卤化法制备高纯钛过程中杂质Al的来源分析
2014-12-16陈肖虎李纪伟卢大磊唐晓宁
王 睿,陈肖虎,李纪伟,卢大磊,唐晓宁
(贵州大学 材料与冶金学院,贵州 贵阳 550025)
钛是轻金属中的高熔点金属,是优异的结构材料,被广泛应用于化工、石油、冶金、医疗、汽车、航空航天、船舶、海洋工程、体育设施等领域[1-2]。实用超导材料(Nb-Ti合金)、形状记忆合金(Ni-Ti)、储氢合金(Fe-Ti系)和包覆材料(TiN)等被称作“太空金属”、“海洋金属”和“战略金属”[3]。随着电子产业和计算机产业的飞速发展,在电子材料领域,特别是制作溅射靶材,需要采用高纯钛[4-6]。高纯钛的纯度为99.9%~99.999%。高纯钛制备方法主要有熔盐电解法、电子束熔炼法和卤化法[7-8]。高纯钛制备过程中对杂质元素的控制十分重要。
1 试验部分
1.1 试验原料
试验所用原料为普通海绵钛;卤化剂主要成分为碘,含有微量其他卤族元素;基底材料为工业钛丝(尺寸为φ4mm×3 000mm)。
表1 试验用海绵钛化学成分质量分数 %
1.2 试验装置
试验采用特殊的卤化—裂解—电子束精炼工艺制备高纯钛。试验设备为有较大恒温区域(卤化源区)和高温裂解区域(沉积区)的特殊炉体。卤化法制备高纯钛的原则工艺流程及设备已申请国家发明专利(专利申请号200710200098.5)。
1.3 试验原理
原料首先通过卤化反应生成相应卤化物,利用钛卤化物与杂质卤化物的挥发性差异实现两者有效分离,再利用钛卤化物在高温下会发生热裂解特性实现钛的提纯。反应如下:
2 试验结果与分析
2.1 样品的辉光放电质谱法(GDMS)检测
样品的GDMS分析结果与4N5级(钛质量分数99.995%)高纯钛的质量对比见表2。可以看出:样品中Cl、B、K、Li、Mg均达到高纯钛4N5级标准,表明本工艺对上述元素脱除效果较好;而Al、Mn、Si超出检测标准,应从理论和试验中寻找解决方案。
图1为钛截面宏观形貌照片。图中中心区为靠近母丝的初始结晶区。沉积区为结晶过程中趋于稳定的区域,主要由柱状晶体组成,晶体之间存在狭缝。检测结果表明,杂质主要存在于中心区局部区域及沉淀区晶体狭缝之中。
表2 样品的GDMS分析结果与4N5级(钛质量分数99.995%)高纯钛的质量对比
图1 高纯钛截面宏观形貌
2.2 中心区SEM分析与讨论
图2是中心区域的电镜扫描图。X射线能谱分析结果表明,中心区部分区域杂质铝的含量比较高。
图2 中心区微观形貌
3 热力学分析[9-10]
3.1 碘化铝的合成
反应物及产物的标准摩尔定压热容可表示为
则有
整理式(1)与式(2)得式(3):
将式(3)代入 Van’t Hoff方程并积分,得式(4):
其中积分常数
因为
所以
在卤化区内,铝与碘的反应为:
根据表3计算得出:
同理,对于反应(b),
表3 相关物质的热力学数据[11]
表4 Δr,T计算结果
表4 Δr,T计算结果
images/BZ_117_279_1682_1196_1749.pngAlI3 -253.053≪0 -241.065≪0 Al2I6 -493.941≪0 -445.516≪0
3.2 碘化铝的分解
碘化铝的分解反应为:
对于反应(c),
表示反应为吸热熵增反应。根据Gibbs函数判据,温度升高,有可能使TΔS>ΔH,ΔG<0,高温下反应正向进行,即产生分解反应[9]。反应临界温度
对于反应(d),
反应临界温度
由上述热力学分析可知:在沉积区域,1 473~1 673K条件下,反应(c)、(d)不会发生,即产品中的杂质不是与钛一起经过卤化反应生成的相应碘化物,是之后随TiI4、TiI2一同进入沉积区的。杂质铝产生的原因:一方面可能是基体材料自身污染,在沉积区高温条件下,其内部结构及成分发生变化所致,如可能会出现某些原子的偏聚或局部某些物相的偏析等;另一方面,也有可能是基体材料在高温下自身参与反应,使杂质元素迁移到产品之中所致。
4 结论
1)热力学分析结果表明,在卤化区可能会生成AlI3和Al2I6,之后随TiI2、TiI4一起进入沉积区,所以,需要严格控制卤化温度,防止杂质元素卤化物生成。
2)分析结果表明:AlI3和Al2I6不会在沉积区分解,也就不会进入钛产品中影响产品质量;但卤化物的生成会消耗碘,造成生产成本提高,而且杂质元素卤化物的生成会影响系统分压,从而抑制TiI2、TiI4的生成,使钛产率下降。
3)产品中杂质Al来自于基体材料的自身污染,在沉积区高温条件下,基体材料可能会出现某些原子的偏聚或局部某些物相的偏析,或自身参与反应,所以必须严格控制基体材料中的杂质含量,以保证产品质量。
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