溅射时间对Ni/SiO2玻璃光衰减片衰减性能的影响

李磊　汤卉　王文雪

摘要：为了提高光衰减片整体的光衰减效果，采用真空磁控溅射法，利用真空磁控溅射仪制备纳米级厚度的Ni/SiO2玻璃光衰减片.利用X-射线衍射（XRD）、原子能谱、扫描电镜和722分光光度计等表征手段，研究溅射时间（5、10、15、20、25 min）对透光率、微观结构的影响.实验结果表明：当溅射工作压力为0.4Pa，溅射时间为25 min时，金属Ni在siO，玻璃基片上形成（111）和（200）晶面取向的镀Ni薄膜；SiO2玻璃基片上沉积的薄膜平整，颗粒分布均匀、排列紧密；试样的透光率达到0.41，采用磁控溅射法制备金属Ni/SiO2玻璃复合薄膜式光衰减片满足光纤通信需求.

关键词：磁控溅射；Ni/SiO2，玻璃光衰减片；溅射时间

DoI：10.15938/j.jhust.2015.01.004

中图分类号：TN715+.1 文献标志码：A 文章编号：1007-2683（2015）01-0016-04