我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

【本刊讯】863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题近日通过了技术验收。通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显。

在国家863计划的支持下，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头，中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备，形成了我国具有自主知识产权的4～6英寸SiC单晶生长炉关键装备体系。

满足高压电力电子器件制造所需的4～6英寸通用型SiC单晶生长炉及其配套生长工艺的成功研发，有效促进了碳化硅衬底、外延、器件等制造技术的进步，提高了国内碳化硅产业链的整体设计能力和制造水平，对推动第三代半导体材料、器件产业发展，降低产业链成本，提升我国宽禁带半导体产业的核心国际竞争力具有重要的现实意义。