几种脉冲恒流源实现形式的研究
2016-11-09荆云波侯云海刘东东
荆云波 侯云海 刘东东
摘 要:研究了雪崩管放大电路、储能网络配合开关电路、恒流源电路配合高速开关3种用于半导体激光器电源的脉冲恒流源的实现形式,并分析其性能特点。高速放大电路可以获取纳秒级脉宽的脉冲电流;储能网络配合开关电路能获得比较高幅度的脉冲电流;恒流源电路配合高速开关相对于前两种实现形式,脉冲电流具有更小的纹波,更加稳定。脉冲恒流源作为半导体激光电源的核心部分,对其性能有很大的影响,具有实际的研究价值。
关键词:半导体激光器;恒流源;脉冲电流;窄脉宽
中图分类号:TN248.4 文献标识码:A DOI:10.15913/j.cnki.kjycx.2016.19.009
相对于连续驱动的形式,脉冲驱动使半导体激光器具有更高的光功率,并且激光器脉冲输出结发热效应很小,极大地降低了散热的设计压力。其独特的优势使其在各个领域得到了广泛的应用。作为半导体激光器驱动电源的核心部分,脉冲恒流源提供高质量的脉冲电流,进而极大地提升了半导体激光器的性能。
脉冲恒流源有多种实现形式,可通过线性放大、储能网络配合高速开关管等方式实现。本文将列举几种脉冲恒流源的设计方案,着重分析其脉冲电流产生形式,并阐述其对半导体激光器性能的影响。
1 脉冲恒流源的实现
1.1 雪崩管放大电路实现脉冲恒流源
该形式是通过对一定频率的方波进行整形而获得所需占空比的脉冲,并用该脉冲触发下一级的放大电路,从而产生激光二极管所需的脉冲电流。
信号发生器产生的脉冲信号可由74LS123构成的单稳态谐振荡电路整形,以增强其驱动能力。
脉冲放大电路是由雪崩电路和Marx Bank电路组成的。它采用雪崩晶体管构成前级电路,用于加强触发脉冲的驱动能力。其电路如图1所示。
运用这种形式,重复频率和脉宽指标可以达到比较高的要求。但是,鉴于雪崩晶体管的特性,单个晶体管难以产生较大的脉冲电流,多个并联使用需要解决数个晶体管同步触发的问题,以及需要成熟的均流技术。但是,与电压型控制器件相比,雪崩晶体管的控制难度更高。
1.2 储能网络实现脉冲恒流源
采用储能网络时,可以通过高速开关电路的通断实现脉冲输出。74LS123组成的单稳态触发器可用于整形555定时器在多谐振荡模式下产生的周期性方波,从而获取所需脉宽和频率的触发脉冲。
储能电路主要用于形成脉冲电流,电路设计需保证其在开关器件关闭的时间内完成充能。其电路原理如图3所示。
图3中,L1、L2为寄生电感,R1为充电电阻,RL为放电电阻,C1、C2为储能电容。
储能电容完全充电的前提是:T≥T1.
为了能够切出尽量完整的矩形脉冲,则要求脉冲宽度必须小于放电时间。这种制约关系是设计电路是需要重点考虑的。
当充电限流电阻R1=l,放电限流电阻RL=1,储能电容为C时,充电回路的时间关系可以近似地由经验公式计算出来。
由式(8)可知,在放电电阻和电容一定的情况下,脉冲电流将由初始电压U0和脉宽决定。
在纳秒级脉宽的前提下,这种形式的脉冲恒流源可获得高达数十安甚至更高的脉冲电流。其重复频率由高速开关的触发脉冲频率决定,同时,电路实现形式相对简单。但是,鉴于其储能电路的放电特性,难以切割出低纹波、高稳定性的脉冲电流。虽然在脉冲幅度上能有所提高,当激光器负载对脉冲电流纹波提出比较高的要求时,很容易对负载造成不可逆的损毁。
1.3 恒流源配合高速开关实现脉冲恒流源
恒流源通过开关电路的高速通断产生脉冲电流。恒流源的核心电路如图4所示。
将参考电压转化为电流放大器件的电流信号,并将该信号通过放大器进一步放大,将取样电阻上的电压反馈给输出端用于稳流,以提高系统的稳定性。
功率三极管的冗余并联不仅能获取大电流,也有均流的性能。为了增强恒流源的驱动能力,采用复合达林顿结构进一步提高输出电流,同时,也进一步提高了反馈深度和系统运行的稳定性。
当α和β确定后,管T1的基极电流与输出电流I0成线性关系。至此,控制电压即可调节输出电流。
采用这种形式可以获得高稳定性的脉冲输出电流,并且脉冲电流从零可调,其触发脉冲的频率无限制,理论上可以做的很大。其脉冲电流与其他方式相比也更加稳定,可以极大地降低电流纹波的影响。但是,其脉冲的输出幅度完全取决于恒流源的性能。要想获得更高的脉冲输出,就需要性能更好、输出更高的恒流源。恒流源电路相对复杂,性能与其他形式的脉冲恒流源电路相比也更加困难。
2 结束语
脉冲恒流源的高性能极大地提高了激光器的激光质量。本文分析了3种脉冲恒流源的实现形式,并对比了其性能。虽然雪崩管放大电路可以产生纳秒级脉宽的脉冲电流,却难以获得更高的脉冲幅度。储能网络配合开关电路在脉冲电流的稳定性方面有所欠缺。相比之下,恒流源不仅能获得高重复率、短脉宽的驱动脉冲,还具有很低的电流纹波。虽然它的电路结构更加复杂,却能更好地驱动半导体激光器。
参考文献
[1]谢军华,刘伟平,黄红斌,等.窄脉冲大电流半导体激光器驱动电路设计与仿真[J].激光杂志,2012,33(2):8-10.
[2]杨燕,俞敦和,吴姚芳,等.新型窄脉冲半导体激光器驱动电源的研制[J].中国激光,2011,38(2):1-5.
[3]李栋,马家驹,耿宏伟.半导体激光器大电流脉冲恒流源的设计[J].测控技术,2012,31(8):5-8.
[4]林晓翰,苏国彬,刘建胜,等.半导体激光器的大电流窄脉冲驱动电路的研究[J].压电与声光,2000,22(6):415-417.
[5]史新建,陈绍炜.大电流脉冲恒流源系统设计[J].科学技术与工程,2010,27(10):6654-6657.
[6]余飞,伍浩成,周晓军,等.大功率半导体激光器恒流源设计[J].光通信技术,2008,32(01):46-49.
[7]张瑞峰,孔令杭,吕辰刚.大功率半导体激光器恒流源设计[J].激光技术,2012(1):80-84.
[8]芦文.半导体激光器高速脉冲驱动电路的设计与实现[D].广州:暨南大学,2010.
[9]马天翔.50 A大功率脉冲恒流源技术研究与实现[D].长春:吉林大学,2012.
[10]王晴.用于半导体激光器的脉冲恒流源理论与技术研究[D].长春:吉林大学,2011.
〔编辑:白洁〕