垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试

王东兴+王泽英+王玥玥+张永霜+王玥

摘要：传统有机材料的场效应晶体管（FETs）具有工作速度低、驱动电压高的缺陷，针对这个问题，垂直结构的酞菁铜（CuPc）有机薄膜晶体管（VOTFTs）被制备，整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺，器件的层叠结构为Au/CuPc/Al（半导电）/CuPc/Au，其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的。endprint