域的制高点，也是衡量一个国家航天技术水平的重要标志。近年来，我国航天微电子技术迅速发展，已基本实现了航天元器件的自主可控。作为国际辐射加固领域最重要的权威学术组织之一， RADECS（Radiation Effects on Components and Systems）高度重视在中国举办的本次会议，派出了由6名专家组成的专业代表团出席会议。

会议分报告和专题研讨两个环节。在报告环节，3位美国知名专家介绍了美国SiC功率器件辐射相关可靠性、新型材料器件（如高K栅堆叠FinFET、SiC/GaN等化合物半导体、石墨烯等二维材料等）的辐射效应以及双极器件的辐射效应建模等研究成果，6位欧洲专家介绍了欧洲有关国家的抗辐射发展情况，5位中国专家交流了双极器件电离和非电离的协同效应、非易失存储器辐射效应、中子诱发单粒子效应等研究成果。

在专题研讨环节，按照辐射效应的机理及建模、新型器件和电路的辐射效应、抗辐射加固方法、辐射加固保证与评估四个专题分类，对5篇特邀报告和38篇学术论文进行了分组研讨。此外，55篇学术论文以海报形式进行了展示，论文作者与参会嘉宾进行了深入的探讨与交流。

本次会议保持了RADECS一贯的专业技术水准，进一步加强了抗辐射专业国际化交流平台建设，展示了中国航天独立自主的发展道路及取得的伟大成就，得到了国外专家的高度评价，增进了与中国合作的意愿。