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SABRE3D:技术和生产力领先者:WLP Electrodeposition

2015-03-23泛林研究美国公司图拉丁俄勒冈州美国泛林研究新加坡有限公司SerangoonNorthAvenue新加坡泛林半导体设备技术上海有限公司上海201203

电子工业专用设备 2015年3期
关键词:通孔晶片电镀

(1.泛林研究(美国)公司,图拉丁,俄勒冈州,美国;2.泛林研究(新加坡)有限公司,Serangoon North Avenue 5,新加坡;3.泛林半导体设备技术(上海)有限公司,上海201203)

ZHU Huanfeng1,CheePing Lee2,ZHANG Mike3,Damo Srinivas1,LI Xiao3,TAN Sherry3

(1.泛林研究(美国)公司,图拉丁,俄勒冈州,美国;2.泛林研究(新加坡)有限公司,Serangoon North Avenue 5,新加坡;3.泛林半导体设备技术(上海)有限公司,上海201203)

随着消费者对移动电子设备不断提出“更小,更快,更强大”的需求,先进封装技术变得越来越重要。外形尺寸的减少,功耗的降低,系统级封装等正是得益于该技术的广泛推广。

相对于传统的封装,以硅通孔(TSV)和晶片级封装(WLP)为代表的2.5D和3D堆叠集成技术在减少线宽,增大I/O密度的同时,能够实现更直接的芯片到芯片互连,从而获得“摩尔定律”之外的性能提高。

所以,以WLP为代表的先进封装已成为半导体行业中增长最快的领域之一,而且这种趋势会随着包括硅通孔TSV、Pillar、Micro-Bumps以及先进的再分配层(RDLs)等在内的3D技术日益成熟而持续下去,同时这些3D集成方案也在不断推动新的金属和介电互连材料和应用。

1 领先的生产力

2 业内领先的技术

(1)先进的前处理(APT)采用真空/液体回填技术,实现晶圆完全润湿,确保100%的无气泡缺陷的凸点电镀性能。

(2)革命性的TurboCell电镀室的设计,配以泵对流设计,最大限度地形成孔内对流,提高了电镀均匀性指标(Features,Die,Wafer),使其非常适合于小型和细线宽微凸以及RDL结构。

(3)Smart Spin通过软件控制边缘的非均匀性的校正技术,能够有效地降低晶圆边缘电流密集效应。客户无需额外专门的腔体/硬件操作进行调节,就能够达到不同边缘布局的晶圆都能有高良率,提高晶圆产量。

(4)Ecobump克服了锡银电镀中的根本性问题。SABRE3D通过金属离子分离阳极室(MISAC)和工艺控制系统,以及一个专有离子选择性膜,实现了无铅的锡-银可溶阳极电镀。极大地减少低阿尔法锡金属电镀成本,以及添加剂的消耗。这已成为目前客户的首选方案。

(5)SABRE3D的在线化学液控制系统能实现正反向回馈来控制化学液组成,维持晶片到晶片工艺稳定性,大大减少了线下操作的成本和风险,提高化学液的寿命和设备运行时间。

3 着眼未来

Lam Research会继续朝着实现优良均匀性,高电镀速率,低成本,少缺陷等方向努力,通过克服各种技术挑战,不断倾听客户的需求,为客户提供全面的生产解决方案。例如:目前根据客户的需求,SABRE3D已具备处理各种尺寸的晶片(200~330 mm),复合“晶圆”材料(如纯玻璃,玻璃粘结,和环氧树脂模制化合物),并能处理翘曲晶片的能力(如Fan-Out WLP处理)。同时Lam不断提供技术更新来增强或提高现有设备能力,以满足客户不断变化的业务需求。作为设备可扩展性设计理念的一部分,能够实现不同电镀化学液的转换兼容,缩短客户从研发转向量产的时间,并在现有设备上无缝衔接更多先进功能,最大限度地提高客户端运营效率。

想了解更多相关信息,请致电销售人员(李潇+86-135-01620385电邮:xiao.li@lamresearch.com)

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