Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流 (Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。

两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36 kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。

Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5，以及为12.5 W平板电脑充电器而设的20 A SBRT20U50SLP。这类充电器的设计日益纤薄小巧，而且对效率和温度有严格的要求，传统的肖特基(Schottky)二极管解决方案已经无法配合。

SBRT15器件在15 A的电流下，正向电压为0.47 V；SBRT20器件则在20 A的电流下达到0.5 V的正向电压，加上+90℃的工作温度，可尽量减少导通损耗并提高充电器效率。SBRT15及SBRT20在+125℃的高温下，分别达到105 mA和100 mA的低反向漏电流，有助于把阻断模式损耗降到最低。

SBRT20U50SLP及SBRT15U50SP5是完善的沟槽型超级势垒整流产品系列首两款面世的整流器，提供从10 V到100 V宽广的反向电压范围、0.2 A到40 A的电流处理能力，以及多种不同的封装选择，包括Diodes旗下节省空间的PowerDI123、PowerDI5和 PowerDI5060。