碳纳米管晶体管制造技术获得重大突破
2015-01-08
军民两用技术与产品 2015年3期
碳纳米管晶体管制造技术获得重大突破
美国威斯康星大学麦迪逊分校在碳纳米管晶体管制造技术方面获得突破。其开发的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题,开关速度比普通硅晶体管快1000倍,比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍,使碳纳米管晶体管向商业应用迈出了关键一步。
目前,碳纳米管被认为是制造下一代晶体管的理想材料,但高性能的碳纳米管晶体管制造面临着两大技术难题:一是要达到极高的纯度;二是要以极高的精度进行阵列控制。研究人员采用聚合体筛选技术找到了制造高纯度碳纳米管半导体的解决方案,采用浮动蒸发自组装技术,通过对碳纳米管溶液的快速蒸发触发其自组装现象,解决了碳纳米管的阵列控制问题。该技术目前已申请专利。
(FESA)
该项研究成果使碳纳米管晶体管取代硅芯片成为可能,不仅可应用于消费电子领域,也可应用于工业和军事领域。
(科 报)